gali nitrua: Mẫu và chất nền gallium nitride bán cách điện, loại p hoặc hoặc wafer GaN epi cho HEMT với Mật độ khuyết tật Marco và Mật độ sai lệch thấp cho LED, LD hoặc ứng dụng khác.PAM-XIAMEN cung cấp wafer GaN bao gồm Chất nền GaN độc lập, mẫu GaN trên sapphire/SiC/silicon, wafer epiticular LED dựa trên GaN và wafer epiticular GaN HEMT.
-
Chất nền GaN độc lập
PAM-XIAMEN đã thiết lập công nghệ sản xuất tấm nền GaN độc lập (gallium nitride), dành cho UHB-LED và LD. Được trồng bằng công nghệ epit Wax pha hơi hydrua (HVPE), chất nền GaN của chúng tôi có hàm lượng thấp…
-
Tấm wafer Epitaxy LED dựa trên GaN
Tấm wafer LED dựa trên GaN(gallium nitride) của PAM-XIAMEN dành cho ứng dụng điốt phát sáng màu xanh lam và xanh lục (LED) và điốt laser (LD) có độ sáng cực cao.
-
GaN HEMT Epitaxy wafer
Gallium Nitride (GaN) HEMT (Bóng bán dẫn có độ linh động điện tử cao) là thế hệ tiếp theo của công nghệ bóng bán dẫn điện RF. Nhờ công nghệ GaN, PAM-XIAMEN hiện cung cấp tấm wafer AlGaN/GaN HEMT Epi trên sapphire…
