Hiện tại, hầu hết các siêu mạng InAs/GaSb ll được phát triển trên các chất nền GaSb phù hợp với mạng tinh thể. Tuy nhiên, do giá chất nền GaSb cao, không có chất nền bán cách điện và sự phức tạp của quy trình, việc tìm cách phát triển vật liệu khối GaSb trên các chất nền mới, chẳng hạn như chất nền GaAs, đã trở thành một lộ trình kỹ thuật mới cho nhiều quốc tế. các đơn vị nghiên cứu và phát triển để hiện thực hóa sự phát triển của siêu mạng InAs/GaSb. Ngoài ra, cấu trúc p-GaSb/n-GaAs dựa trên GaAs có thể tạo ra các tế bào quang điện nhiệt hiệu suất cao, đây là một điểm nóng nghiên cứu. Cho đến nay, GaAs là vật liệu trưởng thành nhất với chất lượng tinh thể tốt nhất trong các chất bán dẫn hỗn hợp. Do đó, sử dụng GaAs làm vật liệu nền cho sự tăng trưởng dị trục bằng các công nghệ khác nhau là một chủ đề nghiên cứu rất thú vị và có giá trị thực tiễn lớn.PAM-XIAMEN cung cấp các dịch vụ để tăng trưởng màng dị trục, như màng mỏng GaSb dị trục trên đế GaAs được liệt kê bên dưới. Để biết thêm thông tin về các sản phẩm của chúng tôi, vui lòng tham khảohttps://www.powerwaywafer.com/products.html.
1. Thông số kỹ thuật của sự tăng trưởng dị vòng GaSb trên chất nền GaAs
Chúng tôi có thể cung cấp các tấm wafer GaAs có lớp GaSb epiticular như sau:
GaSb lớp epi trên GaAs(PAM190403 – GASB):
Lớp Epi: Thikness 0,5 ô. Không pha tạp, GaSb
Chất nền: Chất nền GaAs bán cách điện 2”, điện trở suất >1E8ohm.cm
2. Cải thiện sự phát triển màng mỏng dị trục GaSb trên GaAs bằng cách thêm lớp đệm
Mặc dù có giá trị thực tế lớn đối với việc phát triển các vật liệu dị epitaxial GaSb, nhưng sự không phù hợp mạng tinh thể giữa GaAs và GaSb là lớn (~7%). Nếu GaSb được phát triển trực tiếp trên đế GaAs, một số lượng lớn khuyết tật và sai lệch sẽ được tạo ra tại giao diện do ứng suất, điều này rất khó phát triển vật liệu epitaxy chất lượng cao. Để giải quyết vấn đề này, nhiều phương pháp tăng trưởng đã được áp dụng để giảm bớt sự không phù hợp của mạng và đạt được dị vòng chất lượng cao.
Trong đó, lớp đệm tăng trưởng là một trong những phương tiện quan trọng để giảm bớt sự không phù hợp của mạng tinh thể. Nói chung, lớp đệm là cấu trúc một lớp hoặc nhiều lớp với độ dày nhất định. Chức năng của nó là triệt tiêu ứng suất được tạo ra bởi sự không phù hợp giữa chất nền và lớp epitaxy trong lớp đệm, đồng thời giảm sự sai lệch và khuyết tật được tạo ra bởi dị vòng không khớp lớn.
Các vật liệu InAs, AlSb và GaSb thường được chọn làm lớp đệm cho sự tăng trưởng dị vòng GaSb. Người ta đã nghiên cứu đặc điểm cấu trúc của màng GaSb trên đế GaAs (001) ở nhiệt độ thấp với các lớp đệm khác nhau. Kết quả cho thấy lớp đệm AlSb hoặc GaSb rất hữu ích để cải thiện chất lượng màng GaSb phát triển trên đế GaAs.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email victorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.