Chúng ta là ai

Trước năm 1990, chúng tôi được thể hiện theo trung tâm nghiên cứu vật lý chất rắn nước. Năm 1990, trung tâm đã phát động Xiamen Powerway nâng cao Material Co, Ltd (PAM-Hạ Môn), bây giờ nó là một nhà sản xuất hàng đầu về vật liệu hợp chất bán dẫn ở Trung Quốc. PAM-Xiamen phát triển tăng trưởng cao tinh và công nghệ epitaxy, phạm vi từ Gecmani wafer thế hệ đầu tiên, thứ hai thế hệ Gallium Arsenide với sự tăng trưởng chất nền và epitaxy trên ...

tại sao chọn chúng tôi

null

Tốt Dịch vụ bán hàng

Mục tiêu của chúng tôi là để đáp ứng tất cả các yêu cầu của bạn, bất kể như thế nào nhỏ đơn đặt hàng và làm thế nào những câu hỏi khó khăn họ có thể, để duy trì tăng trưởng bền vững và có lợi nhuận cho mỗi khách hàng thông qua sản phẩm chất lượng của chúng tôi và dịch vụ đáp ứng.
null

25+ năm kinh nghiệm

Với hơn 25 + năm kinh nghiệm trong lĩnh vực vật liệu hợp chất bán dẫn và kinh doanh xuất khẩu, nhóm chúng tôi có thể đảm bảo với bạn rằng chúng tôi có thể hiểu được yêu cầu của bạn và đối phó với dự án của bạn một cách chuyên nghiệp.
null

Phản hồi chất lượng

Chất lượng là ưu tiên hàng đầu của chúng tôi. PAM-Hạ Môn đã được ISO9001: 2008, sở hữu và cổ phiếu Bốn facories hiện đại có thể cung cấp khá một phạm vi lớn các sản phẩm đủ điều kiện để đáp ứng nhu cầu khác nhau của khách hàng, và mỗi đơn hàng phải được xử lý thông qua hệ thống chất lượng nghiêm ngặt của chúng tôi. báo cáo thử nghiệm được cung cấp cho mỗi lô hàng, và mỗi wafer được bảo hành.
null

Hỗ trợ miễn phí và chuyên nghiệp Công nghệ

Bạn có thể nhận được dịch vụ công nghệ miễn phí của chúng tôi từ cuộc điều tra để sau khi dịch vụ dựa trên 25+ kinh nghiệm của chúng tôi trong dòng bán dẫn.
Sau hơn 20 năm tích lũy và phát triển, công ty chúng tôi có một lợi thế rõ ràng trong đổi mới công nghệ và tài năng.
Trong tương lai, chúng ta cần phải đẩy nhanh tiến độ của hành động thực tế để cung cấp cho khách hàng những sản phẩm và dịch vụ tốt hơn

Bác sĩ Chan - CEO của Hạ Môn Powerway nâng cao Material Co, Ltd

Thành tích nổi bật Các trường Đại học & công ty ủy thác hệ của thế giới

Partners

Tin mới nhất

(Mời) Strain Engineered Crack-Free GaN trên Si cho Integrated Vertical High Power Thiết bị với Si CMOS GaN

The ability to grow thin GaN layers on Si substrates has led to the development of lateral high power [...]

Heteroepitaxial Sự phát triển của SiC trên Si (100) và (111) bởi Chemical Vapor Deposition Sử dụng Trimethylsilane

Heteroepitaxial growth of 3C‐SiC on Si by chemical vapor deposition has been investigated using the precursor trimethylsilane. To optimize [...]

Top 10 bản ở trong vi điện tử & Bao bì điện tử bằng cách trích dẫn

Top 10 Publication in in Microelectronics & Electronic Packaging by Citation Post: PAM-XIAMEN, date: Jan 13,2020 PAM-XIAMEN has compiled top 10 [...]

Phân tích các vết Mức Ge Chuyển đến Si Wafer Bề mặt trong SiGe Wafer chế biến

Effects of trace levels of Ge transferred to Si surfaces during thermal processing of SiGe wafers are presented here. [...]

Chế tạo và Ngân sách Thermal cân nhắc của Advanced Ge và InP Đế Chất nền

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) [...]

Selective epitaxy Sự phát triển của SiC: Phân tích nhiệt động lực học của SiC-Cl-H và SiC-Cl-H-O Systems

Thermodynamic analysis was conducted to determine the conditions necessary for the selective epitaxial growth (SEG) of SiC on  masked Si [...]

mảng hai chiều của lỗ nanomet và nano-V-rãnh trong tấm Si oxy hóa cho sự phát triển có chọn lọc các chấm Ge Ge hoặc / Si dị tinh thể nano

Two-dimensional (2D) arrays of nanometre scale holes were opened in thin SiO2 layers on silicon by electron beam lithography and [...]

2018 CHI PHÍ TOP 100 Mỹ CAO HƠN GIÁO DỤC R & D

2018 TOP 100 US HIGHER EDUCATION R&D EXPENDITURES post by PAM-XIAMEN  date: Jan 03,2020 University is an important research and development subject [...]

faqs