tính chất điện tử và từ GaN / MnN / GaN và MnN / GaN / MnN interlayers

tính chất điện tử và từ GaN / MnN / GaN và MnN / GaN / MnN interlayers

Trong nghiên cứu này, chúng tôi thực hiện các phép tính tính toán để điều tra các thuộc tính cấu trúc, điện tử và từ của interlayers GaN / MnN / GaN và MnN / GaN / MnN. Các tính toán được thực hiện bằng một phương pháp dựa trên pseudopotentials, như triển khai trong mã Quantum ESPRESSO. Đối với các mô tả về sự tương tác electron-electron, khái quát hóa độ dốc xấp xỉ (GGA) được sử dụng. tổng Việc tính toán năng lượng tiết lộ rằng GaN /MnN / GaN xen là hăng hái thuận lợi nhất mà MnN / GaN / MnN. Phân tích mật độ của các quốc gia cho thấy interlayers có hành vi kim loại mà đến chủ yếu từ việc lai phân cực khẳng định Mn-d và Np vượt mức Fermi. Các interlayers có tính chất từ ​​với một mô men từ của 8μβ / cell. Do những thuộc tính siêu mạng có thể có khả năng sử dụng trong lĩnh vực điện tử học spin.

Nguồn: IOPscience

Để biết thêm thông tin, vui lòng truy cập trang web của chúng tôi:https://www.powerwaywafer.com,
gửi cho chúng tôi email tạisales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

Chia sẻ bài này