Gallium Nitride (GaN) là vật liệu cơ bản của đèn LED màu xanh lam và có các ứng dụng quan trọng trong đèn LED và laser cực tím.

PAM-XIAMEN có thể phát triển một cách đặc biệt các tấm GaN cho LED và LD. Để biết thêm thông số kỹ thuật wafer, vui lòng truy cập:https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html. Làm cách nào để chúng tôi phát triển GaN LED epiwafer trên sapphire?

Vui lòng nhấp vào liên kếthttps://youtu.be/uu0tCdmA10để xem quá trình phát triển tấm wafer GaN LED từ PAM-XIAMEN.

Công nghệ epitaxy mà chúng tôi áp dụng là MOCVD.

Đầu tiên, chất nền được xử lý ở nhiệt độ cao để làm sạch bề mặt.

Thứ hai, phát triển một lớp đệm khoảng 20-30nm ở nhiệt độ thấp do sự không phù hợp lớn giữa sapphire và GaN.

Thứ ba, phát triển lớp GaN loại N dày khoảng 4um chủ yếu làm lớp hoạt động, cung cấp các electron tái hợp bức xạ.

Sau đó, phát triển một tập hợp nhiều giếng lượng tử (MQW), có thành phần được xác định bởi lớp InGaN.

Điều chỉnh thành phần của indium trong MQW để đạt được bước sóng bạn muốn.

Hiệu quả tạo ra có thể được cải thiện bằng cách tối ưu hóa các tham số của MQW, chẳng hạn như số lượng giếng, độ dày định kỳ của giếng phân tử nhóm vật liệu và nồng độ pha tạp.

Sau đó, phát triển một lớp AlGaN loại P. Thành phần Al cao hơn có thể hạn chế sóng mang và cải thiện đáng kể hiệu suất phát sáng.

Cuối cùng, lớp biểu mô GaN loại P được phát triển để cung cấp các electron tái hợp bức xạ cho MQW.

Sau khi tăng trưởng epiticular, ủ là cần thiết để kích hoạt lớp P, hạ thấp điện áp.

Nhận xét:
Chính phủ Trung Quốc đã công bố các giới hạn mới đối với việc xuất khẩu vật liệu Gallium (như GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs và GaSb) và vật liệu Germanium dùng để sản xuất chip bán dẫn. Bắt đầu từ ngày 1 tháng 8 năm 2023, chúng tôi chỉ được phép xuất khẩu những nguyên liệu này nếu có giấy phép của Bộ Thương mại Trung Quốc. Rất mong sự thông cảm và hợp tác của bạn!

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.