Ingap / gaas epi wafer cho pin mặt trời
Nhờ công nghệ Junction đường hầm GaAs, chúng tôi cung cấp các tấm EPI của pin mặt trời INGAP / GAAs đơn và các tế bào năng lượng mặt trời INGAP / GaAs, với các cấu trúc khác nhau của các lớp epiticular (Algaas, INGAP) được phát triển trên GaAs cho ứng dụng pin mặt trời. Và bây giờ chúng tôi cung cấpwafer GaAs epivới ngã ba đường hầm Ingap như sau:
1. Cấu trúc EPI pin mặt trời Ingap / Gaas
| AR lớp phủ mgf2/Zns | au | Liên hệ phía trước | ||
| Au-ge/ni/au | ||||
| N+-Gaas 0,3μm | ||||
| ┏ | N+-Alinp | - | <2 × 1018cm-3(SI) | cửa sổ |
| InGaP | N+-Ingap | - | - | N |
| (EG = 1.88EV) | p+-Ingap | - | - | p |
| Tế bào hàng đầu | p+-Ingap | - | - | p+ |
| ┗ | p+-Alinp | - | - | BSF, Diff.Barrier |
| Đường hầm | p+-Ingap | 0,015μm | - | TN (p+) |
| ngã ba | N+-Ingap | - | - | Tn (n+) |
| ┏ | N+-Alinp | 0,05μm | - | Cửa sổ, diff.barrier |
| GaAs (ví dụ = 1,43 eV) tế bào dưới cùng | N+-GaAs | - | - | N |
| P -gaas | - | - | p | |
| ┗ | p+-Ingap | - | - | BSF |
| p+-GaAs | - | 7.0 × 1018cm-3(Zn) | ||
| p+-Gaas Chất nền ＜ 1.0 × 1019cm-3(Zn) | cơ chất | |||
| Au | ||||
| Liên hệ trở lại | ||||
Note:Đèn LED, laser và pin mặt trời đa điểm dựa trên INGAP / GAAS đều có thể sử dụng các mối nối đường hầm để cải thiện hiệu suất. Tính toán ảnh hưởng của ngã ba này là khó khăn, nhưng có nhiều cách để mô phỏng chính xác các đặc tính chip và tối ưu hóa hiệu quả về chi phí thiết kế cấu trúc pin mặt trời.
2. Tăng trưởng epiticular của wafer pin mặt trời IngAP / GaAs
Với sự phát triển của thiết bị MOCVD và MBE, pin mặt trời của IngAP / GaAs có thể được phát triểnChất nền GaAsVới kết hợp mạng lưới, đảm bảo chất lượng tinh thể của màng mỏng epiticular. Subcell có thể sử dụng các vật liệu INAIP và tảo làm lớp cửa sổ và lớp sau, có thể làm giảm hiệu quả tốc độ tái tổ hợp bề mặt và giao diện. Trong điều kiện thành phần nhất định, khoảng cách dải INGAP có thể được thay đổi trong khoảng từ 1.82EV và 1.92EV bằng cách điều chỉnh các tham số như nhiệt độ tăng trưởng và tốc độ tăng trưởng, tùy thuộc vào mức độ thứ tự của cấu trúc tinh thể.
Kết hợp với thiết kế độ dày của lớp hấp thụ, các dòng điện được tạo ra được tạo ra bởi các tế bào phụ hai khớp của INGAP và GaAs có thể phù hợp hơn. Trên cơ sở các yếu tố này, pin mặt trời kép IngAP/GaAs có hiệu quả chuyển đổi cao. Tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng INGAP / GAAS hiệu quả cao có thể được chuẩn bị bằng công nghệ chuyển chất nền.
Khi vật liệu epiticular của tế bào mặt trời GAINP / GaAs được phát triển bằng công nghệ tăng trưởng áp suất thấp, áp suất của buồng phản ứng phải được duy trì ở 42Torr và H2 có độ tinh khiết cao được sử dụng làm khí mang. Sự tăng trưởng của vật liệu pin mặt trời hai trục được bắt đầu ở nhiệt độ không đổi 650 ° C trong 4 phút. Nhiệt độ tăng trưởng của Arsenide và Phosphide đều được đặt ở 620 ° C, nhưng sự tăng trưởng của ngã ba đường hầm pha tạp cao dễ bị khuếch tán nhiệt độ cao, do đó nó được tăng trưởng ở nhiệt độ thấp 560 ° C.
3. Câu hỏi thường gặp về wafer epiticular của Ingap / GaAs
Q:Bạn có thể cho chúng tôi biết làm thế nào để cắt EPI pin mặt trời của algap/GaAs không?
A:Các wafer ALGAP/GAAS EPI cho pin mặt trời có thể được cắt bằng Scriber Wafer.
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi email tại[email protected] và [email protected].