Tredimensionell InP-DHBT på SiGe-BiCMOS-integration med hjälp av bensocyklobutenbaserad waferbondning för MM-vågskretsar
Höjdpunkter •Tillverkningsschema för heterogena Si-till-InP-kretsar på wafernivå beskrivs. •Inriktningsnoggrannhet mellan skiva och skiva bättre än 4–8 μm efter erhållen bindning. • Sammankopplingar med utmärkt prestanda upp till 220 GHz demonstreras. •Palladiumbarriär nödvändig när man kombinerar Al-baserad teknologi med guldbaserad. Sammanfattning För att dra nytta av materialegenskaperna hos både InP-HBT- och SiGe-BiCMOS-teknologier...