CZT Detector
PAM-XIAMEN cung cấp một loạt các sản phẩm CZT, bao gồm máy dò, mô-đun, đầu dò, hệ thống, bộ khuếch đại, máy phân tích, nguồn cung cấp và lò nung.
- Sự miêu tả
Mô Tả Sản Phẩm
Một dòng sản phẩm phong phú của CZT có thể được cung cấp bởi PAM-XIAMEN, bao gồm máy dò CZT, mô-đun CZT, đầu dò CZT, hệ thống CZT, bộ khuếch đại CZT, máy phân tích CZT, nguồn cung cấp CZT và lò tăng trưởng tinh thể. Tìm thêm chi tiết sản phẩm, vui lòng xem bên dưới:
1. Máy dò CZT
1.1CZT Pixilated Detector (old)
1.7CZT High Resolution Pixel Detector (old)
1.8Máy dò mảng tuyến tính đếm photon CZT
1.9Máy dò hình ảnh CZT Compton
1.10Máy dò điểm ảnh mật độ cao CZT
2. Mô-đun CZT
2.2Mô-đun liều bức xạ phạm vi rộng SPCW
2.3 Mô-đun hình ảnh quang phổ nhiều điểm ảnh
2,4 Mô-đun đếm photon nhiều điểm ảnh CZT
3. Đầu dò CZT
3.2Probe CZT
3.4Đầu dò CZT-2
4. Hệ thống CZT
4.1X-ray Photon Counting Imaging System (old)
4.2Hệ thống hình ảnh đếm photon tia X MXA-128
4.3Hệ thống hình ảnh đa pixel tia γ CZT
4.4 α-Ray Vacuum Testing System (new)
5. Bộ khuếch đại CZT
5.2Chip tiền khuếch đại nhạy cảm với sạc
5.3Tiền khuếch đại nhạy cảm với điện tích (old)
6. Máy phân tích CZT
6.1Analog Multi-channel Analyzer (old)
6.2Máy phân tích phổ chẩn đoán di động
6.3CZT Portable Spectrum Analyzer (old)
6.4 Digital Multi-Channel Analyzer (new)
7. Các sản phẩm CZT khác
7.2Crystal growth furnace (old)
7.3 CZT Portable Radionuclide Identifier (new)
Trong đó, đầu dò dựa trên CZT của PAM-XIAMEN bằng công nghệ đầu dò trạng thái rắn cho tia X hoặc tia gamma có độ phân giải năng lượng tốt hơn so với đầu dò dựa trên tinh thể kích động.Chúng tôi liệt kê các thông số kỹ thuật của CZT Planar Detector, CZT Pixilated Detector, CZT Co-Planar Gri Detector như sau, ví dụ:
| 1.1 Máy dò hạt CZT | ||
| Đặc tính kỹ thuật | ||
| Ứng dụng | SPECT, máy ảnh γ | hình ảnh X-ray |
| Nhiệt độ hoạt động | -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| độ phân giải năng lượng tiêu biểu | <6.5%@59.5 Kev | - |
| Tỷ lệ đếm | - | > 2M cps / pixel |
| ma trận tiêu biểu | Diện tích mảng dò: 8 × 8 | Diện tích mảng dò: 8 × 8 |
| Tuyến tính dò mảng: 1 × 16 | Tuyến tính dò mảng: 1 × 16 | |
| Kích thước tối đa tinh thể | 40 × 40 × 5 mm 3 | |
| chú thích | mẫu điện cực khác cũng có thể có sẵn | |
8 × 8 điểm ảnh lắp ráp máy dò CZT tiêu chuẩn
8 × 8 điểm ảnh lắp ráp máy dò CZT tiêu chuẩn
| 1.2 Máy dò phẳng CZT | |||
| Đặc tính kỹ thuật | |||
| HV | 200 V ~ 500 V | ||
| phạm vi năng lượng | 20 keV ~ 200 keV | ||
| Nhiệt độ hoạt động | -20 ℃ ~ 40 ℃ | ||
| Kích thước (mm 3) | 5 × 5 × 2 | 10 × 10 × 2 | |
| độ phân giải năng lượng @ 59,5 keV | lớp Counter | > 15% | > 15% |
| lớp phân biệt | 7% ~ 15% | 8% ~ 15% | |
| lớp phổ | <7% | <8% | |
| chú thích | kích thước khác cũng có thể được cung cấp | ||
lắp ráp 5 × 5 × 2mm 3 CZT tiêu chuẩn
lắp ráp 10 × 10 × 2mm 3 CZT tiêu chuẩn
| Đầu dò bán cầu 1.5 CZT | ||
|
HV: 200 V ~ 1000 V |
Điều hành Phạm vi nhiệt độ: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
|
| phạm vi năng lượng: 50 keV ~ 3 MeV | độ phân giải năng lượng điển hình: <3% @ 662 keV | |
| Kích thước chuẩn (mm 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2.5, 10 × 10 × 5 | ||
| Máy dò lưới đồng phẳng CZT |
| Đặc tính kỹ thuật |
| HV: 1000 V ~ + 3000V |
| phạm vi năng lượng: 50 keV ~ 3 MeV |
| Điều hành Phạm vi nhiệt độ: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
| độ phân giải năng lượng điển hình: <4% @ 662 keV |
| Đỉnh-to-Compton tỷ lệ: 3 ~ 5 |
| Kích thước chuẩn (mm 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10 |
Hiện tại, hai hướng phát triển quan trọng của máy dò CZT là nhiều máy dò song song khối lượng lớn và máy dò mảng phần tử bề mặt. Cái trước bao gồm nhiều mảng tinh thể CdZnTe với thể tích lớn hơn 1cm. Loại máy dò này giải quyết những thiếu sót của một máy dò đơn lẻ, có kích thước nhỏ và tổng hiệu quả phát hiện thấp, đồng thời rút ngắn đáng kể thời gian đo. Nó đặc biệt thích hợp cho các hệ thống quang phổ di động và có thể được sử dụng để theo dõi phóng xạ trong môi trường, cảng, hàng hóa đường sắt, v.v. Loại thứ hai bao gồm một mảng phần tử mặt tinh thể CdZnTe và công nghệ máy dò CZT này chủ yếu được sử dụng trong chụp ảnh quang phổ năng lượng trong y học hạt nhân, vật lý thiên văn và các lĩnh vực khác.
