công tác năm 2009

Chúng ta là ai

Trước năm 1990, chúng tôi được tuyên bố là trung tâm nghiên cứu vật lý chất ngưng tụ. Năm 1990, trung tâm thành lập Công ty TNHH Vật liệu nâng cao Hạ Môn Powerway (PAM-XIAMEN), hiện là nhà sản xuất vật liệu bán dẫn hỗn hợp hàng đầu tại Trung Quốc. PAM-XIAMEN phát triển các công nghệ tăng trưởng tinh thể và epit Wax tiên tiến, từ wafer Germanium thế hệ thứ nhất, Gallium Arsenide thế hệ thứ hai với sự tăng trưởng cơ chất và epit Wax trên …

Đọc thêm...

tại sao chọn chúng tôi

vô giá trị

Dịch vụ bán hàng tốt

Mục tiêu của chúng tôi là đáp ứng tất cả các yêu cầu của bạn, bất kể đơn đặt hàng nhỏ và những câu hỏi khó đến mức nào, để duy trì sự tăng trưởng bền vững và có lợi nhuận cho mọi khách hàng thông qua các sản phẩm chất lượng và dịch vụ đáp ứng của chúng tôi.
vô giá trị

Hơn 25 năm kinh nghiệm

Với hơn 25 năm kinh nghiệm trong lĩnh vực vật liệu bán dẫn hỗn hợp và kinh doanh xuất khẩu, nhóm của chúng tôi có thể đảm bảo với bạn rằng chúng tôi có thể hiểu yêu cầu của bạn và giải quyết dự án của bạn một cách chuyên nghiệp.
vô giá trị

Phản hồi chất lượng

Chất lượng là ưu tiên hàng đầu của chúng tôi. PAM-XIAMEN đã được chứng nhận ISO 9001: 2008, sở hữu và chia sẻ bốn nhà máy hiện đại có thể cung cấp khá nhiều loại sản phẩm đủ tiêu chuẩn để đáp ứng các nhu cầu khác nhau của khách hàng và mọi đơn hàng phải được xử lý thông qua hệ thống chất lượng nghiêm ngặt của chúng tôi. Báo cáo thử nghiệm được cung cấp cho mỗi lô hàng và mỗi tấm bán dẫn đều được bảo hành.
vô giá trị

Hỗ trợ công nghệ miễn phí và chuyên nghiệp

Bạn có thể nhận được dịch vụ công nghệ miễn phí của chúng tôi từ khâu yêu cầu đến dịch vụ hậu mãi dựa trên hơn 25 kinh nghiệm của chúng tôi trong lĩnh vực bán dẫn.
Sau hơn 20 năm tích lũy và phát triển, công ty chúng tôi có lợi thế rõ ràng về đổi mới công nghệ và đội ngũ nhân tài.
Trong tương lai, Chúng ta cần đẩy nhanh tốc độ hành động thực tế để cung cấp cho khách hàng những sản phẩm và dịch vụ tốt hơn

Bác sĩ Chấn -Giám đốc điều hành của Công ty TNHH Vật liệu tiên tiến Hạ Môn Powerway

Các trường đại học và công ty nổi tiếng nhất thế giới tin tưởng chúng tôi

Đối tác
FRAUNHOFER
NHỌN
SBIR STTR
OSRAM
TÍCH HỢP ĐIỆN
ibm LOGO

Tin tức gần đây

Nghiên cứu hiệu ứng bù trong P-Type 4H-SiC pha tạp Al của PVT

PAM-XIAMEN is able to supply you with P type SiC substrate, more specifications please see: https://www.powerwaywafer.com/p-type-silicon-carbide-substrate-and-igbt-devices.html. SiC single crystal has [...]

2024-04-19
Nghiên cứu tinh thể đơn AlN phát triển trên tinh thể hạt AlN

Single crystal AlN substrate can be provided with specifications as found in https://www.powerwaywafer.com/aln-substrate.html. AlN single crystal is the direct bandgap semiconductor [...]

2024-04-18
Tăng trưởng PVT 4H-SiC: Đạt được sự ổn định tăng trưởng cấu trúc tinh thể

PAM-XIAMEN can supply you with 4H-SiC wafers fitting your demands, specifications as found in https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-wafer-substrate.html. The control of a single crystal [...]

2024-04-17
Ảnh hưởng của pha tạp nitơ lên ​​silic đơn tinh thể Czochralski

PAM-XIAMEN is able to supply nitrogen (N) doped silicon wafers, specifications please refer to: https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer. The doping of nitrogen as an [...]

2024-04-16
Nghiên cứu về Dopant và sự bù đắp của AlN

PAM-XIAMEN can supply AlN single crystal substrate, additional specification please refer to https://www.powerwaywafer.com/aln-substrate.html. The main n-type AlN candidate dopants are [...]

2024-04-15
Ảnh hưởng của xử lý nhiệt đến hiệu suất của các tinh thể đơn silicon

PAM-XIAMEN có thể cung cấp cho bạn tấm wafer silicon hiệu suất cao, thông tin bổ sung về tấm wafer mà bạn có thể tìm thấy tại https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer. Xử lý nhiệt đề cập đến […]

2024-04-12
Giảm vết rỗ bề mặt của Epiwafer 4H-SiC

PAM-XIAMEN có thể cung cấp tấm wafer epiticular SiC, vui lòng đọc thêm thông số kỹ thuật của wafer: https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-epitaxy.html. Mặc dù các tấm wafer epiticular SiC thể hiện các đặc tính tuyệt vời ở điện áp cao […]

2024-04-11
Thiệt hại dưới bề mặt 4H-SiC

Cacbua silic bán dẫn (4H SiC) có các đặc tính tuyệt vời như vùng cấm rộng, cường độ trường phân hủy cao, độ linh động điện tử cao, […]

2024-04-09
Câu hỏi thường gặp
Tấm wafer Gallium Arsenide, P/P

Hỏi: Vui lòng cho chúng tôi biết nếu bạn có thể cung cấp wafer dưới đây, số lượng 25/50/300. Tấm wafer Gallium Arsenide, P/P 150,00±0,25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI không pha tạp GaAs:-[100-2,0°hướng tới[110]]±0,5°, u > 4.000cm²/Vs, Cả hai mặt -đánh bóng, 1 phẳng 57,5±2,5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Giấy chứng nhận: bắt buộc, Được niêm phong dưới nitơ trong một băng wafer A: Có, sẽ kiểm tra [ ...]

2018-09-13siêu tác giả
EPD cho chất nền GaAs

PAM-XIAMEN có thể cung cấp wafer GaAs với EPD dưới 5000/cm2. Hỏi: Bạn có thể vui lòng tư vấn EPD được đảm bảo cho chất nền và epi bên dưới không? Tấm wafer Gallium Arsenide, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c GaAs pha tạp:-[100]±0,5°, n-type Ro=(0,8E8-0,9E8)Ohmcm, Đánh bóng một mặt, mặt sau -được khắc mờ, 2 mặt phẳng, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Điện trở suất >1E7 Ohm-cm, [...]

2018-09-06siêu tác giả
Tấm wafer Gallium Arsenide, GaAs, VGF, Bán cách điện, Không pha tạp

Hỏi: Chúng tôi muốn hỏi những điều dưới đây. (001) +/- 0,5o Định hướng Bán cách điện, Điện trở pha tạp C ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 mặt được đánh bóng (Ra < 10Å), Sẵn sàng EPI, Mặt sau được khắc Bán tiêu chuẩn Hoa Kỳ, KHÔNG [...]

2018-07-17siêu tác giả