2-11.Edge chip

2-11.Edge chip

2-11.Edge chip

Bất kỳ dị thường nào về cạnh (bao gồm cả các vết thoát ra từ xẻ rãnh) vượt quá 1,0 mm theo chiều sâu hoặc chiều rộng xuyên tâm. Khi quan sát dưới ánh sáng khuếch tán, các phoi cạnh được xác định là vật liệu không chủ ý bị thiếu khỏi rìa của tấm wafer.

2018-06-28

Chia sẻ bài này

có liên quan Bài viết

2-37. Lớp kiểm tra

2-37. Lớp kiểm tra thử nghiệm: Một tấm wafer silicon cacbua có chất lượng thấp hơn Prime và được sử dụng chủ yếu cho các quy trình thử nghiệm. SEMI cho biết khối lượng lớn, bề mặt và các đặc tính vật lý cần thiết để ghi nhãn tấm wafer cacbua silicon là “Tấm thử nghiệm”.

2018-06-28siêu tác giả
1-2.Stacking Sequence

1-2.Stacking Sequence If we are going to make a laminated structure, we must know the thickness of each ply and the angle of each ply traditionally in degrees defined from the top layer down.  

2018-06-28siêu tác giả
2-26.TTV

Total Thickness Variation (TTV): The maximum variation in the wafer thickness. Total Thickness Variation is generally determined by measuring the wafer in 5 locations of a cross pattern (not too close to the wafer edge) and calculating the maximum measured difference in thickness. The [...]

2018-06-28siêu tác giả
2-7.Primary Flat Orientation

2-7.Primary Flat Orientation The at of the longest length on the wafer, oriented such that the chord is parallel with a specied low index crystal plane. Measured on one wafer per ingot using Laue back-reection technique with manual angle measurement.  

2018-06-28siêu tác giả
5-4 SiC Semiconductor Crystal Growth

5-4 SiC Semiconductor Crystal Growth As of this writing, much of the outstanding theoretical promise of SiC electronics highlighted in the previous section has largely gone unrealized. A brief historical examination quickly shows that serious shortcomings in SiC semiconductor material manufacturability and quality have greatly hindered the development [...]

2018-06-28siêu tác giả
5-6-1 SiC Optoelectronic Devices

5-6-1 SiC Optoelectronic Devices The wide bandgap of SiC is useful for realizing short-wavelength blue and ultraviolet (UV) optoelectronics. 6H-SiC-based pn junction light-emitting diodes (LEDs) were the first semiconductor devices to cover the blue portion of the visible color spectrum, and became the first SiC-based devices to [...]

2018-06-28siêu tác giả