Việc phát triển và sử dụng máy dò CZT đã giúp thu được các photon hiệu suất cao với hiệu suất cao. Với sự cải tiến liên tục của chất lượng caoTinh thể bán dẫn CdZnTecông nghệ điều chế, sự hiểu biết sâu hơn về quy trình thu thập chất mang và sự phát triển nhanh chóng của vi điện tử có độ ồn thấp, máy dò CdZnTe chắc chắn sẽ được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực rộng lớn hơn.
Bạn cũng có thể thích…
-
SiC epitaxy
Chúng tôi cung cấp phim tùy chỉnh mỏng (silicon carbide) SiC epitaxy trên 6H hoặc 4H chất nền cho sự phát triển của các thiết bị silicon carbide. SiC epi wafer được sử dụng chủ yếu cho điốt Schottky, oxit kim loại bán dẫn transistor hiệu ứng trường, hiệu ứng trường ngã ba -
Chất cản quang chế tạo nano
PAM-Hạ Môn Cung cấp tấm cản quang với cản quang
-
GaAs (Gallium Arsenide) Quế
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
-
CdZnTe (CZT) Wafer
Cadmium Kẽm Telluride (CdZnTe hoặc CZT) là một chất bán dẫn mới, cho phép chuyển đổi bức xạ để electron có hiệu quả, nó được sử dụng chủ yếu trong hồng ngoại màng mỏng epitaxy bề mặt, máy dò tia X và thiết bị dò tia gamma CdZnTe. -
Kiểm tra Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer
Với tư cách là nhà sản xuất tấm bán dẫn giả, PAM-XIAMEN cung cấp tấm bán dẫn giả silicon / tấm bán dẫn thử nghiệm / tấm bán dẫn theo dõi, được sử dụng trong thiết bị sản xuất để cải thiện độ an toàn khi bắt đầu quy trình sản xuất và được sử dụng để kiểm tra giao hàng và đánh giá hình thức quy trình. Vì các tấm silicon giả thường được sử dụng để thử nghiệm và kiểm tra, nên kích thước và độ dày của chúng là những yếu tố quan trọng trong hầu hết các trường hợp. Có sẵn wafer giả 100mm, 150mm, 200mm hoặc 300mm.
-
chất nền GaN freestanding
PAM-Hạ Môn đã thành lập các công nghệ sản xuất cho freestanding (gallium nitride) GaN chất nền wafer, mà là cho UHB-LED và LD. Phát triển bằng công nghệ hydride pha hơi epitaxy (HVPE), bề mặt GaN chúng tôi có mật độ khuyết tật thấp.
-
Inas wafer
PAM-XIAMEN cung cấp wafer InAs bán dẫn hợp chất – wafer indium arsenide được phát triển bởi LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) dưới dạng cấp cơ học hoặc sẵn sàng cho epi với loại n, loại p hoặc bán cách điện theo các hướng khác nhau(111) hoặc (100). Ngoài ra, đơn tinh thể InAs có độ linh động điện tử cao và là vật liệu lý tưởng để chế tạo thiết bị Hall.
-
Ge (Gecmani) Crystal Độc thân và Quế
PAM-XIAMEN cung cấp wafer germani 2”, 3”, 4” và 6”, viết tắt của wafer Ge do VGF / LEC phát triển. Cũng có thể sử dụng wafer Germanium loại P và N pha tạp nhẹ cho thí nghiệm hiệu ứng Hall. Ở nhiệt độ phòng, gecmani kết tinh giòn và ít dẻo. Germanium có tính chất bán dẫn. Gecmani có độ tinh khiết cao được pha tạp với các nguyên tố hóa trị ba (chẳng hạn như indi, gali, bo) để thu được chất bán dẫn gecmani loại P; và các nguyên tố hóa trị năm (chẳng hạn như antimon, asen và phốt pho) được pha tạp để thu được chất bán dẫn germani loại N. Germanium có các đặc tính bán dẫn tốt, chẳng hạn như độ linh động của điện tử cao và độ linh động của lỗ trống cao.
