MIỄN PHÍ THƯỜNG GAN SINGLE CRYSTAL NỀN

MIỄN PHÍ THƯỜNG GAN SINGLE CRYSTAL NỀN

PAM XIAMEN offers Free Standing GaN Single Crystal Substrates with LED grade and LD grade for research or mass production, and our GaN crystal substrates has low dislocation density<=10^5 /cm2 without visible micro defects, the substrate has uniform smooth surface for epi-growth. Below carrier type are available: N-type, P-type, Semi-insulating, orientation includes C-plane, M-plane, A-plane,etc. Size from 5*10mm2 square to 4 inch diameter. Please see below spec list:

1. Specifications of Freestanding GaN Substrates

Các bề mặt đơn tinh thể GaN đơn lẻ 4 inch không bị biến dạng, sẵn sàng Epi
Các chất nền tinh thể đơn pha tạp SiN pha tạp 4 inch trên trục, sẵn sàng Epi
Các chất nền GaN đơn tinh thể bán cách điện Fe pha tạp 4 inch trên trục, sẵn sàng cho Epi
Các chất nền tinh thể đơn GaN không pha tạp 2 inch trên trục, sẵn sàng cho Epi
Các chất nền tinh thể đơn pha tạp SiN pha tạp 2 inch trên trục, sẵn sàng cho Epi
Các chất nền GaN đơn tinh thể bán cách điện Fe pha tạp 2 inch trên trục, sẵn sàng Epi

Các bề mặt đơn tinh thể GaN đơn lẻ trên trục 10 * 10 mm2, sẵn sàng Epi
Các chất nền đơn tinh thể GaN đơn trục 10 * 10 mm2 Si-GaN, sẵn sàng Epi
Các chất nền đơn tinh thể GaN đơn trục 10 * 10 mm2 N-GaN, sẵn sàng Epi
Một mặt phẳng đơn tinh thể GaN đơn tinh thể 5 * 10 mm2 không pha tạp, sẵn sàng Epi
Một mặt phẳng 5 * 10 mm2 N-GaN Các đơn tinh thể đơn GaN, sẵn sàng cho Epi
Một mặt phẳng 5 * 10 mm Chất nền tinh thể đơn GaN bán cách điện, sẵn sàng cho Epi
M Máy bay 5 * 10 mm2 Không pha tạp GaN đơn tinh thể Chất nền, sẵn sàng Epi
M Máy bay 5 * 10 mm2 N-GaN Các đơn tinh thể đơn GaN, sẵn sàng Epi
M Máy bay 5 * 10 mm2 Chất nền đơn tinh thể GaN bán cách điện, sẵn sàng Epi
(10-11) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Không pha tạp GaN đơn tinh thể Chất nền, sẵn sàng Epi
(10-11) Máy bay 5 * 10 mm2 N-GaN Chất nền đơn tinh thể GaN, sẵn sàng Epi
(10-11) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Chất nền đơn tinh thể GaN bán cách điện, sẵn sàng cho Epi
(11-22) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Không pha trộn GaN đơn tinh thể Chất nền, sẵn sàng Epi
(11-22) Máy bay 5 * 10 mm2 N-GaN Chất nền đơn tinh thể GaN, sẵn sàng Epi
(11-22) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Chất nền đơn tinh thể GaN bán cách điện, sẵn sàng cho Epi
(20-21) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Không pha trộn GaN đơn tinh thể Chất nền, sẵn sàng Epi
(20-21) Máy bay 5 * 10 mm2 N-GaN Chất nền đơn tinh thể GaN, sẵn sàng Epi
(20-2-1) Máy bay 5 * 10 mm2 N-GaN Các chất nền đơn tinh thể đơn nhất, sẵn sàng cho Epi
(20-21) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Chất nền tinh thể đơn GaN bán cách điện, sẵn sàng cho Epi
(20-2-1) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Không pha trộn GaN đơn tinh thể Chất nền, sẵn sàng Epi
(20-2-1) Mặt phẳng 5 * 10 mm2 Chất nền đơn tinh thể GaN bán cách điện, sẵn sàng cho Epi

2. FAQ of Free Standing GaN Wafers

Q1: What is the approximate bending radius of crystal face of freestanding GaN? Because the bow of silicon wafer generally refers to the bending of the physical plane of the wafer, and if GaN is prepared by HVPE method, there will be warping of the crystal plane, and the c plane is not flat. In fact, I want to ask what kind of bow value is? Is it the definition of silicon wafer or the definition of GaN wafer?

