GaN dựa LED epitaxy Wafer

GaN dựa LED epitaxy Wafer

GaN PAM-Hạ Môn của (gallium nitride) dựa trên LED wafer epitaxy là dành cho độ sáng cao điốt phát quang siêu màu xanh và màu xanh lá cây (LED) và điốt laser (LD) ứng dụng.

  • Sự miêu tả

Mô Tả Sản Phẩm

The LED epitaxial wafer is a substrate heated to an appropriate temperature. The LED wafer material is the cornerstone of the technology development for the semiconductor lighting industry. Different substrate materials require different LED epitaxial wafer growth technology, chip processing technology and device packaging technology. The substrate for LED epi wafer determines the development route of semiconductor lighting technology. To achieve luminous efficiency, epitaxial wafer suppliers pay more attention to GaN based LED epitaxial wafer, since the epitaxial wafer price is in low cost, and the epi wafer defect density is small. LED epi wafer advantage on GaN substrate is the realization of high efficiency, large area, single lamp and high power, which make the process technology simplify and improve the large yield rate. The development prospects of the LED epi wafer market are optimistic.

1. LED Wafer List

LED Epitaxial Wafer

Mục Size Sự định hướng Emission Wavelength Thickness   Substrate Surface Usable area
 PAM-50-LED-BLUE-F 50mm 0°±0.5° blue light 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-50-LED-BLUE-PSS 50mm 0°±0.5° blue light 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-F 100mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-PSS 100mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-150-LED-BLUE 150mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-SIL 50mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-SIL 100mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-150-LED-BLUE-SIL 150mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-200-LED-BLUE-SIL 200mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-50-LED-GREEN-F 50mm 0°±0.5° green light 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-50-LED-GREEN-PSS 50mm 0°±0.5° green light 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-GREEN-F 100mm 0°±0.5° green light 510-530nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-GREEN-PSS 100mm 0°±0.5° green light 510-530nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-150-LED-GREEN 150mm 0°±0.5° green light 510-530nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-RED-GAAS-620 100mm 15°±0.5° red light 610-630nm / GaAs P/L >90%
PAM210527-LED-660 100mm 15°±0.5° red light 660nm / GaAs P/L >90%
 PAM-210414-850nm-LED 100mm 15°±0.5° IR 850nm / GaAs P/L >90%
 PAMP21138-940LED 100mm 15°±0.5° IR 940nm / GaAs P/L >90%
 PAM-50-LED-UV-365-PSS 50mm 0°±0.5° UVA 365 nm 425um+/-25um Sapphire
 PAM-50-LED-UV-405-PSS 50mm 0°±0.5° UVA 405 nm 425um+/-25um Sapphire
 PAM-50-LED-UVC-275-PSS 50mm 0°±0.5° UVC 275nm 425um+/-25um Sapphire
 PAM-50-LD-UV-405-SIL 50mm 0°±0.5° UV 405nm / Silicon P/L >90%
 PAM-50-LD-BLUE-450-SIL 50mm 0°±0.5° blue light 450nm / Silicon P/L >90%


As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

2. InGaN/GaN(gallium nitride) based LED Epitaxial Wafer

GaN trên Al2O3-2” epi wafer Đặc điểm kỹ thuật (LED epitaxy wafer)

White: 445~460 nm
Blue:  465~475 nm
Green: 510~530 nm

Kỹ thuật 1. Tăng trưởng - MOCVD
2.Wafer đường kính: 50.8mm
3.Wafer substrate material: Patterned Sapphire Substrate(Al2O3) or Flat Sapphire
4.Wafer mô hình kích thước: 3X2X1.5μm

3. Wafer structure:

lớp cấu trúc Thickness(μm)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (khu vực đang hoạt động) 0.2
n-GaN 2.5
u- GaN 3.5
Al2O3 (Substrate) 430

 

4. Wafer parameters to make chips:

em Màu Kích Chip đặc điểm Xuất hiện
PAM1023A01 Màu xanh 10 triệu x 23mil Thắp sáng
Vf = 2,8 ~ 3.4V LCD đèn nền
Po = 18 ~ 25mW các thiết bị di động
Wd = 450 ~ 460nm điện tử gia dụng
PAM454501 Màu xanh 45mil x 45mil Vf = 2,8 ~ 3.4V ánh sáng chung
Po = 250 ~ 300MW LCD đèn nền
Wd = 450 ~ 460nm trưng bày ngoài trời

 

5. Application of LED epitaixal wafer: 

*If you need to know more detail information of Blue LED Epitaxial Wafer, please contact with our sales departments

Thắp sáng
LCD đèn nền
các thiết bị di động
điện tử gia dụng

6. Specification of LED Epi Wafer as an example:

Spec PAM190730-LED
– size : 4 inch
– WD : 455 ± 10nm
– brightness : > 90mcd
– VF : < 3.3V
– n-GaN Thickness : <4.1㎛
– u-GaN thickness : <2.2㎛
– substrate : patterned sapphire substrate (PSS)

7.GaAs(Gallium arsenide)based LED Wafer Material:

Về GaAs wafer LED, họ được trồng bởi MOCVD, xem dưới đây bước sóng của GaAs LED wafer:
Màu đỏ: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Yellow:587 ~ 592nm
Yellow/Green: 568 ~ 573nm

8. Definition of LED Epitaxial Wafer:

What we offer is bare LED epi wafer or not processed wafer without lithography processes, n- and metals contacts, etc. And you can fabricate the LED chip using your fabrication equipment for different application such as nano optoelectronics research.

 

Đối với những GaAs chi tiết thông số kỹ thuật LED wafer, vui lòng truy cập:GaAs Epi Wafer cho LED

Đối với UV LED thông số kỹ thuật wafer, vui lòng truy cập:UV LED Epi Wafer  

Đối với wafer LED trên thông số kỹ thuật silicon, vui lòng truy cập:LED Wafer trên Silicon

Blue GaN LD Wafer thông số kỹ thuật, vui lòng truy cập: Xanh GaN LD Wafer

GaN LED Epi on Sapphire

850nm and 940nm infrared LED wafer

850-880nm and 890-910nm Red Infrared AlGaAs /GaAs LED Epi-Wafer

630nm GaAs LED Wafer

Tấm GaN để chế tạo các thiết bị LED

GaN LED Structure

GaN LED Structure Epitaxy on Flat or PSS Sapphire Substrate

Tăng trưởng theo trục GaN trên Sapphire dành cho đèn LED

Formation of V-Shaped Pits in Nitride Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Cấu trúc bộ tách sóng quang GaN PIN dựa trên Si

Bạn cũng có thể thích…