Wafer LED dương dựa trên chất nền GaAs
EPI-Wafer, Algainp Red-Wafer có trụ sở tại Gaas là vật liệu LED ánh sáng có thể nhìn thấy phổ biến đã được phát triển rộng rãi trong những năm gần đây. Đèn LED màu đỏ Đệ tứ Algainp có nhiều lợi thế như khả năng chịu lực lượng mạnh, hiệu quả phát sáng cao và khả năng chống nhiệt độ cao. Nó có một vị trí không thể thay thế trong việc áp dụng ánh sáng, màn hình và đèn báo, và được sử dụng rộng rãi trong các trường ánh sáng khác nhau.PAM-Hạ MônCung cấp phân cực dương tính cực Algainp / Gainp LED wafer ở bước sóng 620nm. Các tham số cụ thể của việc bán wafer LED tích cực được liệt kê trong bảng như sau:
1. Thông số wafer LED tích cực.
PAMP19226-620LED
|
Cấu trúc đèn LED màu đỏ phân cực dương (WD= 620nm) |
|||
| Lớp | Độ dày (nm) | Mật độ sóng mang (CM-3) | |
| P Liên hệ | p + GaAs | 20 | - |
| p- AlGaInP | - | 1.00E+18 | |
| p- AlInP | - | - | |
| WG | u- AlGaInP | - | |
| MQW | Algainp/ingap | - | - |
| WG | u- AlGaInP | 100 | |
| n- AlInP | - | ||
| n- AlGaInP | - | - | |
| Tiếng Anh | n- InGaP | - | 3.00E+18 |
| N Liên hệ | n + GaAs | 30 | - |
| u- AlGaInP | - | - | |
| AlAs | - | ||
| Chất nền GaAs | |||
2. Sự phân cực tích cực của wafer LED là gì?
Độ phân cực của wafer LED được chia thành loại N/P và P/N (P: dương; N: âm) theo độ phân cực của chip LED. Trong đó, P/N là viết tắt của sự phân cực dương của wafer LED, có nghĩa là điện cực dương nằm trên màng epiticular và điện cực âm nằm dưới chất nền.
Đối với vật liệu epitaxial diode ánh sáng Algainp từ chúng tôi, nó được phát triển trực tiếp trên đế GaAs, và sau đó điện cực N được điều chế trực tiếp ở mặt sau của chất nền GAAS và điện cực P được điều chế trên bề mặt trên của màng mỏng EPI, được hiển thị dưới dạng Hình 1. Đây là công nghệ WAFFER LED dương. Quá trình sản xuất chế tạo wafer LED tích cực là tương đối trưởng thành và hiệu quả sản xuất cao.
Hình.1 Sơ đồ cấu trúc loại P/N của Wafer phân cực LED dương
Trái ngược với wafer LED đảo ngược, có một màng dẫn điện trong suốt được đặt trên EPI Wafer LED tích cực. Điều này là do độ dẫn của lớp vật liệu loại P thấp hơn so với lớp vật liệu loại N và màng dẫn điện cần được lắng đọng để khuếch tán các electron và cải thiện hiệu quả phát quang của chip wafer LED dương tính.
Nhận xét:
Chính phủ Trung Quốc đã công bố các giới hạn mới về xuất khẩu vật liệu gallium (như GaAs, GaN, GA2O3, GAP, INGAA và GASB) và các vật liệu Germanium được sử dụng để chế tạo chip bán dẫn. Bắt đầu từ ngày 1 tháng 8 năm 2023, xuất khẩu các tài liệu này chỉ được phép nếu chúng tôi có được giấy phép từ Bộ Thương mại Trung Quốc. Hy vọng cho sự hiểu biết và hợp tác của bạn!
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tại[email protected] và [email protected].