CZT Detector
- Sự miêu tả
Mô Tả Sản Phẩm
PAM-XIAMEN provides CZT detector by solid-state detector technology for x-ray or gamma-ray, which has better energy resolution compared with scintillation crystal based detector, including CZT Planar Detector, CZT Pixilated Detector, CZT Co-Planar Gri.
| 1.1 CZT Planar Detector | |||
| Đặc tính kỹ thuật | |||
| HV | 200 V ~ 500 V | ||
| phạm vi năng lượng | 20 keV ~ 200 keV | ||
| Nhiệt độ hoạt động | -20 ℃ ~ 40 ℃ | ||
| Kích thước (mm 3) | 5 × 5 × 2 | 10 × 10 × 2 | |
| độ phân giải năng lượng @ 59,5 keV | lớp Counter | > 15% | > 15% |
| lớp phân biệt | 7% ~ 15% | 8% ~ 15% | |
| lớp phổ | <7% | <8% | |
| chú thích | kích thước khác cũng có thể được cung cấp | ||
lắp ráp 5 × 5 × 2mm 3 CZT tiêu chuẩn
lắp ráp 10 × 10 × 2mm 3 CZT tiêu chuẩn
| 1.2 CZT pixilated Detector | ||
| Đặc tính kỹ thuật | ||
| Ứng dụng | SPECT, máy ảnh γ | hình ảnh X-ray |
| Nhiệt độ hoạt động | -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| độ phân giải năng lượng tiêu biểu | <6.5%@59.5 Kev | - |
| Tỷ lệ đếm | - | > 2M cps / pixel |
| ma trận tiêu biểu | Diện tích mảng dò: 8 × 8 | Diện tích mảng dò: 8 × 8 |
| Tuyến tính dò mảng: 1 × 16 | Tuyến tính dò mảng: 1 × 16 | |
| Kích thước tối đa tinh thể | 40 × 40 × 5 mm 3 | |
| chú thích | mẫu điện cực khác cũng có thể có sẵn | |
8 × 8 điểm ảnh lắp ráp máy dò CZT tiêu chuẩn
8 × 8 điểm ảnh lắp ráp máy dò CZT tiêu chuẩn
| 1,3 dò CZT Co-Planar Lưới |
| Đặc tính kỹ thuật |
| HV: 1000 V ~ + 3000V |
| phạm vi năng lượng: 50 keV ~ 3 MeV |
| Điều hành Phạm vi nhiệt độ: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
| độ phân giải năng lượng điển hình: <4% @ 662 keV |
| Đỉnh-to-Compton tỷ lệ: 3 ~ 5 |
| Kích thước chuẩn (mm 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10 |
| 1,4 CZT bán cầu Detector | ||
|
HV: 200 V ~ 1000 V |
Điều hành Phạm vi nhiệt độ: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
|
| phạm vi năng lượng: 50 keV ~ 3 MeV | độ phân giải năng lượng điển hình: <3% @ 662 keV | |
| Kích thước chuẩn (mm 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2.5, 10 × 10 × 5 | ||
At present, two important development directions of CZT detector are multiple large-volume parallel detectors and surface element array detectors. The former is composed of multiple CdZnTe crystal arrays with a volume greater than 1cm. This type of detector solves the shortcomings of a single detector, which is small in size and low in total detection efficiency, and greatly shortens the measurement time. It is especially suitable for portable spectrometer systems and can be used for radioactive monitoring in the environment, port, railway cargo, etc. The latter is composed of a CdZnTe crystal face element array, and this CZT detector technology is mainly used in energy spectrum imaging in nuclear medicine, astrophysics and other fields.
The development and use of CZT detector has made it possible to obtain high-efficiency photons with high performance. With the continuous improvement of high-quality CdZnTe semiconductor crystal preparation technology, further understanding of the carrier collection process and the development of rapid low-noise microelectronics, CdZnTe detector will surely be applied in a wider fields.
SPCW Wide Range Radiation Doses Module
α/β/γ-ray Differentiation Detector
CZT High Resolution Pixel Detector
CZT Photon Counting Linear Array Detector
Multi-pixel Spectral Imaging Module
CZT Multi-Pixel Photon Counting Module
X-ray Photon Counting Imaging System
CZT High-Density Pixel Detector
Charge Sensitive Pre-amplifier Chip
Charge Sensitive Pre-amplifier
Portable Diagnostic Spectrum Analyzer
MXA-128 X–ray Photon Counting Imaging System
Bạn cũng có thể thích…
-
Ge (Gecmani) Crystal Độc thân và Quế
PAM-XIAMEN cung cấp tấm wafer germanium 2 ”, 3”, 4 ”và 6”, viết tắt của Ge wafer do VGF / LEC trồng. Tấm wafer Germanium loại P và N pha tạp nhẹ cũng có thể được sử dụng cho thí nghiệm hiệu ứng Hall. Ở nhiệt độ phòng, gecmani tinh thể giòn và ít dẻo. Gecmani có đặc tính bán dẫn. Gecmani có độ tinh khiết cao được pha tạp với các nguyên tố hóa trị ba (như indium, gali, bo) để thu được chất bán dẫn germani loại P; và các nguyên tố pentavalent (như antimon, asen và phốt pho) được pha tạp để thu được chất bán dẫn germani loại N. Gecmani có đặc tính bán dẫn tốt, chẳng hạn như tính linh động điện tử cao và tính linh động lỗ trống cao. -
GaAs (Gallium Arsenide) Quế
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
-
chất nền GaN freestanding
PAM-Hạ Môn đã thành lập các công nghệ sản xuất cho freestanding (gallium nitride) GaN chất nền wafer, mà là cho UHB-LED và LD. Phát triển bằng công nghệ hydride pha hơi epitaxy (HVPE), bề mặt GaN chúng tôi có mật độ khuyết tật thấp.
-
Inas wafer
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.
-
CdZnTe (CZT) Wafer
Cadmium Kẽm Telluride (CdZnTe hoặc CZT) là một chất bán dẫn mới, cho phép chuyển đổi bức xạ để electron có hiệu quả, nó được sử dụng chủ yếu trong hồng ngoại màng mỏng epitaxy bề mặt, máy dò tia X và thiết bị dò tia gamma CdZnTe. -
SiC epitaxy
Chúng tôi cung cấp phim tùy chỉnh mỏng (silicon carbide) SiC epitaxy trên 6H hoặc 4H chất nền cho sự phát triển của các thiết bị silicon carbide. SiC epi wafer được sử dụng chủ yếu cho điốt Schottky, oxit kim loại bán dẫn transistor hiệu ứng trường, hiệu ứng trường ngã ba -
Kiểm tra Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer
Là nhà sản xuất wafer giả, PAM-XIAMEN cung cấp wafer giả silicon / wafer thử nghiệm / wafer giám sát, được sử dụng trong thiết bị sản xuất để cải thiện độ an toàn trong giai đoạn đầu của quy trình sản xuất và được sử dụng để kiểm tra và đánh giá hình thức quy trình. Vì các tấm silicon giả thường được sử dụng để thử nghiệm và kiểm tra, nên kích thước và độ dày của chúng là những yếu tố quan trọng trong hầu hết các trường hợp. Có sẵn tấm wafer giả 100mm, 150mm, 200mm hoặc 300mm.
-
Thợ chụp ảnh chế tạo nano
PAM-Hạ Môn Cung cấp tấm cản quang với cản quang
