Bánh xốp CdZnTe (CZT)
- Sự miêu tả
Mô tả Sản phẩm
PAM-XIAMEN cung cấp chất nền CdZnTe thương mại với chất lượng cao và giá cả rất cạnh tranh. Chúng tôi cũng có thể cung cấp tinh thể CdZnTe có tiếp điểm. Các tiếp điểm thông thường của cực dương và cực âm đều được ký gửi bởi Au, nhưng chúng ta có thể sử dụng Al để ký gửi các tiếp điểm theo yêu cầu. Và chúng tôi cung cấp kích thước tùy chỉnh wafer.
CdZnTe hoặc CZT (Cadmium Kẽm Telluride) là một chất bán dẫn mới, cho phép chuyển đổi bức xạ thành điện tử một cách hiệu quả, nó chủ yếu được sử dụng trong chất nền epitaxy màng mỏng hồng ngoại, máy dò tia X và máy dò tia Gamma (các tấm wafer đã sẵn sàng để tiếp tục kim loại hóa và sản xuất máy dò bức xạ) , điều chế quang học laser, pin mặt trời hiệu suất cao và các lĩnh vực công nghệ cao khác.
1.Sản phẩm và dịch vụ vật liệu CdZnTe:
Nó chủ yếu được sử dụng trong chất nền epitaxy màng mỏng hồng ngoại và phát hiện bức xạ:
1.1 CZTĐối với Tăng trưởng Epitaxy HgCdTe, Thuộc tính CdZnTe:
| CdZnTe Đối với sự tăng trưởng epiticular, HgCdTe: | |
| Kích thước đế CZT | 20×20 +/- 0,1mm hoặc lớn hơn |
| Cấu trúc tinh thể CdZnTe | không pha tạp |
| độ dày CZT | 1000 +/- 50 |
| Phân phối kẽm (Thành phần CdZnTe) | 4,5% hoặc tùy chỉnh |
| “y” % wafer đến wafer | <4% +/- 1% |
| “y” % trong wafer | <4% +/- 0,5% |
| Định hướng | (211)B,(111)B |
| DCRC FWHM | <= 50 cung.giây |
| nồng độ chất mang | – |
| Truyền hồng ngoại % (2-20)um | > 60% |
| kích thước kết tủa | <5um |
| Mật độ kết tủa | <1E4 cm-2 |
| Mật độ hố khắc | <= 1E5 cm-2 |
| Bề mặt, mặt B | EPI đã sẵn sàng |
| Bề mặt, mặt chữ A | đánh bóng thô |
| độ nhám bề mặt | Ra <20A hoặc tùy chỉnh |
| Kích thước kết tủa | <5um |
| nhận dạng khuôn mặt | Một khuôn mặt |
1.2. CdZnTe để phát hiện bức xạ:
PAM-XIAMEN cung cấp vật liệu CdZnTe:
Khi cắt wafer; kích thước wafer có thể được tùy chỉnh, đối với kích thước wafer thông thường, vui lòng xem danh sách wafer
wafer được đánh bóng; kích thước wafer có thể được tùy chỉnh
Có sẵn các tiếp điểm/điện cực;
Với bảng PCB có sẵn;
Với pixel có sẵn;
Có sẵn BNC
Và bây giờ chúng tôi liệt kê một số ứng dụng chi tiết và giải thích để bạn tham khảo:
1.2.1. Cadmium Zinc Telluride để phát hiện bức xạ hạt nhân (X, gamma,beta, nhiệt, neutron, máy đếm & máy quang phổ):
Đây là một nhu cầu an ninh quốc gia quan trọng để có thể triển khai khắp nơi các máy dò gamma có độ phân giải cao (tốt nhất là ở nhiệt độ phòng) trong lĩnh vực này để cung cấp nhận dạng rõ ràng các vật liệu hạt nhân đặc biệt (SNM) cũng như các mối đe dọa tiềm tàng khác.
Độ phân giải năng lượng cho các máy dò gamma dựa trên chất bán dẫn được định nghĩa là toàn bộ chiều rộng ở mức tối đa một nửa (FWHM) của một pic chia cho năng lượng của pic. Đặc tính lý tưởng sẽ là một hàm xung. Tuy nhiên, điều này không đúng trong thực tế và các tín hiệu được phát hiện có thể khó giải quyết và diễn giải.
