LITAO3 LITHIUM tantalate CRYSTAL

LITAO3 LITHIUM tantalate CRYSTAL

PAM Hạ Môn cung cấp LiTaO3 Lithium tantalate Crystal.

tham số khả năng lớn
độ tinh khiết Chất liệu > 99,995%
Cấu trúc tinh thể M6
hằng số tế bào đơn vị a = 5.154Å c = 13,783 Å
Tan điểm (℃) 1650
Mật độ 7,45 (g / cm3）
Độ cứng 5,5 ~ 6 (Mohs)
Màu không màu
Chỉ số khúc xạ no = 2,176 ne = 2,180 (633nm)
Thông qua phạm vi 0.4 ~ 5.0mm
hệ số kháng 1015wm
hằng số điện môi es11 / eo: 39 ~ 43 es33 / eo: 42 ~ 43
et11 / eo: 51 ~ 54 et33 / eo: 43 ~ 46
giãn nở nhiệt aa = 1,61 × 10-6 / k, ac = 4.1 × 10-6 / k
Sản phẩm
Tên Sản phẩm Phương hướng Kích thước
LTB tinh thể lớn X, Y, Z ± 1º O2 "× 50mm
O3 "× 50mm
LTW Đôi lật Ra <10A X, y, z hoặc y, xoay hoặc không diễn ra bên 10 × 10 × 0.5mm
O2 "× 0.5mm
O3 "× 0.5mm
O3 "× 1.0mm

 

Để biết thêm thông tin, vui lòng truy cập trang web của chúng tôi: https://www.powerwaywafer.com,
gửi cho chúng tôi email tại sales@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com

Tìm thấy trong năm 1990, Hạ Môn Powerway nâng cao Material Co, Ltd (PAM-Hạ Môn) là một nhà sản xuất hàng đầu về vật liệu bán dẫn trong China.PAM-Xiamen phát triển tăng trưởng tinh thể và epitaxy công nghệ tiên tiến, quy trình sản xuất, chất nền thiết kế và bán dẫn devices.PAM-Hạ Môn của công nghệ cho phép hiệu suất cao hơn và sản xuất chi phí thấp hơn của wafer bán dẫn.

Với hơn 25 + năm kinh nghiệm trong lĩnh vực vật liệu hợp chất bán dẫn và kinh doanh xuất khẩu, nhóm chúng tôi có thể đảm bảo với bạn rằng chúng tôi có thể hiểu được yêu cầu của bạn và đối phó với dự án của bạn một cách chuyên nghiệp.

2019-03-13

Chia sẻ bài này

có liên quan Bài viết

Bánh quế SiC 6H

PAM-XIAMEN can offer 6H SiC wafer with n type or semi-insulating. Silicon carbide wafer is a material presenting different crystalline structures called polytypes, which has more than 250 structures. Different polytypes has different atomic stacking sequences. Polytypes generate the cubic, hexagonal or rhombohedral structures, which include [...]

2020-03-25meta-tác giả
50.8mm (2 Inch) Silicon Wafers-5

PAM XIAMEN offers 50.8mm Si wafers. Please send us email at sales@powerwaywafer.com  if you need other specs and quantity. Item Material Orient. Diam (mm) Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment PAM2179 p-type Si:B [100] 2″ 300 P/E 1–10 SEMI Prime, 2Flats, hard cst PAM2180 p-type Si:Ga [100] 2″ 350 P/P 1–5 SEMI Prime, 2Flats, hard cst PAM2181 p-type Si:B [100] 2″ 500 P/E 1–2 SEMI Prime, 2Flats, hard cst PAM2182 p-type Si:B [100] 2″ 900 P/E/P 1–10 SEMI Prime, 2Flats, hard cst PAM2183 p-type Si:B [100] 2″ 2000 P/P 1–10 SEMI Prime, 2Flats, Individual cst PAM2184 p-type Si:B [100] 2″ 2000 P/E 1–10 SEMI Prime, [...]

2019-02-18meta-tác giả
4″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 630 P/G FZ >7,000 SEMI Prime, Lifetime>1,000μs, Back-side Fine Ground n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 675 P/E FZ >7,000 SEMI, Lifetime>1,600μs,settes of 6 and 8 wafers n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 675 P/E FZ >7,000 SEMI, Lifetime>1,600μs n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 675 P/E FZ >7,000 SEMI TEST (Scratches, Lifetime>1,600μs n-type Si:P [111] ±0.25° 4″ 675 P/E FZ 7,000-10,000 SEMI Prime, Lifetime>1,000μs, Light scratches n-type Si:P [111] ±0.5° 4″ 525 P/E FZ >5,000 SEMI Prime, Lifetime>1,000μs n-type Si:P [111-1° towards[110]] ±0.5° 4″ 525 P/E FZ >5,000 SEMI TEST (scratches on back-side) n-type Si:P [111] ±0.25° 4″ 675 P/E FZ 5,000-7,000 SEMI Prime, [...]

2019-03-05meta-tác giả
Aberration-corrected transmission electron microscopy analyses of GaAs/Si interfaces in wafer-bonded multi-junction solar cells

Highlights •Aberration-corrected TEM and EELS reveal structural and elemental profiles across GaAs/Si bond interfaces in wafer-bonded GaInP/GaAs/Si – multi-junction solar cells. •Fluctuations in elemental concentration in nanometer-thick amorphous interface layers, including the disrubutions of light elements, are measured using EELS. •The projected widths of the interface layers [...]

2015-05-19meta-tác giả ,
Single Crystal AlN Substrate

You can buy single crystal AlN substrate with higher photoelectric conversion efficiency than indirect band gap semiconductors from PAM-XIAMEN. Aluminum nitride (AlN) is an important blue and ultraviolet light-emitting material, which is used in ultraviolet/deep ultraviolet light-emitting diodes, ultraviolet laser diodes, and ultraviolet detectors. [...]

2019-04-16meta-tác giả
4″ Silicon EPI Wafer-5

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 20 n- Si:P 75 ±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 20 n- Si:P 136 ±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.006-0.020 P/E 20 n- Si:P 300±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.006-0.020 P/E 21 n- Si:P 400±10% N/N+ 4″Øx525μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 22.5 n- Si:P 12.5±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 25 n- Si:P 0.08 ±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 25 n- Si:P 0.04 ±10% N/N+ 4″Øx360μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 37.5 n- Si:P 270 ±10% N/N+ 4″Øx400μm n- Si:Sb[111] 0.006-0.020 P/E 37.5 n- Si:P 85±10% N/N+ 4″Øx525μm n- Si:Sb[111] 0.008-0.020 P/E 58 n- Si:P 60±10% N/N/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:Sb[111] 0.008-0.020 P/E 15 n- Si:P 8±10% N/N/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:Sb[111] 0.008-0.020 P/E 5 n- Si:P 3±10% N/N/N/N+ 4″Øx460μm n- Si:Sb[111] 0.007-0.020 P/E 60 n- Si:P 40.5±4.5 N/N/N+ 4″Øx460μm n- Si:Sb[111] 0.007-0.020 P/E 20 n- Si:P 10±2 N/N/N+ 4″Øx525μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 60 n- Si:P 58.75 ±10% N/N+ 4″Øx525μm n- Si:Sb[111] 0.005-0.020 P/E 60 n- [...]

2019-03-08meta-tác giả