GaN HEMT epitaxy Wafer

GaN HEMT Epitaxial Wafer

Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.

  • Sự miêu tả

Mô Tả Sản Phẩm

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

GaN trên Si cho Power, D-mode

GaN trên Si cho Power, E-mode

GaN trên Si cho RF

GaN trên Sapphire cho Power

GaN trên Sapphire cho RF

GaN trên SiC cho RF

GaN trên GaN

2. Now we show you an example as follows:

2.1  2 "(50.8mm) GaN HEMT epitaxy Quế

We offer 2″(50.8mm) gallium nitride HEMT Wafers, the GaN HEMT structure is as follows:

Cấu trúc (từ trên xuống dưới):

* GaN nắp undoped (2 ~ 3nm)

AlxGa1-xN (18 ~ 40nm)

AlN (lớp đệm)

un-pha tạp GaN (2 ~ 3um)

Sapphire bề mặt

* Chúng ta có thể sử dụng để thay thế Si3N GaN trên đỉnh, độ bám dính rất mạnh, nó được phủ bởi bắn mực lên hoặc PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire/GaN

lớp #Thành phầnĐộ dàyXdopantCarrier Nồng độ
5GaN2nm
4AlxGa1–xN8nm0.26
3AlN1nmUn-pha tạp
2GaN≥1000 nmUn-pha tạp
1Đệm / chuyển lớp
bề mặtSilicon350μm / 625μm

2.3  2″(50.8mm),4″ (100mm)AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on Si

2.3.1 Specifications for Aluminium Gallium Nitride (AlGaN) / Gallium Nitride (GaN) Cao Electron Mobility Transistor (HEMT) trên bề mặt Silicon.

Các yêu cầuĐặc điểm kỹ thuật
AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer trên Si 
cấu trúc AlGaN / GaN HEMTTham khảo 1.2
bề mặt vật liệuSilicon
Sự định hướng<111>
phương pháp tăng trưởngfloat Zone
Loại dẫnP hoặc N
Kích thước (inch)2” , 4”
Độ dày (mm)625
mặt sauThô
Điện trở (Ω-cm)>6000
Bow (mm)≤ ± 35

2.3.2 Epi structure: Crack-free Epilayers

lớp #Thành phầnĐộ dàyXdopantCarrier Nồng độ
5GaN2nm
4AlxGa1–xN8nm0.26
3AlN1nmUn-pha tạp
2GaN≥1000 nmUn-pha tạp
1Đệm / chuyển lớp
bề mặtSilicon350μm / 625μm

2.3.3 Electrical Properties of the AlGaN/GaN HEMT structure

2DEG Mobility (300 K): ≥1,800 cm2 / Vs

2DEG Tấm Carrier Mật độ (ở 300 K): ≥0.9 × 1013 cm-2

RMS Độ nhám bề mặt (AFM): ≤ 0,5 nm (5.0 mm × 5.0 mm quét Area)

2.4  2″(50.8mm)AlGaN/GaN on sapphire

Đối với đặc điểm kỹ thuật của AlGaN / GaN trên mẫu sapphire, xin vui lòng liên hệ với bộ phận bán hàng của chúng tôi: [email protected]

GaN HEMT Applications: Used in blue laser diodes, ultraviolet LEDs (down to 250 nm), and AlGaN/GaN HEMTs device.

3. Explanation of AlGaN/Al/GaN HEMTs:

HEMTs nitride đang mạnh mẽ phát triển cho thiết bị điện tử công suất cao trong khuếch đại và chuyển mạch điện ứng dụng tần số cao. Thông thường hiệu suất cao trong hoạt động DC bị mất khi HEMT được bật - ví dụ, sụp đổ trên dòng khi tín hiệu cổng được xung. Người ta cho rằng hiệu ứng như vậy có liên quan đến trách bẫy mà mặt nạ tác động của các cửa khẩu trên dòng chảy hiện tại. Dòng biển đề về nguồn và cổng điện cực đã được sử dụng để thao tác các điện trường trong thiết bị, giảm thiểu hiện tượng vãng sụp đổ như vậy.

4. GaN EpitaxialTechnology — Customized GaN epitaxy on SiC,Si and Sapphire substrate for HEMTs, LEDs:

GAN HEMT epitaxy tấm (GAN EPI-tấm)

PAM XIAMEN Offers Epitaxial growth of AlGaN/GaN based HEMT on Si wafers

5. GaN Device:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Test Characterization Equipment:

Không tiếp xúc tấm Kháng

Laser Thin Chiều dầy Mapping

Cao Nhiệt độ / Độ ẩm cao Xếp Bias

Sốc nhiệt

DIC Nomarski Kính hiển vi

Atomic Force Microscope (AFM)

Surface Defectivity Scan

Nhiệt độ cao Xếp Bias

4PP Bảng Kháng

Không tiếp xúc sảnh Mobility

Chu kỳ nhiệt độ

Nhiễu xạ tia X (XRD) / số phản xạ (XRR)

Ellipsometer dày

Profilometer

CV Tester

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMT fabrication in the following process as follows:

MOCVD epitaxy

Kim loại phún xạ / E-Beam

Khô / Ướt kim loại / điện môi Etch

Thin Film PECVD / LPCVD / phún xạ

RTA / lò luyện kim

Photolithography (0.35um phút. CD)

Cấy ion

GaN/SiC HEMT epi-wafers

Aluminium gallium arsenide epi wafer

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

Bạn cũng có thể thích…