Và chúng tôi có thể cung cấp vật liệu CdZnTe với các đặc tính sau để đáp ứng ứng dụng này:
* Cd(1-x)Zn(x)Te
* Độ phân giải caoFWHM@59.5keV<?(vui lòng liên hệ với nhóm bán hàng của chúng tôi)
* Giá trị mu-tao tốt
1.2.2. Đối với cảm biến CZT:
1.2.3. CdZnTe cho máy ảnh gamma CZT:
Máy ảnh dựa trên CZT có độ phân giải không gian cao, độ phân giải năng lượng cao, giảm không gian chết ở rìa trường nhìn và định dạng nhỏ gọn. Hiệu suất của máy ảnh lần đầu tiên được kiểm tra bằng cách so sánh các kiểm tra trường nhìn nhỏ với các kiểm tra từ máy ảnh gamma lâm sàng tiêu chuẩn Elscint SP6HR. Máy ảnh mới được phát hiện là cho chất lượng hình ảnh tương đương hoặc được cải thiện. Sau đó, chiếc máy ảnh này được sử dụng cho một nghiên cứu ảo có hệ thống về các tổn thương nhỏ ở hậu cảnh giống như khi chụp ảnh ung thư vú. Trong nghiên cứu này, máy ảnh có thể phát hiện một cách có hệ thống các tổn thương nhỏ hơn, sâu hơn và mờ hơn. Máy ảnh này hiện đang được sử dụng trong một thử nghiệm lâm sàng nhằm đánh giá giá trị của nó trong kỹ thuật chụp quang tuyến khi những hạn chế trước đây về chất lượng hình ảnh và kích thước máy dò đã hạn chế việc sử dụng các kỹ thuật chụp ảnh chức năng. Kết quả sơ bộ cho thấy độ nhạy và độ đặc hiệu cao đối với chụp X-quang và phẫu thuật.
Và chúng tôi có thể cung cấp tinh thể CdZnTe với các tính năng sau để đáp ứng ứng dụng này:
* Độ phân giải cao:
* Có sẵn các đồng vị năng lượng thấp đến trung bình (50keV đến 180keV), cũng như các đồng vị năng lượng cao;
* Có/không có vòng bảo vệ
1.2.4. CZT cho pin mặt trời:
Loại N hoặc loại p có sẵn.
1.2.5. CdZnTe cho quang phổ gamma và tia gamma:
Và chúng tôi có thể cung cấp vật liệu CZT với các tính năng sau để đáp ứng ứng dụng này:
* Có cả pixel và đồng phẳng
* có sẵn tiếp xúc Ohmic và Schottky
1.2.6.CdZnTe ứng dụng điện quang - điều chế ánh sáng
2.Tinh thể Cd0.9Zn0.1Te(CZT) có độ tinh khiết cao
Có sẵn phôi PAM190619-CZT Cd0.9Zn0.1Te x phôi tròn 55mm, cung cấp chứng chỉ độ tinh khiết để chứng minh CdZnTe tinh khiết (độ tinh khiết>= 99,99999%)
Sự phát triển của CdZnTe:
Có ba phương pháp tăng trưởng: Bridgman, THM và vùng nổi. Tinh thể CZT Grown khó so với Ge và Si(Czochralski), lý do là:
• Các pha thứ cấp Te-reach (bao thể và kết tủa)
• Kết nghĩa
• Ranh giới hạt con
3. Thị trường bức xạ hạt nhân
Máy quang phổ bức xạ hạt nhân truyền thống: Ge – Độ phân giải năng lượng cao, nhưng yêu cầu làm mát bằng phương pháp đông lạnh; Máy nhấp nháy NaI – Độ phân giải năng lượng thấp
Máy quang phổ bán dẫn khe rộng nhiệt độ phòng: Không yêu cầu làm mát: Độ phân giải năng lượng CdZnTe cao; Độ phân giải không gian cao
4. Ứng dụng vật liệu CdZnTe
Bức xạ hạt nhân chủ yếu được ứng dụng: nhiễu xạ tia X, huỳnh quang tia X, đo mật độ xương, máy quét CT, màn hình phẳng, Tim mạch, chụp ảnh vú phân tử, đầu dò phẫu thuật và tất cả các hoạt động khác sử dụng bức xạ hạt nhân. Nói chung, vật liệu CZT được sử dụng trong lĩnh vực sau:
4.1 An ninh quốc gia và nội địa
• Không phổ biến vũ khí hạt nhân
• Kiểm tra thứ cấp cho các cổng
• Đo lường an toàn: hệ thống kiểm tra tùy chỉnh, giám sát bức xạ cho an toàn hạt nhân
• Pháp y và quy kết
• Quản lý chất thải hạt nhân
4.2 Hình Ảnh Y Tế
• Máy quét SPECT, PET và CT
• Máy đo mật độ xương
• Đầu dò y tế
4.3 Khoa học cơ bản
• Vật lý thiên văn
• Quang phổ tia gamma
• Nghiên cứu X-quang synchrotron
4.4 Hình ảnh công nghiệp
• Khai thác lỗ khoan
• Máy chụp X-quang và tia gamma
• Phân tích vật liệu XRF
Tấm pin mặt trời màng mỏng 4.5.PV:
Đối với báo giá chi tiết và yêu cầu đặc biệt xin vui lòng liên hệ với văn phòng bán hàng của chúng tôi.
