Trong quá trình phát triển của công nghệ bán dẫn hiện đại, Silicon trên chất cách điện (SOI) đã chuyển đổi từ một kỹ thuật chuyên dụng thành nền tảng vật liệu quan trọng làm nền tảng cho điện toán hiệu năng cao, truyền thông năng lượng thấp, cảm biến MEMS và thậm chí cả nghiên cứu thiết bị lượng tử. Đối với các nhà nghiên cứu, wafer SOI không chỉ đơn thuần là chất nền cho các thí nghiệm mà còn là “tấm thử nghiệm” cho...
PAM-XIAMEN offers low defect 4H‑SiC substrates in the following specifications for universities and research institutes. For inquiries, please contact us at [email protected] Parameter Specification Range Polytype 4H‑SiC Diameter 2‑inch, 4‑inch, 6‑inch, 8‑inch Orientation On‑axis, off‑axis Conductivity type Semi‑insulating (V), N‑type(N), P-type(Al) Surface finish SSP, DSP Silicon carbide (SiC) is a representative third‑generation semiconductor material, featuring a wide bandgap, high critical breakdown field, high thermal conductivity,...
Cacbua silic (SiC), với tư cách là vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba tiêu biểu, có các đặc tính vượt trội bao gồm dải tần rộng (3,26eV đối với 4H-SiC), điện trường đánh thủng tới hạn cao (~2,5MV/cm) và độ dẫn nhiệt cao (4,9W/cm·K), khiến nó có lợi thế đặc biệt trong các thiết bị điện tử công suất điện áp cao, tần số cao và nhiệt độ cao. Tuy nhiên, hiệu suất và độ tin cậy của các thiết bị nguồn SiC...
Trong nghiên cứu tiên phong về RF và các thiết bị điện tử công suất, các thông số điện nội tại của tấm bán dẫn epiticular—đặc biệt là đặc tính vận chuyển của khí điện tử hai chiều (2DEG)—xác định trực tiếp đáp ứng tần số, mật độ dòng điện đầu ra và giới hạn độ tin cậy của thiết bị thu được. Đối với các trường đại học và viện nghiên cứu, vật liệu epitaxy không chỉ phải đáp ứng...
PAM‑XIAMEN supplies high‑quality epitaxial wafers for 4H‑SiC Schottky barrier diode fabrication. For customized epiwafer solutions, please contact: [email protected] In the development of 4H‑SiC power devices, precise modulation of the Schottky Barrier Height (SBH) is critical for optimizing key device parameters such as turn‑on voltage, leakage current, and switching speed. Traditional approaches—replacing contact metals...
Đối với các nhà sản xuất thiết bị SiC, kiểm soát kim loại bề mặt là sự khác biệt giữa năng suất cao và hư hỏng tại hiện trường. Khi các dây chuyền chế tạo SiC ngày càng tích hợp với các quy trình dựa trên silicon, một vấn đề quan trọng—ô nhiễm kim loại bề mặt—đã trở nên quan trọng không kém. Ngay cả lượng vết của các nguyên tố kim loại (Na, K, Fe, Cu, Ni, Cr) với mật độ diện tích thấp tới...
Chất bán dẫn dải rộng, được minh họa bằng gallium nitride (GaN), đã trở thành vật liệu cốt lõi cho các hệ thống điện tử công suất thế hệ tiếp theo nhờ điện trường đánh thủng cao, tốc độ bão hòa electron cao và độ dẫn nhiệt thuận lợi. Trong lĩnh vực thiết bị điện, cấu trúc thẳng đứng mang lại những lợi thế khác biệt so với các thiết bị thông thường (như độ linh động điện tử cao...
Với sự ra đời của kỷ nguyên thông minh, công nghệ màn hình ngày càng đóng vai trò quan trọng trong cuộc sống hàng ngày. Những ưu điểm như độ phân giải cao, độ sáng cao, độ tương phản cao, phản hồi nhanh và mức tiêu thụ điện năng thấp khiến màn hình Mini/Micro-LED trở thành đối thủ nặng ký cho công nghệ màn hình thế hệ tiếp theo. Hiện tại, đèn LED màu xanh lam và xanh lục có thể được sử dụng một cách hiệu quả...
Trong quy trình sản xuất các thiết bị bán dẫn như MOSFET điện, chất nền silicon cho MOSFET điện không chỉ là lớp hỗ trợ cấu trúc mà còn là vật liệu cốt lõi quyết định hiệu suất điện và độ tin cậy. Ngoài các chỉ số truyền thống như độ đồng đều điện trở suất, độ nhám bề mặt và khuyết tật tinh thể, thiết kế và xử lý...
Cấu trúc lớp epiticular của đèn LED dựa trên gallium nitride (GaN) là yếu tố cốt lõi quyết định hiệu suất của thiết bị và thiết kế của nó cần tính đến chất lượng vật liệu, hiệu suất phun chất mang, hiệu suất phát quang và khả năng tản nhiệt. Với sự phát triển của thời đại, nhu cầu về thiết bị LED của thị trường ngày càng cao và...