Indium antimonide (InSb) detector is sensitive for the mid-wave infrared (MWIR) band. In terms of mid-infrared detection in the 3-5um band, due to the advantages of mature material technology, high sensitivity and good stability, InSb detectors stand out from detectors based on other materials. At low temperature, InSb material has a high absorption coefficient for infrared light (~1014cm-1), a quantum efficiency greater than or equal to 80%, and a high carrier mobility (un~105cm2∙V-1∙s-1). InSb IR detector has very prominent technical advantages, and its application fields cover precision guidance, portable imaging, vehicle, shipborne, airborne, aerospace, etc. InSb detector array offered by PAM-XIAMEN is 128 x 128 pixels, and detector spectral response range is 3.7 um~4.8 um. Specifications please refer to table below:
1. Technical Parameters of MWIR InSb Detector
| Product Name | Main Specification | |
| MW128×128
(J-T) InSb Infrared Detector |
Number of Pixels | 128×128 |
| Pixel Pitch | 15um×15um | |
| Pixel Operability | 99% | |
| Responsivity Non-uniformity | ≤6% | |
| NETD | ≤15mK | |
| FOV | 2 | |
| Thời gian chờ | ≤30 giây | |
| Trọng lượng | ≤250g | |
2. Quy trình phát hiện InSb hồng ngoại
Với sự phát triển không ngừng của công nghệ phát hiện tia hồng ngoại, các chip cảm quang dựa trên vật liệu InSb đã đi qua các giai đoạn từ chip đơn vị đến chip đa phần tử, mảng dòng và mảng diện tích. Sau quá trình kết nối giữa chip lật, chip cảm quang và mạch xử lý tín hiệu được kết hợp với nhau và đặt trên mặt phẳng tiêu điểm của hệ thống quang học, cấu thành thành phần cốt lõi của phát hiện tín hiệu hồng ngoại. Trong việc thực hiện chuyển đổi quang điện, hiệu suất của chip cảm quang là một trong những yếu tố quan trọng quyết định mức độ phát hiện của đầu báo InSb được làm mát. Trong quá trình chuẩn bị chip cảm quang mảng khu vực, chất lượng của điểm nối PN và khả năng cách ly hiệu quả của các đơn vị pixel cảm quang là chìa khóa cốt lõi để chuẩn bị chip mảng khu vực. Quá trình chuẩn bị của mối nối PN được chia thành quá trình khuếch tán, quá trình cấy ion và quá trình epitaxy. Đối với các kỹ thuật chế tạo mối nối PN khác nhau thì kỹ thuật chế tạo cấu trúc mảng bề mặt tương ứng cũng khác nhau.
Sơ đồ Sơ đồ của Lộ trình Công nghệ Máy dò Mặt phẳng Tiêu điểm InSb
Trình độ kỹ thuật của máy dò hồng ngoại InSb ở dải sóng trung không ngừng được nâng cao. Kích thước của mảng diện tích tiếp tục tăng, hiệu suất lượng tử của máy dò InSb tiếp tục được cải thiện và hoạt động ở nhiệt độ cao và đầu dò đa màu kép được phát triển đầy đủ.
Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email victorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.