Tấm wafer Epi cho đi-ốt Laser

Epi Wafer for Laser Diode

Tấm wafer epitaxis LD dựa trên GaAs, có thể tạo ra phát xạ kích thích, được sử dụng rộng rãi để chế tạo diode laser vì đặc tính wafer epiticular GaAs vượt trội giúp thiết bị tiêu thụ năng lượng thấp, hiệu suất cao, tuổi thọ cao, v.v. Ngoài wafer gallium arsenide LD epi , vật liệu bán dẫn thường được sử dụng là cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP) và kẽm sulfide (ZnS).

Thể loại: Tấm wafer Epi cho đi-ốt Laser

Description

Sự miêu tả

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), nhà cung cấp tấm wafer epiticular LD, tập trung vào các tấm epi diode laser dựa trên GaAs và InP được phát triển bởi lò phản ứng MOCVD để truyền thông cáp quang, ứng dụng công nghiệp và sử dụng cho mục đích đặc biệt. PAM-XIAMEN có thể cung cấp tấm wafer epit Wax LD dựa trên chất nền GaAs cho nhiều lĩnh vực khác nhau, như VCSEL, hồng ngoại, máy dò ảnh, v.v. Thông tin chi tiết về vật liệu wafer epit Wafer LD, vui lòng tham khảo bảng bên dưới:

Vật liệu nền	Khả năng vật liệu	Bước sóng	Ứng dụng
GaAs	GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP	635nm
	GaAs dựa trên Epi-wafer	650nm	Laser phát ra bề mặt khoang dọc (VCSEL) RCLED
	GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP	660nm
	GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs	703nm
	GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP	780nm
	GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP	785nm
	GaAs dựa trên Epi-wafer	800-1064nm	LD hồng ngoại
	GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP	808nm	LD hồng ngoại
	GaAs dựa trên Epi-wafer	850nm	Laser phát ra bề mặt khoang dọc (VCSEL) RCLED
	GaAs dựa trên Epi-wafer	<870nm	máy dò ảnh
	GaAs dựa trên Epi-wafer	850-1100nm	Laser phát ra bề mặt khoang dọc (VCSEL) RCLED
	GaAs/AlGaAs/GaInAs/AlGaAs/GaAs	905nm
	GaAs/AlGaAs/InGaAs/AlGaAs/GaAs	950nm
	GaAs dựa trên Epi-wafer	980nm	LD hồng ngoại
	Epi-wafer dựa trên InP	1250-1600nm	Máy dò ảnh tuyết lở
	GaAs dựa trên Epi-wafer	1250-1600nm/>2.0um (Lớp hấp thụ InGaAs)	máy dò ảnh
	GaAs dựa trên Epi-wafer	1250-1600nm/<1.4μm (Lớp hấp thụ InGaAsP)	máy dò ảnh
	Epi-wafer dựa trên InP	1270-1630nm	DFB Laser
	Chất nền GaAsP/GaAs/GaAs	1300nm
	Epi-wafer dựa trên InP	1310nm	FP tia laser
	Chất nền GaAsP/GaAs/GaAs	1550nm	FP tia laser
		1654nm
	Epi-wafer dựa trên InP	1900nm	FP tia laser
		2004nm

Giới thiệu về ứng dụng và thị trường wafer LD Epitaxy

Các ứng dụng của wafer epitaxy LD dựa trên GaAs trong trường laser có thể được chia thành VCSEL và không phải VCSEL. Các ứng dụng epit Wax LD dựa trên GaAs hiện nay chủ yếu nằm ở VCSEL. VCSEL (Laser phát ra bề mặt khoang dọc), dựa trên vật liệu GaAs, chủ yếu được sử dụng để nhận dạng khuôn mặt. Dự kiến sẽ có tốc độ tăng trưởng cao trong thời gian tới. EEL (Edge Emit Laser) là thiết bị không phải VCSEL, chủ yếu được sử dụng trong lĩnh vực lidar ô tô và nhu cầu dự kiến sẽ tăng lên cùng với sự mở rộng của thị trường ô tô không người lái.

Chất nền GaAs được sử dụng trong lĩnh vực laser đòi hỏi các chỉ số kỹ thuật cao và giá wafer epiticular đơn vị cao hơn đáng kể so với các lĩnh vực khác. Không gian thị trường epiticular LD trong tương lai có thể được mong đợi. Các ứng dụng laser nhạy cảm nhất với mật độ trật khớp. Có yêu cầu cao đối với vật liệu nền GaAs trong các ứng dụng laser. Do đó, yêu cầu cao hơn được đặt ra đối với các nhà sản xuất tấm wafer epiticular LD và quy trình wafer epiticular LD. Hiện nay, laser bán dẫn dải hồng ngoại gần (760 ~ 1060nm) dựa trên chất nền GaAs có sự phát triển trưởng thành nhất và ứng dụng rộng rãi nhất và nó đã được thương mại hóa.

Nhận xét:
Chính phủ Trung Quốc đã công bố các giới hạn mới đối với việc xuất khẩu vật liệu Gallium (như GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs và GaSb) và vật liệu Germanium dùng để sản xuất chip bán dẫn. Bắt đầu từ ngày 1 tháng 8 năm 2023, chúng tôi chỉ được phép xuất khẩu những nguyên liệu này nếu có giấy phép của Bộ Thương mại Trung Quốc. Rất mong sự thông cảm và hợp tác của bạn!

Vui lòng xem thông số kỹ thuật chi tiết bên dưới của wafer epitaxy LD:

Chip wafer laser VCSEL

Tấm wafer Epi Laser của VCSEL

wafer đi-ốt laser 703nm

Đi-ốt laser 808nm epi wafer-1

wafer đi-ốt laser 780nm

wafer đi-ốt laser 650nm

wafer đi-ốt laser 785nm

Đi-ốt laser 808nm epi wafer-2

wafer đi-ốt laser 850nm

wafer đi-ốt laser 905nm

wafer đi-ốt laze 940nm