Höjdpunkter •Utveckling av ett slätt 3C–SiC-membran på ett SiC-substrat. •Faceterad yta för (110) orientering men slätare för (111) orientering. • Grovhet hos 3C–SiC-membranet begränsad till 9 nm för (111) orientering. •Nya MEMS-enheter möjliga. •De enorma SiC-egenskaperna skulle kunna utnyttjas helt. Den kubiska polytypen av kiselkarbid är en...
SiC har under de senaste åren blivit allt viktigare som kraftenhetsmaterial för högspänningstillämpningar. Det tjocka, lågdopade spänningsstödjande epitaxiella lagret odlas normalt med CVD på 4° avskurna 4H-SiC-substrat med en tillväxthastighet av Visa MathML-källan med hjälp av silan (SiH4) och propan (C3H8) eller eten...
Kubiska SiC-filmer (3C-SiC) avsattes på (111) Si-substrat genom en ånga-vätska-fast tri-fas tillväxtmetod. I en sådan process smältes ett tunt kopparskikt, som förångades på Si-substratet före tillväxten, vid hög temperatur när flussmedlet och sedan metan (kolkälla) diffunderades...