Temperaturberoende tillväxt av ingan/GaN -enstaka kvantbrunn Inga/GaN Single Quantum Well (SQW) -strukturer under olika InGAN -tillväxttemperaturer har odlats genom metallorganisk kemisk ångavsättning (MOCVD), ytmorfologier och optiska egenskaper undersöks. Radien för de typiska V-groarna på SQW-ytan påverkas av ...
Tillförlitlighetsanalys av Inga Blu-ray-laserdiode Syftet med detta arbete är en djup tillförlitlighetsanalys av Blu-ray InGan Laser Diodes (LD) som lämnats in till CW-stress vid olika strömmar och temperaturer. Under tillförlitlighetstester uppvisar LD -enheter en gradvis tröskelströmökning, medan lutningseffektiviteten nästan inte påverkas ...
Tillväxten av ingan -skikt på (1 1 1) kiselsubstrat genom reaktiva sputtrande Ingan -filmer odlades på (1 1 1) kiselsubstrat genom reaktiv magnetronsputning. Det demonstrerades att indiumkompositionen i InGan-filmerna kan kontrolleras genom att variera förhållandet mellan den tillämpade radiofrekvenskraften hos indiummålet till ...