Chúng ta là ai

Trước năm 1990, chúng tôi được thể hiện theo trung tâm nghiên cứu vật lý chất rắn nước. Năm 1990, trung tâm đã phát động Xiamen Powerway nâng cao Material Co, Ltd (PAM-Hạ Môn), bây giờ nó là một nhà sản xuất hàng đầu về vật liệu hợp chất bán dẫn ở Trung Quốc. PAM-Xiamen phát triển tăng trưởng cao tinh và công nghệ epitaxy, phạm vi từ Gecmani wafer thế hệ đầu tiên, thứ hai thế hệ Gallium Arsenide với sự tăng trưởng chất nền và epitaxy trên ...

tại sao chọn chúng tôi

null

Tốt Dịch vụ bán hàng

Mục tiêu của chúng tôi là để đáp ứng tất cả các yêu cầu của bạn, bất kể như thế nào nhỏ đơn đặt hàng và làm thế nào những câu hỏi khó khăn họ có thể, để duy trì tăng trưởng bền vững và có lợi nhuận cho mỗi khách hàng thông qua sản phẩm chất lượng của chúng tôi và dịch vụ đáp ứng.
null

25+ năm kinh nghiệm

Với hơn 25 + năm kinh nghiệm trong lĩnh vực vật liệu hợp chất bán dẫn và kinh doanh xuất khẩu, nhóm chúng tôi có thể đảm bảo với bạn rằng chúng tôi có thể hiểu được yêu cầu của bạn và đối phó với dự án của bạn một cách chuyên nghiệp.
null

Phản hồi chất lượng

Chất lượng là ưu tiên hàng đầu của chúng tôi. PAM-Hạ Môn đã được ISO9001: 2008, sở hữu và cổ phiếu Bốn facories hiện đại có thể cung cấp khá một phạm vi lớn các sản phẩm đủ điều kiện để đáp ứng nhu cầu khác nhau của khách hàng, và mỗi đơn hàng phải được xử lý thông qua hệ thống chất lượng nghiêm ngặt của chúng tôi. báo cáo thử nghiệm được cung cấp cho mỗi lô hàng, và mỗi wafer được bảo hành.
null

Hỗ trợ miễn phí và chuyên nghiệp Công nghệ

Bạn có thể nhận được dịch vụ công nghệ miễn phí của chúng tôi từ cuộc điều tra để sau khi dịch vụ dựa trên 25+ kinh nghiệm của chúng tôi trong dòng bán dẫn.
Sau hơn 20 năm tích lũy và phát triển, công ty chúng tôi có một lợi thế rõ ràng trong đổi mới công nghệ và tài năng.
Trong tương lai, chúng ta cần phải đẩy nhanh tiến độ của hành động thực tế để cung cấp cho khách hàng những sản phẩm và dịch vụ tốt hơn

Bác sĩ Chan - CEO của Hạ Môn Powerway nâng cao Material Co, Ltd

Thành tích nổi bật Các trường Đại học & công ty ủy thác hệ của thế giới

Partners

Tin mới nhất

Sự phát triển của SiC dây nano / thanh nano sử dụng một phương pháp giải pháp Fe-Si

A new solution technique to grow SiC nanowires/nanorods was developed by simply heating Fe–Si melt on a graphite plate [...]

3 "Silicon wafer-15

PAM XIAMEN offers3″ Silicon Wafer-15 3″ Si wafer(32825), R≤200Ωcm 1. Diameter: 76.2 ± 0.1mm 2. The type of alloying: P/type boron 3. Orientation [...]

cơ chế tiến hóa bong bóng và tinh do stress gây ra ở nhiệt độ thấp silicon wafer liên kết dựa trên một trung gian lớp Ge vô định hình mỏng

The dependence of the morphology and crystallinity of an amorphous Ge (a-Ge) interlayer between two Si wafers on the [...]

đánh giá quang phát quang của tấm InP bán cách undoped thu được bằng cách ủ trong hơi phosphide sắt

We have investigated the photoluminescence mapping characteristics of semi-insulating (SI) InP wafers obtained by annealing in iron phosphide ambience [...]

3 "Silicon wafer-14

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer-14 3″ Si wafer(32849), R≥200Ωcm 1. Diameter: 76.2 ± 0.1mm 2. The type of alloying: N-type/ phosphorus .3. Orientation [...]

Cao chất lượng tăng trưởng AlN trên 6H-SiC bề mặt sử dụng mầm ba chiều bằng cách áp suất thấp hydride pha hơi epitaxy

There is a method of controlling nucleation and lateral growth using the three-dimensional (3D) and two-dimensional (2D) growth modes [...]

thiết kế tối ưu hóa trên điện áp phân hủy của AlGaN / GaN-electron transistor cao tính di động *

Simulations are carried out to explore the possibility of achieving high breakdown voltage of GaN HEMT (high-electron mobility transistor). [...]

Căng thẳng trong (Al, Ga) N heterostructures trồng trên 6H-SiC và Si byplasma hỗ trợ epitaxy chùm phân tử

The paper describes experimental results on low temperature plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN/AlN heterostructures on both 6H-SiC and [...]

faqs