Wafer dẫn điện dựa trên chất nền GAN số lượng lớn
PAM-XIAMEN offers high-quality GaN-on-GaN Wafer dẫn dắt vi môvới các tham số cụ thể như sau. GaN được công nhận rộng rãi là vật liệu cơ chất phù hợp nhất cho sự phát triển của màng epiticular. Việc sử dụng sự tăng trưởng epiticular đồng nhất về cơ bản giải quyết các vấn đề không phù hợp và sự không phù hợp về nhiệt thường gặp với các chất nền không đồng nhất. Bằng cách giảm thiểu sự căng thẳng gây ra bởi sự khác biệt về tính chất vật liệu trong quá trình tăng trưởng, GaN-on-Gan cho phép hình thành các lớp epiticular chất lượng cao chất lượng cao vượt trội so với các chất phát triển không đồng nhất.
1. Đặc điểm kỹ thuật của Wafer EPI đã dẫn vi mô trên đế GaN số lượng lớn
| Mục | Gan-on-Gan Micro-Let Epi Wafer cho ánh sáng xanh và xanh |
| Đường kính | 2 & 4 inch |
| bề mặt | |
| Chất liệu | N loại fs gan |
| Định hướng | Mặt phẳng C 0001） Tắt góc về phía trục m 0,55 ± 0,15 ° |
| Bề mặt hoàn thiện | SSP, DSP |
| Lớp Epi | |
| Kết cấu | pgan/mqws/ngan |
| Độ dày | 3,2 ± 0,5um |
| độ nhám bề mặt | <0,5nm |
| Mật độ trật khớp | 5 * 107cm-2 |
| Các hạt （> 20um) | <5pcs |
| Bước sóng | Màu xanh: 465 ± 10nm; Màu xanh lá cây: 525 ± 10nm |
| Bước sóng FWHMS | Màu xanh: <20nm; Màu xanh lá cây: <35nm |
2. So sánh giữa Wafer LED Gan-on-Sappphire và Gan-on-Gan
Việc lựa chọn chất nền đóng một vai trò quan trọng trong việc xác định hiệu suất của đèn LED dựa trên GAN. Hiện tại, lớp phát sáng trong đèn LED GAN thường bao gồm các vật liệu GaN và Indium gallium nitride (INGAN) và được phát triển trên các chất nền sapphire hoặc silicon.
Tuy nhiên, sự tăng trưởng dị vòng trên Sapphire hoặc Silicon đưa ra những thách thức đáng kể do sự không phù hợp không đổi mạng, dẫn đến mật độ khiếm khuyết cực kỳ cao (~ 109Tiết1010cm-²) Trong phim nitride. Những khiếm khuyết này góp phần làm giảm hiệu quả phát sáng LED và hiệu suất thiết bị tổng thể.
Các phép đo AFM (Hình 1) so sánh các lớp phát sáng LED màu xanh được phát triển trên chất nền Sapphire và GaN cho thấy sự khác biệt nổi bật. Trên các chất nền Sapphire, lớp phát sáng được đánh đố với các khuyết tật và khi độ dày của giếng lượng tử (QW) tăng từ 2,7nm lên 15nm, kích thước của các khuyết tật phát triển lớn hơn. Ngược lại, trên các chất nền GAN, ngay cả ở độ dày QW là 15nm, bề mặt vẫn ít khuyết tật và tương đối mịn.
Hình.
Hơn nữa, phân tích mặt cắt ngang TEM (Hình 2) của lớp phát quang Gan-on-Gan cho thấy giao diện giữa giếng lượng tử và hàng rào lượng tử vẫn mịn ngay cả ở độ dày 15nm QW. Điều này chỉ ra rằng các cấu trúc GaN-on-Gan đạt được chất lượng vật liệu vượt trội, không có vấn đề không phù hợp mạng phổ biến trong sự tăng trưởng của Gan-on-sapphire.
Hình 2 Mặt cắt TEM của lớp phát quang đèn LED màu xanh
Ngoài ra, Gan-on-Gan giảm thiểu các hiệu ứng trường phân cực gây ra bởi sự không phù hợp mạng, đây là một hạn chế khác của GaN-on-Sappphire. Bằng cách giảm các hiệu ứng này, GaN-on-Gan cải thiện hiệu quả lượng tử và hiệu suất LED tổng thể.
3. Ưu điểm của việc chuẩn bị thiết bị trên wafer vi mô Gan-on-Gan
Gan-on-Gan cung cấp một số lợi thế chính giúp tăng cường hiệu suất của thiết bị và đơn giản hóa các quy trình sản xuất:
1) Tính khả thi về cấu trúc dọc
Chất nền GAN loại N dẫn điện trong GaN-on-Gan cho phép sản xuất các cấu trúc dọc. Điều này giúp loại bỏ sự cần thiết của quá trình cắt bỏ laser cần thiết trong các cấu trúc dọc dựa trên sapphire, đơn giản hóa sản xuất, giảm chi phí và cải thiện năng suất.
2) Trích xuất ánh sáng nâng cao
Bề mặt mặt N ở mặt sau của chất nền GAN cho phép khắc ướt để tạo ra các cấu trúc kim tự tháp, cải thiện hiệu quả chiết nhẹ. Điều này rất quan trọng để tối ưu hóa độ sáng và hiệu quả của thiết bị, đặc biệt là trong đèn LED hiệu suất cao.
3) Độ đồng đều và độ sáng hiển thị vượt trội
Gan-on-Gan thể hiện sự đồng nhất hiển thị tốt hơn và độ sáng cao hơn so với GaN-on-sapphire. Những lợi thế này làm cho màn hình hiển thị vi mô Gan-on-Gan lý tưởng cho các ứng dụng dưới ánh sáng xung quanh mạnh mẽ, chẳng hạn như các thiết bị AR/MR.
4) Giảm mật độ khiếm khuyết
GaN-on-Gan làm giảm đáng kể mật độ trật khớp, giải quyết các trung tâm tái hợp không bức xạ thường hạn chế hiệu quả của thiết bị. Điều này có nghĩa là hiệu quả lượng tử cao hơn, hiệu suất nhiệt tốt hơn và độ tin cậy của thiết bị được cải thiện.
Cho dù bạn cần Gan Wafers để nghiên cứu hoặc cho các ứng dụng công nghiệp, vui lòng liên hệ với chúng tôi email tại[email protected] và [email protected].