A: The bending radius of crystal face of freestanding GaN is generally expressed as BOW<25UM. The BOW of GaN wafer refers to the BOW of silicon wafer, and the crystal plane bending is not the same as the BOW.

Q2: What method is used to measure the defect density of FS GaN wafer?

A: The defect density of free standing GaN wafer is measured by CL means.

Q3: Are your GaN freestanding substrates made by HVPE method?

A: Yes, the GaN FS substrates are grown by HVPE.

Q4: Can we clarify what the difference on the FS GaN (0001) substrates is between the different grades as you quote below. Are you stating here that on each piece there will be less than the specified number of holes and pits and that each of the holes and pits is typically of that area size? So for example for research C grade, on a piece there will be less than 30 holes and pits that each have an area of 1500um?

FS GaN Specs

A: Different grades of free standing GaN substrate just depends on pits and holes numbers. The number we indicated is amount of holes and pits, taking C grade as an example, maybe hole 10 and pits 15, total<30.

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.

2019-03-11

Chia sẻ bài này

có liên quan Bài viết

How to Improve the Hole Injection Efficiency of DUV LEDs?

The wide band gap semiconductor materials represented by GaN and SiC have the advantages of fast electron saturation drift and strong radiation resistance, and have a wide range of applications in solid-state lighting, electronic power and mobile communications. Among them, solid-state lighting is of [...]

2022-07-13meta-tác giả
4″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 100 P Boron CZ -100 1-20 43768 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 40-60 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 80-100 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 180-200 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 300-350 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 300-350 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 350-400 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 375-425 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 .001-.005 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 .005-.02 450-500 P/P PRIME 100 P Boron FZ -100 >3000 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 .001-.005 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 .005-.02 500-550 P/E PRIME 100 P Boron FZ -100 >3000 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E/DTOx PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E/Ni PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E/WTOx 100 P Boron CZ -100 1-20 950-1050 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 950-1050 P/P PRIME For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China.PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, [...]

2019-03-04meta-tác giả
What Is Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) ?

The vibrational energy of the molecule is larger than the rotational energy. When the vibrational energy level transition occurs, it is inevitably accompanied by the transition of the rotational energy level, so the pure vibrational spectrum cannot be measured, but only the vibrational-rotational spectrum [...]

2022-06-08meta-tác giả
Chất nền và lá kim loại Tatalum (Đa tinh thể)

PAM XIAMEN offers Tatalum Metal Substrate & Foil ( Polycrystalline ). General Properties  for Tantalum Symbol                   Ta Atomic Number      73 Atomic Weight:      180.95 Density:                16.69 g/cm3 Melting Point:        2996 °C Boiling Point:       5425+/-100 °C Ta – Tantalum Polycrystalline Metallic Foil: 0.05mm thick x 200mm Width x 400 [...]

2019-05-20meta-tác giả
Bánh xốp silicon 2 inch-3

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 50.8 P Boron CZ -100 1-20 140-160 P/P PRIME 50.8 P Boron FZ -100 >1000 200-500 P/P PRIME 50.8 P Boron FZ -100 >3000 225-275 P/P PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 225-275 P/P PRIME 50.8 P Boron CZ -100 .001-.005 250-300 P/E PRIME 50.8 P Boron CZ -100 .005-.02 250-300 P/E PRIME 50.8 P Boron FZ -100 >3000 250-300 P/E PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 250-300 P/E PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 250-300 P/E/DTOx PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 250-300 P/E/Ni PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 250-300 P/E/OX PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 250-300 P/E/WTOx 50.8 P Boron CZ -100 .001-.005 275-325 P/E PRIME 50.8 P Boron CZ -100 450-500 P/P PRIME 50.8 P Boron FZ -100 4000-10000 475-525 P/P PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 950-1000 P/P PRIME 50.8 P Boron CZ -100 1-20 1000-1050 P/E PRIME 50.8 P Boron CZ -111 1-20 225-275 P/P PRIME 50.8 P Boron CZ -111 1-20 250-300 P/E PRIME For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China.PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, [...]

2019-02-27meta-tác giả
Hybrid Chips of Gallium Nitride and Silicon

Hybrid Chips of Gallium Nitride and Silicon Researchers at MIT say they’ve made a big step toward combining the capabilities of the silicon used in computer chips with properties of the compound semiconductors found in lasers and high-powered electronics. In the October issue of IEEE Electron [...]

2014-08-11siêu tác giả , , ,