PAM-XIAMEN, one of leading gallium arsenide wafer manufacturers, can offer Gallium Arsenide(GaAs) wafer with high mobility. Normally mobility of n type/Si doped GaAs is above 1000cm2/V.s, mobility of p type/Zn doped GaAs is above 50~120cm2/V.s,and mobility of undoped GaAs is require to above 3500cm2/V.s, but we can select material and get high mobility >4500 or >5000cm2/V.s even if necessary.
1. Specification of 4-inch Gallium Arsenide(GaAs) wafer with high mobility:
Phương pháp: VGF
Đường kính: 100,0 ± 0,2 mm
Type: S-I, c doped
Định hướng: (100) ± 0,3 ° về phía (110)
Điện trở suất:> 0,8 * 10 ^ 8 Ohm * cm
Vận động: 4800cm2 / (V * s)
EPD: <= 800 cm-2
Độ dày: 600 ± 25 um
BOW: <= 4 um
Warp: <= 5 um
TTV: <= 3 ô
TIR: <= 3 um
LFPD: <= 1 um
LTV: <= 1,5um
PLTV:> 90% trên hình vuông 15 * 15mm
Các hạt: <100 cái / wafer (đối với kích thước hạt> 0,28 um), Haze <5ppm
OF: EJ [0-1-1] ± 0,5 ° / 32,5 ± 1,0mm
NẾU: EJ [0-1-1] ± 0,5 ° / 18.0 ± 1.0mm
Mặt trước: được đánh bóng, sẵn sàng
Mặt sau: đánh bóng
Laser Marking: ở mặt sau
2. Comparison between C doped GaAs Wafer and Si Doped GaAs Wafer
Compared with the undoped one, the mobility of the Si doped Gallium Arsenide (GaAs) wafer is lower. More details, please see the table below:
| Parameter | Customer’s Requirements | Guaranteed/Actual Values | UOM | ||
| Growth Method: | VGF | VGF | |||
| Conduct Type: | S-C-N | S-C-N | |||
| Dopant: | GaAs-Si | GaAs-Si | |||
| Diameter: | 76.2±0.1 | 76.2±0.1 | mm | ||
| Orientation: | <100>±0.5° | <100>±0.5° | |||
| OF location/length; | EJ[0-1-1]±0.5°/22±2 | EJ[0-1-1]±0.5°/22±2 | |||
| IF location/length: | EJ[0-1 1]±0.5°/11±2 | EJ[0-1 1]±0.5°/11±2 | |||
| lngot CC: | Min: 0.5E18 | Max: 2.0E18 | Min: 0.6E18 | Max:2.0E18 | |
| Resistivity: | Min: 1E-3 | Min: 1.6E-3 | Max:4.2E-3 | Ohm*cm | |
| Mobility: | Min: 1500 | Min: 1810 | Max: 2407 | cm2/v-s | |
| EPD: | Max: 10000 | Min: 50 | Max: 300 | /cm2 | |
| Thickness: | 400±20 | 400±20 | um | ||
| TTV: | Max:10 | Max:10 | um | ||
| TIR: | Max:15 | Max:15 | um | ||
| Bow: | Max:15 | Max:15 | um | ||
| Warp: | Max:15 | Max:15 | um | ||
| Edge Rounding: | 0.25 | 0.25 | mmR | ||
| Laser Marking: | N/A | N/A | |||
| Surface Finish-front: | Polished | Polished | |||
| Surface Finish-back: | Etched | Etched | |||
Ghi chú: Tính cơ động đề cập đến tốc độ trôi trung bình của sóng mang được tạo ra dưới cường độ điện trường đơn vị. Tính cơ động đại diện cho độ dẫn của chất mang, được xác định bởi nồng độ chất mang. Độ linh động của vật liệu bán dẫn nói chung thường là 10 ^ 2-10 ^ 6 cm2 / V · s. Tính cơ động là một thông số quan trọng để mô tả chất bán dẫn. Độ cơ động càng cao, thiết bị chạy càng nhanh và tần số cắt càng cao. Khối lượng hiệu quả điện tử của Gallium Arsenide (GaAs) nhỏ hơn nhiều so với silicon, vì vậy GaAs được sử dụng để chế tạo các thiết bị tần số cao.
3. Applications of Gallium Arsenide(GaAs) Wafer with High Mobility
The electron mobility of gallium arsenide material is about 6 times that of silicon, and it has a direct band gap. Therefore, GaAs-based devices have high-frequency and high-speed optoelectronic properties relative to silicon-based devices. As a result, gallium arsenide wafers are widely used in the fields of optoelectronics and microelectronics, and are the key substrate material for making semiconductor light-emitting diodes and communication devices. Gallium arsenide(GaAs) wafer with high mobility makes small and medium power microwave devices lower power loss, so it occupies a dominant position in the fields of mobile phone communications, local area wireless networks, GPS and automotive radars.
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.