Chúng tôi sẽ cung cấp các báo cáo thử nghiệm, vui lòng xem ví dụ bên dưới:
Báo cáo độ phân giải năng lượng
Bạn cũng có thể thích…
-
Chất cản quang chế tạo nano
PAM-XIAMEN Cung cấp tấm cản quang với chất cản quang
-
Chất nền wafer SiC
Công ty có một dây chuyền sản xuất chất nền wafer SiC (silicon carbide) hoàn chỉnh tích hợp quá trình tăng trưởng tinh thể, xử lý tinh thể, xử lý wafer, đánh bóng, làm sạch và thử nghiệm. Ngày nay, chúng tôi cung cấp các tấm bán dẫn SiC 4H và 6H thương mại với tính năng bán cách điện và độ dẫn điện trên trục hoặc ngoài trục, kích thước có sẵn: 5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” và 8″, vượt qua các công nghệ chính như như loại bỏ khuyết tật, xử lý hạt tinh thể và tăng trưởng nhanh, thúc đẩy nghiên cứu và phát triển cơ bản liên quan đến epitaxy silic cacbua, thiết bị, v.v.
-
Float-Zone đơn tinh thể silicon
PAM-XIAMEN có thể cung cấp wafer silicon vùng nổi, thu được bằng phương pháp Float Zone. Các thanh silicon đơn tinh thể được tạo ra thông qua quá trình tăng trưởng vùng nổi, sau đó xử lý các thanh silicon đơn tinh thể thành các tấm wafer silicon, được gọi là các tấm wafer silicon vùng float. Vì tấm wafer silicon nóng chảy theo vùng không tiếp xúc với chén thạch anh trong quá trình silicon vùng nổi, nên vật liệu silicon ở trạng thái lơ lửng. Qua đó ít gây ô nhiễm môi trường trong quá trình nung chảy vùng nổi silic. Hàm lượng carbon và hàm lượng oxy thấp hơn, tạp chất ít hơn và điện trở suất cao hơn. Nó phù hợp để sản xuất các thiết bị điện và một số thiết bị điện tử cao áp.
-
Ge(Germanium) đơn tinh thể và tấm wafer
PAM-XIAMEN cung cấp wafer germanium 2”, 3”, 4” và 6”, viết tắt của wafer Ge do VGF / LEC phát triển. Cũng có thể sử dụng wafer Germanium loại P và N pha tạp nhẹ cho thí nghiệm hiệu ứng Hall. Ở nhiệt độ phòng, gecmani kết tinh giòn và ít dẻo. Germanium có tính chất bán dẫn. Gecmani có độ tinh khiết cao được pha tạp với các nguyên tố hóa trị ba (chẳng hạn như indi, gali, bo) để thu được chất bán dẫn gecmani loại P; và các nguyên tố hóa trị năm (chẳng hạn như antimon, asen và phốt pho) được pha tạp để thu được chất bán dẫn germani loại N. Germanium có các đặc tính bán dẫn tốt, chẳng hạn như độ linh động của điện tử cao và độ linh động của lỗ trống cao. -
GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN đang sản xuất nhiều loại vật liệu bán dẫn loại n pha tạp silicon epi wafer III-V dựa trên Ga, Al, In, As và P do MBE hoặc MOCVD phát triển. Chúng tôi cung cấp các cấu trúc tấm đệm GaAs tùy chỉnh để đáp ứng các thông số kỹ thuật của khách hàng, vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm thông tin.
-
GaP wafer – Tạm thời không thể cung cấp
PAM-XIAMEN cung cấp wafer GaP Chất bán dẫn Hợp chất – wafer gallium phosphide được phát triển bởi LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) dưới dạng lớp sẵn sàng epi hoặc cơ học với loại n, loại p hoặc bán cách điện theo các hướng khác nhau(111)hoặc(100). -
Chất nền GaN độc lập
PAM-XIAMEN đã thiết lập công nghệ sản xuất tấm wafer chất nền GaN độc lập (gallium nitride), dành cho UHB-LED và LD. Được phát triển bằng công nghệ epitaxy pha hơi hydride (HVPE), chất nền GaN của chúng tôi có mật độ khuyết tật thấp.
-
máy dò CZT
PAM-XIAMEN cung cấp một loạt các sản phẩm CZT, bao gồm máy dò, mô-đun, đầu dò, hệ thống, bộ khuếch đại, máy phân tích, nguồn cung cấp và lò nung.
