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Thanks to MOCVD and MBE technology,PAM-XIAMEN, a epitaxial wafer supplier, offers epitaxial wafer products, including GaN epitaxial wafer, GaAs epitaxial wafer, SiC epitaxial wafer, InP epitaxial wafer, and now we give a brief introduction as follows:
1)GaN epitaxial growth on sapphire template; | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Conduction Type: Si doped (N+) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Thickness:4um,20um,30um,50um,100um | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Orientation: c-axis (0001) ± 1.0° | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Resistivity: <0.05 Ohm.cm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Dislocation Density:<1x108cm-2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Substrate Structure: GaN on Sapphire(0001) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Front Surface Finish (Ga-face): As-grown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Back Surface Finish: SSP or DSP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Usable Area: ≥ 90 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Available Sizes: 2” (50.8 mm), 3” (76.2 mm) and 4” (100 mm) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Available Grades: Production, Research and Rider | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2)AlN epitaxial growth on sapphire template; | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Conduction Type: semi-insulating | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Thickness:50-1000nm+/- 10% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Orientation: C-axis(0001)+/-1O | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Orientation Flat:A-plane | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XRD FWHM of (0002):<200 arcsec | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Substrate Structure: AlN on sapphire | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Back Surface Finish: SSP or DSP,epi-ready | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Usable Area: ≥ 90 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Available Sizes: 2” (50.8 mm), | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Available Grades: Production, Research and Rider | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3)AlGaN epitaxial growth on sapphire, including HEMT structure; | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Conduction Type: semi-insulating | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Thickness:50-1000nm+/- 10% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Orientation: C-axis(0001)+/-1O | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Orientation Flat:A-plane | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XRD FWHM of (0002):<200 arcsec | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Substrate Structure: AlGaN on sapphire | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Back Surface Finish: SSP or DSP,epi-ready | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Usable Area: ≥ 90 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Available Sizes: 2” (50.8 mm), | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Available Grades: Production, Research and Rider | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4)LT-GaAs epi layer on GaAs substrate | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Diamater(mm):Ф 50.8mm ± 1mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Thickness:1-2um or 2-3um | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Marco Defect Density:≤ 5 cm-2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Resistivity(300K):>108 Ohm-cm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Carrier:<0.5ps | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Dislocation Density:<1x106cm-2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Useable Surface Area:≥80% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Polishing:Single side polished | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Substrate:GaAs substrate | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5)GaAs Schottky Diode Epitaxial Wafers
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6)GaAs HEMT epi wafer |
1) 4″ SI substrate GaAs with [100] orientation, |
2) [buffer] superlattice of Al(0.3)Ga(0.7)As/GaAs with thicknesses |
10/3 nm, repeat 170 times, |
3) barrier Al(0.3)Ga(0.7)As 400 nm, |
4) quantum well GaAs 20 nm, |
5) spacer Al(0.3)Ga(0.7)As 15 nm, |
6) delta-doping with Si to create electron density 5-6*10^11 cm^(-2), |
7) barrier Al(0.3)Ga(0.7)As 180 nm, |
8) cap layer GaAs 15nm. |
7)InP epitaxial wafer: |
InP Substrate: |
P/E 2″dia×350+/-25um, |
n-type InP:S |
(100)+/-0.5°, |
EDP<1E4/cm2. |
One-side-polished, back-side matte etched, SEMI Flats. |
EPI layer : |
Epi 1: InGaAs:(100) |
Thickness:100nm, |
etching stop layer |
Epi 2: InP:(100) |
Thickness:50nm, |
bonding layer |
8)Blue LED wafer |
p-GaN/p-AlGaN/InGaN/GaN/n-GaN/u-GaN |
p-GaN 0.2um |
p-AlGaN 0.03um |
InGaN/GaN(active area) 0.2um |
n-GaN 2.5um |
Etch stop 1.0um |
u- GaN (buffer) 3.5um |
Al2O3 (Substrate) 430um |
9)Green LED wafer |
1.Sapphire substrate:430um |
2.Buffer layer:20nm |
3.Undoped GaN:2.5um |
4.Si doped GaN 3um |
5.Quantum well light emtting area:200nm |
6.Electron barrier layer 20nm |
7.Mg DOPED GaN 200nm |
8.Surface contact 10nm |
Source: PAM-XIAMEN |
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