Överföring av glasskivan

Överföring av glasskivan

Överföring av glasskivan

Olika glasskivmaterial har olika överföringar. Slutanvändaren bör kontrollera deras detaljapplikation och sedan välja motsvarande glasskivmaterial, se nedan:

 

Överföringshastighet för Jgs1 Glass Wafer

Överföring av glasskivan

Överföringshastighet för Jgs1 Glass Wafer

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

powerwaywafer

Överföring av glasskivan

 

 

 

 

 

Överföringshastighet för Jgs2 Glass Wafer:

Överföring av glasskivan

Överföringshastighet för Jgs2 Glass Wafer:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

För mer information, kontakta oss via e-post påvictorchan@powerwaywafer.comochpowerwaymaterial@gmail.com

2020-06-18

Dela det här inlägget

Relaterad Inlägg

PAM XIAMEN offers FZ & MCZ silicon ingot and silicon wafer

PAM XIAMEN offers FZ & MCZ silicon ingot and silicon wafer: Description Growth Method — MCZ Single crystal size inch 2 – 8 Conductivity Type — N P Doped elements — P/Sb B Crystal Orientation — <111> <110> <100> <111> <110> <100> Resistivity Ω.cm 0.0015-100 0.001-100 RRG % 20 20 Oxygen Concentration atoms/cm3 1.00E+18 1.00E+18 Carbon Concentration atoms/cm3 5.00E+16 5.00E+16 Diameter mm 55-157 55-157 Length mm 50-500 50-500 Dislocation EA/cm2 N/A N/A Swirl(After Oxidation) — N/A N/A Remarks：The above parameters can be customized.   FAQ about MCZ Silicon Wafers Q：This is just a curiosity, but let me ask about the production method of [...]

2019-02-27meta-författare
SiC Film（3C) on Si wafer–Can’t Offer Temporarily

PAM XIAMEN offers SiC Epi Film (3C) on Silicon Wafer The only pure cubic polytype, 3C-SiC, has many advantages for MOS device applications over the other polytypes due to the smaller band gap. In addition, the electron Hall mobility is isotropic and higher compared with [...]

2019-04-28meta-författare
Epitaxial growth of low threading dislocation density InSb on GaAs using self-assembled periodic interfacial misfit dislocation

Epitaxial growth of low threading dislocation density InSb on GaAs using self-assembled periodic interfacial misfit dislocation   Highlights •High-quality InSb was grown on GaAs by MBE using a “buffer-free” method. •The strain energy is relieved by interfacial misfit dislocations observed by TEM. •The type and separation of dislocations are [...]

2015-08-13meta-författare ,
2″ Silicon Wafer-7

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:P [100] 2″ 280 P/P 1-5 SEMI Prime, Si:P [100-6°] 2″ 300 P/E 1-5 SEMI Prime, n-type Si:P [100] 2″ 350 P/P 1-50 Test, Polished but dirty and scratched. Can be re-polished for additional fee, NO Flats n-type Si:P [100] ±1° 2″ 400 ±15 P/P 1-10 SEMI Prime, TTV<3μm, Empak cst n-type Si:P [100] 2″ 3175 P/E 1-3 Prime, NO Flats, Individual cst n-type Si:P [100] ±1.0° 2″ 6000 P/E 1-10 SEMI Prime, , Individual cst n-type Si:P [100] 2″ 300 P/P 0.8-1.0 SEMI Prime, n-type Si:Sb [100] 2″ 300 P/E 0.01-0.02 SEMI Prime, n-type Si:Sb [100] 2″ 500 P/P 0.01-0.02 SEMI Prime, , in [...]

2019-03-07meta-författare
Acuity Brands LED-armaturer vinner prestigefylld belysning för morgondagens pris

Tre dekorativa LED-armaturer från Acuity Brands valdes ut för att ta emot 2016 års Lighting for Tomorrow (LFT)-pris. Den årliga tävlingen skapades 2002 för att uppmärksamma de bästa dekorativa, energieffektiva armaturerna på marknaden och arrangeras av American Lighting Association, Consortium for Energy Efficiency [...]

2016-09-14meta-författare
What Is PL (Photoluminescence)?

PAM-XIAMEN can supply semiconductor wafers, more wafer specifications please refer to https://www.powerwaywafer.com/products.html. If necessary, we will offer PL (photoluminescence) spectroscopy for the semiconductor wafers. 1. What is PL? About PL, it refers to the self-emission light produced by a material after being excited by light. When [...]

2022-08-09meta-författare