Điện trở kháng từ màng mỏng Indi antimonide (InSb), là phần tử nhạy cảm cốt lõi của cảm biến từ trở (MR), được cung cấp từ PAM-XIAMEN với các đặc điểm của phép đo không tiếp xúc, kích thước nhỏ, độ tin cậy cao, tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu cao và đáp ứng tần số rộng (0-100kHz). Từ trở InSb là một loại phần tử nhạy cảm mới được tạo ra bằng cách sử dụng hiệu ứng từ trở của InSb phim. Nó có thể sử dụng từ trường như một phương tiện để chuyển đổi các đại lượng phi điện khác nhau (chẳng hạn như các chuyển vị và tốc độ khác nhau) thành các thay đổi trong giá trị điện trở, để đo hoặc điều khiển các đại lượng không điện. Vì quá trình chuyển đổi này được thực hiện trong tình huống không tiếp xúc, nên cảm biến từ trở có các đặc điểm là độ tin cậy cao, kích thước nhỏ và trọng lượng nhẹ để tạo ra các cảm biến khác nhau với nó. Loại thiết bị nhạy từ này được sử dụng rộng rãi trong công nghiệp và nhiều lĩnh vực khoa học công nghệ. Từ trở hiện có của PAM-Hạ Môn như sau:

1. Thông số kỹ thuật của InSb Magnetoresistor

Cấu trúc từ tính:

Dấu: Việc sản xuất điện trở từ màng mỏng InSb áp dụng công nghệ sản xuất màng mỏng và quang học phẳng tiên tiến, và kiểu dáng, kích thước và điện trở của nó có thể được thiết kế linh hoạt theo nhu cầu.

Có ba thông số chính của cảm biến điện trở từ:

• Tỷ số điện trở từ: nó dùng để chỉ tỷ số giữa giá trị điện trở từ điện trở với giá trị điện trở trong điều kiện cảm ứng từ bằng không dưới cường độ cảm ứng từ xác định.
• Hệ số từ trở: nó dùng để chỉ tỷ số giữa giá trị điện trở của cảm biến từ với giá trị điện trở danh định của nó dưới cường độ cảm ứng từ nhất định.
• Độ nhạy từ trở: nó đề cập đến tỷ lệ biến thiên tương đối của giá trị điện trở của cảm biến từ trường với mật độ từ thông dưới một mật độ từ thông xác định.

2. Nguyên lý làm việc của cảm biến điện trở từ

Các cảm biến từ tính được chế tạo trên màng mỏng InSb thường là giải pháp lý tưởng để đo tốc độ cao, điều khiển góc, điều khiển vị trí, theo dõi tín hiệu, ... Điện trở R của nó thay đổi theo sự thay đổi của mật độ từ thông B truyền qua nó theo phương vuông góc: khi B <0,1T , R∝; khi B> 0,1T, R∝B; khi B = 0,3T> 2,0, như hình bên dưới.

Sử dụng tính năng này, rất tiện lợi khi sử dụng từ trường làm môi trường để biến đổi phi điện (như độ dời, vị trí, tốc độ, độ dịch chuyển góc, áp suất, gia tốc, v.v.) thành năng lượng điện mà không cần tiếp xúc, để đo và kiểm soát không điện.

3. Hiệu ứng Magneto-Resistace trong InSb Thin Film

Vật liệu InSb là một vật liệu bán dẫn hợp chất điển hình. So với silic, gecmani và arsenide gali, nó có hiệu ứng từ trở đáng kể. Do đó, cảm biến từ trở sử dụng vật liệu InSb để tạo ra hiệu ứng từ trở của vật liệu bán dẫn, bao gồm cả hiệu ứng từ trở vật lý và hiệu ứng từ trở hình học. Hiệu ứng từ trở vật lý còn được gọi là hiệu ứng từ trở. Trong chip bán dẫn hình chữ nhật, khi dòng điện chạy dọc theo chiều dài, nếu đặt một từ trường theo chiều dày vuông góc với dòng điện thì điện trở suất tăng theo hướng chiều dài của chip SMR. Hiện tượng này được gọi là hiệu ứng từ trở vật lý hay hiệu ứng từ trở.

4. Ứng dụng cảm biến điện trở từ

Là một cảm biến MR, nguyên lý hoạt động của các cảm biến phần tử kháng từ khác nhau sử dụng điện trở từ làm phần tử lõi là giống nhau, nhưng các loại khác nhau tùy theo mục đích và cấu tạo. Do đó, nó có thể được sử dụng trong cảm biến từ tính, dùng cho thiết bị đo từ tính dư của từ trường không đổi và từ trường xoay chiều hoặc máy móc điện, và thiết bị điều hướng của hàng hải và hàng không. Ngoài ra, cảm biến từ trở có thể dùng cho cảm biến tốc độ, cảm biến dịch chuyển góc và cảm biến sắt từ. Sự kết hợp của điện trở từ và các linh kiện điện tử có thể tạo thành bộ biến đổi AC-DC, bộ nhân tần số, bộ điều chế và bộ dao động.

Thông tin thêm về cảm biến từ trở, vui lòng đọc:https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html

Để biết thêm thông tin, vui lòng liên hệ với chúng tôi qua email victorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.