Hệ thống hình ảnh đa điểm ảnh CZT Z-ray

Hệ thống hình ảnh đa điểm ảnh CZT Z-ray

CZT γ-ray multi-pixel imaging system of PAM-XIAMEN adopts a imaging module of multi-pixel energy spectrum. It can be spliced into a 5×5 array without any blind spots. A total of 6,400 pixels make up a 127x127mm CZT (Cadmium Zinc Telluride) detector square. The system can read energy spectrum data. Connect through the TCP/IP interface with the host computer, data processing, image analysis and parameter setting can be performed.

Hệ thống hình ảnh đa điểm ảnh CZT Z-ray

1. Specification of CZT γ-ray Multi-pixel Imaging System

Dimension 260×190×70mm3
Pixel size 1.5×1.5mm2
Pixel quantity 256/module
Energy range 20~700KeV
Energy resolution 90% pixel <6.5%@122keV
Powered by DC+12V
Power consumption <6W
Communication interface Ethernet
Scalable Condition Scalable
Operating temperature +10~+40℃

 

2. Features of Imaging System of CZT γ-ray Multi-pixel:

High energy resolution;

Working at room temperature;

Various collimator are acceptable;

Free combination splicing within 5×5 arrays;

Good electromagnetic shielding performance.

3. CZT γ-ray Multiple Pixels Imaging System Software Interface

CZT γ-ray multi-pixel Imaging system

 

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.

2021-07-19

Chia sẻ bài đăng này

có liên quan Bài viết

ITO/ZnO coated Sodalime Glass

PAM XIAMEN offers ITO/ZnO coated Sodalime Glass. ITO/ZnO Coated Glass Substrate 1″ x 1″ x 0.7 mm, ITO Film=100nm, ZnO film=50nm ITO/ZnO Coated Sodalime Glass   ITO film=100nm,ZnO film=50nm  Dimension:  1″  x 1″  x 0.7 mm Resistivity:  N/A ITO film=100nm,ZnO film=50nm  For more information, please visit our website: [...]

2019-04-28siêu tác giả
2″ Silicon Wafer-12

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [100] 2″ 280 P/E 0.5-0.6 Prime, NO Flats p-type Si:B [100] 2″ 280 P/E 0.08-0.10 SEMI Prime p-type Si:B [100] 2″ 1000 P/E 0.073-0.090 SEMI Prime, p-type Si:B [100] 2″ 250 P/P 0.02-0.04 SEMI Prime p-type Si:B [100] 2″ 225 P/P 0.015-0.020 SEMI Prime p-type Si:B [100] 2″ 1000 P/P 0.015-0.045 SEMI Prime, p-type Si:B [100] 2″ 280 P/P 0.008-0.095 SEMI Prime p-type Si:B [100-4°] 2″ 300 P/P 0.003-0.004 SEMI Prime, p-type Si:B [100-6° towards[110]] 2″ 300 P/E 0.0026-0.0029 SEMI Prime p-type Si:B [100] 2″ 300 P/E 0.0023-0.0029 SEMI Prime p-type Si:B [100] 2″ 250 P/P 0.001-0.006 SEMI Prime, p-type Si:B [100-6° towards[110]] 2″ 275 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime, p-type Si:B [100] 2″ 280 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime, p-type Si:B [100] 2″ 300 P/E 0.001-0.005 Prime, NO Flats p-type Si:B [100] 2″ 500 P/P 0.001-0.005 SEMI Prime, p-type Si:B [111-10° towards[112]] 2″ 300 P/E 20-25 SEMI Prime p-type Si:B [111] 2″ 380 P/P 10-20 SEMI Prime p-type Si:B [111-2° towards[112]] 2″ 1000 P/P 10-30 SEMI Prime p-type Si:B [111] 2″ 500 P/P 2.4-2.6 SEMI Prime p-type [...]

2019-03-07siêu tác giả
Silicon Ingots -2

Silicon Ingots -2 PAM XIAMEN offers Silicon Ingots. Below is just a short list. Contac us if you need other specs!       All diameters! Note: Material – CZ unless noted Kg in Properties of Silicon Stock Silicon Ingots Material Description 19.35 FZ SCRAP material n-type, Ro: 1,000-10,000 Ohmcm 5.6 FZ SCRAP material Intrinsic, Ro: >10,000 Ohmcm 5.12 6″Ø ingot [...]

2019-02-15siêu tác giả
Tại sao chế tạo thiết bị HEMT trên chất nền bán cách điện?

Bằng cách phân tích MOSFET, người ta biết rằng việc chuyển đổi có thể được thực hiện bằng cách kiểm soát sự thay đổi của điểm nối PN. Transistor hiệu ứng trường Loại Tên Nguyên lý FET JFET Mối nối PN MOSFET Chất bán dẫn oxit kim loại MESFET Chất bán dẫn kim loại Mối nối Schottky MODFE Doping điều chế HEMT Độ linh động điện tử cao Trên thực tế, mối nối Schottky có thể được hiện thực hóa thông qua một cấu trúc khác. Các định nghĩa về mối nối Bắt đầu từ […]

2021-04-02siêu tác giả
Thanh trần LD cho 780nm@cavity 2,5mm

PAM XIAMEN cung cấp LD Bare Bar cho 780nm@cavity 2,5mm. Thương hiệu: PAM-XIAMEN Bước sóng: 780nm Hệ số lấp đầy: 38% Công suất đầu ra: 80W Chiều dài khoang: 2,5mm Để biết thêm thông tin, vui lòng truy cập trang web của chúng tôi: https://www.powerwaywafer.com, gửi email cho chúng tôi theo địa chỉ sales@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com Được thành lập vào năm 1990, Công ty Vật liệu Cao cấp Hạ Môn Powerway, […]

2019-05-09siêu tác giả
4″ Silicon Wafer-1

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 100 N Phos CZ -100 1-20 43768 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 40-60 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 80-100 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 180-200 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 300-350 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 300-350 P/E PRIME 100 N Phos CZ -100 350-400 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 1-3 350-400 P/P PRIME 100 N As CZ -100 .001-.005 375-425 P/P PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 375-425 P/E PRIME 100 N Phos CZ -100 450-500 P/P PRIME 100 N As CZ -100 .001-.005 450-500 P/P PRIME 100 N Sb CZ -100 .005-.02 450-500 P/P PRIME 100 N Phos FZ -100 >3000 450-500 P/P PRIME 100 N As CZ -100 .001-.005 500-550 P/E PRIME 100 N Sb CZ -100 .005-.02 500-550 P/E PRIME 100 N Phos FZ -100 >3000 500-550 P/E PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 500-550 P/E PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 500-550 P/E/DTOx PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 500-550 P/E/Ni PRIME 100 N Phos CZ -100 1-20 500-550 P/E/OX PRIME For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China.PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, [...]

2019-03-04siêu tác giả