Ångfasnedbrytning – uppsamling av droppar – totalreflektion röntgenfluorescensspektrometri för analys av metallkontamination på Ge wafers
Ge-substrat har nyligen omprövats som ett kandidatmaterial för ersättning av Si-substrat i avancerade halvledarenheter. Återinförandet av detta material kräver omarbetning av standard-IC-bearbetningsstegen. I den här artikeln presenterar vi utvidgningen av metodiken för ångfasnedbrytning – droppuppsamling – totalreflektion röntgen...