Chúng tôi cung cấpLT-GaAswafer cho THz, máy dò, thí nghiệm quang học cực nhanh và các ứng dụng khác.
1. Thông số kỹ thuật của tấm wafer 2″ LT-GaAs:
| Mục | Đặc tính kỹ thuật |
| Diamater (mm) | Ф 50.8mm ± 1mm |
| Độ dày | 1-2um hoặc 2-3um |
| Marco Defect Mật độ | ≤ 5 cm-2 |
| Điện trở suất (300K) | >108 Ôm-cm |
| Vận chuyển | ＜1 điểm |
| Mật độ xáo trộn | <1×106cm-2 |
| Diện tích bề mặt sử dụng được | ≥80% |
| đánh bóng | bên Độc đánh bóng |
| bề mặt | GaAs chất nền |
Ghi chú: Các điều kiện khác:
1) Chất nền GaAs phải không pha tạp/bán cách điện với định hướng (100).
2) Nhiệt độ sinh trưởng: ~200-250 C
2. Giới thiệu LT-GaAs:
GaAs thấp nhiệt độ phát triểnlà vật liệu được sử dụng rộng rãi nhất để chế tạo các bộ phát hoặc máy dò THz quang dẫn. Các đặc tính độc đáo của nó là tính di động của hạt tải điện tốt, điện trở suất tối cao và thời gian tồn tại của hạt tải điện dưới pico giây.
GaAs phát triển bởi epitaxy chùm phân tử (MBE) ở nhiệt độ thấp hơn 300 ° C (LT GaAs) presents a 1%–2% arsenic excess which depends on the growth temperature Tgand on the arsenic pressure during the deposition. As a result a high density of arsenic antisite defects AsGa is produced and forms a donor miniband close to the center of the band gap. The concentration of AsGa increases with decreasing Tg and can reach 1019–1020 cm-3, which leads to a decrease of the resistivity due to hopping conduction. The concentration of ionized donors AsGa+, which are responsible for the fast electron trapping, depends strongly on the concentration of acceptors (gallium vacancies). The LT-MBE grow GaAs samples are then usually thermally annealed: The excess arsenic precipitates into metallic clusters surrounded by depleted regions of As/GaAs barriers which allow one to recover the high resistivity. The role of the precipitates in the fast carrier recombination process is, however, not yet completely clear. Recently, attempts have been made also to dope LT GaAs during the MBE growth with compensating acceptors, namely with Be, in order to increase the number of AsGa+ : the trapping time reduction was observed for heavily doped samples.
3. LT-GaAs Test Report:
Vui lòng nhấp vào phần sau đây để xem báo cáo LT-GaAs:
https://www.powerwaywafer.com/low-temperature-gaas-2.html
4. THz Generation Process in LT-GaAs
https://www.powerwaywafer.com/THz-Generation-Process-in-LT-GaAs.html
5. Performance of Terahertz Photoconductive Antennas:
Vui lòng nhấp vào phần sau đây để xem bài viết này:
https://www.powerwaywafer.com/performance-of-terahertz-photoconductor-antennas.html
6. Phổ miền thời gian của THz
Dưới đây là Phổ miền thời gian của THz được tạo từ wafer LT-GaAs của chúng tôi
Phổ miền thời gian của THz
7. Quang phổ được giải quyết theo thời gian của wafer LT-GaAs
Quang phổ được giải quyết theo thời gian của wafer LT-GaAs
8. Câu hỏi thường gặp về wafer LT-GaAs
Q1:Chất nền LT-GaAs có thể bị thụ động hóa không? Việc rửa bề mặt bằng sóng siêu âm có ảnh hưởng gì đến lớp GaAs nhiệt độ thấp đó không?
A:Chất nền LT-GaAs có thể xử lý thụ động hóa. Không có vấn đề gì khi rửa bề mặt của LT-GaAs bằng sóng siêu âm công suất thấp.
Q2:Tôi thực hiện quang khắc để lắng đọng lớp cách điện, chẳng hạn như SiO2 100 nm và điện cực kim loại Cr 10 nm/ Au 100 nm trên wafer LT-GaAs. Sau khi chế tạo xong, tôi tiêm một tia laser xung để tạo ra dòng điện tích xung. Quá trình chuyển đổi ánh sáng thành điện tích này được thực hiện ở không khí xung quanh ở nhiệt độ phòng. Thiết bị ban đầu có vẻ tốt, nhưng sau vài lần sử dụng, phần điện cực Au có vẻ gập ghềnh. (Tôi đã kiểm tra nó bằng kính hiển vi.) Tôi đoán hình dạng lồi lõm là do các phân tử nước vô tình có mặt ở giữa GaAs và SiO2 hoặc giữa SiO2 và Cr/Au đã bay hơi do quá trình đốt nóng do tia laser gây ra. Bạn có ý tưởng nào để tránh vấn đề này không?
A:Chúng tôi chưa gặp tình huống này trước đây, bạn có thể nung chất nền LT GaAs trước khi mạ kim loại, nhưng nhiệt độ không được quá cao, dưới 300 độ. Ngoài ra, bạn cần tráng phim bằng axit loãng trước khi thực hiện quy trình kim loại.
Q3: For low-temperature grown GaAs, we need to work under the scanning tunneling microscope, but the resistivity is too large to tunnel. So, is it possible to reduce the resistivity preferably to below 1M ohm/mm of the epitaxial layer (along the surface direction) by doping? There are no requirements for the elements to be doped and the method of doping.
A: The electrical resistivity of LT-GaAs epi thin film would be able to drop below 1M ohm/mm. Specific technology inquiries please contact victorchan@powerwaywafer.com.
9. Sản phẩm liên quan:
GaAs lt wafer
chuyển đổi quang lt-GaAs
lt-GaAs hãng đời
GaAs lt THz
batop lt-GaAs
Nguồn: PAM-Hạ Môn
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.