Câu hỏi thường gặp

Tấm wafer Gallium Arsenide, P/P

Hỏi: Vui lòng cho chúng tôi biết nếu bạn có thể cung cấp tấm wafer dưới đây, số lượng 25/50/300. Tấm wafer Gallium Arsenide, P/P 150,00±0,25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI không pha tạp GaAs:-[100-2,0°hướng tới[110]]±0,5°, u > 4.000cm²/Vs, Cả hai mặt -đánh bóng, 1 phẳng 57,5±2,5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Giấy chứng nhận: bắt buộc, Được niêm phong dưới nitơ trong một băng wafer A: Có, sẽ kiểm tra việc giao hàng thời gian và quay trở lại […]

EPD cho chất nền GaAs

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier lifetime <1ps, Sealed under [...]

Tấm wafer silicon được đánh bóng một mặt

Hỏi: Chúng tôi yêu cầu các mặt hàng sau 1. Tấm wafer đơn tinh thể silicon (Si), được đánh bóng một mặt loại N, định hướng<100>, Điện trở suất 5E-3 ohm.cm, Độ dày: 0,1 đến 0,5 mm 2. Silicon (Si ) tấm wafer đơn tinh thể, được đánh bóng một mặt loại P, hướng <100>, Điện trở suất 5E-3 ohm.cm, Độ dày: 0,1 đến 0,5 mm A: Có, chúng tôi có thể cung cấp dựa trên [...]

Hỏi: Tôi đang tự hỏi liệu bạn có mang theo bất kỳ SiC bán cách điện (không pha tạp) hay HPSI SiC đơn tinh thể nào không?

Hỏi: Tôi đang tự hỏi liệu bạn có mang theo bất kỳ SiC bán cách điện (không pha tạp) hay HPSI SiC đơn tinh thể nào không? Trả lời: Đối với chất nền SiC bán cách điện của chúng tôi, đó là chất pha tạp V, chúng tôi không thể cung cấp SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao, tuy nhiên chúng tôi có thể cung cấp SiC không pha tạp nếu số lượng của bạn tốt.

Hỏi: Tôi muốn biết nồng độ tạp chất của chất nền SiC mà bạn thường cung cấp? Nồng độ tạp chất Nitơ tối đa mà bạn có thể cung cấp là bao nhiêu? Tôi đang tìm kiếm tấm wafer SiC pha tạp nitơ nặng?

Hỏi: Tôi muốn biết nồng độ tạp chất của chất nền SiC mà bạn thường cung cấp? Nồng độ tạp chất Nitơ tối đa mà bạn có thể cung cấp là bao nhiêu? Tôi đang tìm kiếm tấm wafer SiC pha tạp nitơ nặng? Trả lời: Nồng độ tạp chất Nitơ của chúng tôi là 1E18/cm3-1E19/cm3, thuộc loại tạp chất nặng.

Hỏi: Bạn có thể cung cấp vật liệu tinh thể đơn SiC có Độ dẫn nhiệt cao > 490 W/mK, tấm wafer có độ dày: 300-1000um để sản xuất tản nhiệt thiết bị bán dẫn không?

Hỏi: Bạn có thể cung cấp vật liệu tinh thể đơn SiC có Độ dẫn nhiệt cao > 490 W/mK, tấm wafer có độ dày: 300-1000um để sản xuất tản nhiệt thiết bị bán dẫn không? Trả lời: Độ dẫn nhiệt > 490 W/mK là giá trị lý thuyết của SiC mono, tuy nhiên chúng tôi đã thử nghiệm một số tấm wafer thì độ dẫn nhiệt dưới 450W/mK, thấp hơn […]

Hỏi: Ứng dụng của chúng tôi là ủ bằng vi sóng. Vì vậy, cacbua silic phải có khả năng hấp thụ vi sóng?

Hỏi: Ứng dụng của chúng tôi là ủ bằng vi sóng. Vì vậy, cacbua silic phải có khả năng hấp thụ vi sóng? Trả lời: Vì hằng số điện môi của 6H và 4H lớn, nên nếu wafer SiC là vật liệu hấp thụ, chủ yếu đạt được thông qua thiết kế cấu trúc của trận đấu Điện từ. Tôi không biết liệu nó có đúng hay không.