Fotomask

PAM-XIAMEN erbjudandenfotomasker

Ett foto mask är en tunn beläggning av maskeringsmaterial som stöds av ett tjockare substrat, och maskeringsmaterialet absorberar ljus i varierande grad och kan vara mönstrad med en anpassad design. Mönstret används för att modulera ljus och överföra mönstret genom processen att fotolitografi som är den grundläggande processen för att bygga nästan alla dagens digitala enheter.

  • Beskrivning

Produktbeskrivning

foto Mask

PAM-XIAMEN erbjudandenfotomasker

Photomask Stor storlek

Photomask Middium och liten storlek

Fotografisk platta

Fotografisk filmboktryck

Fotografisk film

Chrome Photomask

Chromium Photomask Blank

Photolithography Mask

ENfotomaskär en tunn beläggning av maskeringsmaterial som stöds av ett tjockare underlag, och maskeringsmaterialet absorberar ljus i varierande grad och kan mönstrades med en anpassad design. Mönstret används för att modulera ljus och överföra mönstret genom fotolitografiprocessen, som är den grundläggande processen som används för att bygga nästan alla dagens digitala enheter.

Vad är en fotomask

En fotomask är en ogenomskinlig platta med hål eller OH-film som gör att ljus kan lysa igenom i ett definierat mönster. De används ofta i fotolitografi. Litografiskfotomaskerär vanligtvis transparenta smälta kiseldioxidämnen täckta med ett mönster definierat med en krom metallabsorberande film.fotomasker are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Maskmaterial - Skillnad mellan kvarts och Soda Lime Glass:

De vanligaste glastyperna för tillverkning av masker är Quartz och Soda Lime. Kvarts är dyrare, men har fördelen med en mycket lägre värmeutvidgningskoefficient (vilket innebär att den expanderar mindre om masken blir varm under användning) och är också transparent vid djupare Ultraviolet (DUV) våglängder, där Soda Lime-glas är ogenomskinligt. Kvarts måste användas där våglängden som används för att exponera masken är mindre än eller lika med 365 nm (i-linje). En fotolitografimask är en ogenomskinlig platta eller film med transparenta områden som tillåter ljus att skina igenom i ett definierat mönster. De används ofta i fotolitografiprocesser, men används också i många andra applikationer av ett brett spektrum av industrier och tekniker. Det finns olika slags mask för olika applikationer, nämligen baserat på den upplösning som krävs.

För mer produktinformation, vänligen kontakta oss på [email protected] eller [email protected]

 

1X Master Mask

1X Master Mask Dimensions and Substrate Material

Produkt Dimensioner Underlagsmaterial
1X Master 4 ”X4” X0.060 ”eller 0,090” Kvarts och Soda Lime
5 ”X5” X0.090 ” Kvarts och Soda Lime
6 ”X6” X0.120 ”eller 0.250” Kvarts och Soda Lime
7 ”X7” X0.120 ”eller 0.150” Kvarts och Soda Lime
7,25 ”rund X 0,150” Kvarts
9 ”X9” X0.120 ”eller 0.190” Kvarts och Soda Lime

 

Vanliga specifikationer för 1X Master Masks (kvartsmaterial)

CD-storlek CD medelvärde till nominell CD-enhetlighet Registrering defekt Storlek
2,0 um ≤0,25 um ≤0,25 um ≤0,25 um ≥2,0 um
4,0 um ≤0,30 um ≤0,30 um ≤0,30 um ≥3,5 um

 

Vanlig specifikation för 1X Master Masks (Soda Lime Material)

CD-storlek CD medelvärde till nominell CD-enhetlighet Registrering defekt Storlek
≤4 um ≤0,25 um ---- ≤0,25 um ≥3,0 um
> 4 um ≤0,30 um ---- ≤0,45 um ≥5,0 um

 

UT1X-mask

UT1X Maskeringsdimensioner och underlagsmaterial

Produkt Dimensioner substrat Material
UT1X 3 ″ X5 ″ X0.090 ″ Kvarts
5 ″ X5 ″ X0.090 ″ Kvarts
6 ″ X6 ″ X0.120 ″ eller 0.250 ″ Kvarts

 

Vanliga specifikationer för UT1X-masker

CD-storlek CD medelvärde till nominell CD-enhetlighet Registrering defekt Storlek
1,5 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≥0,50 um
3,0 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≥ 0,60 um
4,0 um ≤0,25 um ≤0,25 um ≤0,20 um ≥0,75 um

 

Standard binära masker

Standard binära maskdimensioner och underlagsmaterial

Produkt Dimensioner Underlagsmaterial
2X 6 ″ X 6 ″ X0.250 ″ Kvarts
2,5X
4X
5X 5 ″ X5 ″ X0.090 ″ Kvarts
6 ″ X6 ″ X0.250 ″ Kvarts

 

Vanliga specifikationer för vanliga binära masker

CD-storlek CD medelvärde till nominell CD-enhetlighet Registrering defekt Storlek
2,0 um ≤0,10 um ≤0,15 um ≤0,10 um ≥0,50 um
3,0 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≥0,75 um
4,0 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≥1,00 um

 

Masker med medelstora områden

Mått för medelstora ytor och material

Produkt Dimensioner Underlagsmaterial
1X 9 ″ X9 ″ 0,120 ″ Quartz Soda Lime (både krom och järnoxidabsorbenter finns tillgängliga)
9 ″ X9 ″ 0.190 ″ Kvarts

 

Vanliga specifikationer för masker med medelstora områden (kvartsmaterial)

CD-storlek CD medelvärde till nominell CD-enhetlighet Registrering defekt Storlek
0,50 um ≤0,20 um ---- ≤0,15 um ≥1,50 um

 

Vanliga specifikationer för medelstora ytor (Soda Lime Material)

CD-storlek CD medelvärde till nominell CD-enhetlighet Registrering defekt Storlek
10 um ≤4,0 um ---- ≤4,0 um ≥10 um
4 um ≤2,0 um ---- ≤1,0 um ≥5 um
2,5 um ≤0,5 um ---- ≤0,75 um ≥3 um

Du kan också gilla ...