3 "LiNbO3 đơn tinh thể màng mỏng

3 "LiNbO3 đơn tinh thể màng mỏng

PAM Hạ Môn có 3 "LiNbO3 đơn tinh thể màng mỏng

LiNbO3 single crystal thin film (X，Y，Z), X-cut 10μm; Substrate: 3″ Si 0.5 0.4mm;(PAM-P20412-LNOI )
Structure:Top layer: LiNbO3 single crystal thin film X-cut 10 μm
Substrate: 3″ Si 0.4mm, Resistivity >10,000Ωcm
Surface Roughness<0.5nm
TTV (Thickness Uniformity) <1.2μm, 17 points testing

 

 

 

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.comvàpowerwaymaterial@gmail.com

2020-03-24

Chia sẻ bài này

có liên quan Bài viết

Tấm wafer 4″CZ Prime Silicon-16

PAM XIAMEN offers 4″CZ Prime Silicon wafer-16 4″ CZ Silicon Wafer SSP Silicon wafers, per SEMI Prime, P/E 4″Ø×525±25μm, SEMI Flats (two), p-type Si:B[100]±0.5°, Ro=(0.001-0.002)Ohmcm, One-side-polished, back-side Alkaline etched, TTV<5μm, Bow/Warp<30μm, Wafers free of striation marks, Sealed in Empak or equivalent cassette. For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2021-01-06meta-tác giả
GaN LED Epi trên Sapphire

Powerway Wafer offers III-nitride GaN LED Epi wafer on flat or patterned Sapphire as listed below, which emits blue or green lights. The GaN LED market size is 50mm, 100mm, 150mm or 200mm. The GaN LED emission wavelength can reach 530nm. A high crystal quality GaN can be gained by depositing [...]

2020-03-18meta-tác giả
Polycrystalline Silicon Wafers

You can buy polycrystalline silicon wafer from the polycrystalline silicon manufacturers PAM-XIAMEN. Poly crystal silicon is a form of elemental silicon. Polysilicon wafer is the foundation of the microelectronics industry and the photovoltaic industry. As a high-tech product, it spans multiple disciplines and fields of chemical machinery, electronics, industry, metallurgy, etc. [...]

2019-02-26meta-tác giả
Barrier controlled carrier trapping of extended defects in CdZnTe detector

Highlights •The barrier controlled trapping model was developed around extended defects. •Electron mobility and E-field distribution were distorted by space charge depletion region. •Extended defects act as a recombination-activated region. •The relationships between extended defects and detector performance were established. Transient current techniques using alpha particle source were utilized [...]

2015-07-31meta-tác giả , , ,
Sự tăng trưởng dị thể của SiC trên Si(100) và (111) bằng cách lắng đọng hơi hóa học sử dụng Trimethylsilane

Sự tăng trưởng dị vòng của 3C-SiC trên Si bằng cách lắng đọng hơi hóa học đã được nghiên cứu bằng cách sử dụng tiền chất trimethylsilane. Để tối ưu hóa quá trình tăng trưởng và đạt được tốc độ tăng trưởng cao, chúng tôi đã nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ và tốc độ dòng tiền chất đến Si trên trục (100) và ngoài trục […]

2020-01-20meta-tác giả
980 Single Mode Laser Chip

980 Single Mode Laser Chip (PAM200827-LD) PAM XIAMEN offers 980 Single Mode Laser Chip   Powerwaywafer 980 Single mode laser chip property Minimum Typical Maximum Central Wavelength 969 974 979 nm 970 980 990 Output Power (mW) 300 400 500 Working Mode CW — — — Longitudinal mode Single — — — Spectrum Width — — — Emitter Width  — — — Cavity Width (μm) 640 650 660 Cavity Length  (μm)  4490 4500 4510 Cavity Thickness  (μm) 115 125 135 Fast Axis Divergence(FWHM) 30 Deg — — — Slow Axis Divergence (FWHM) [...]

2020-09-16meta-tác giả