Sản phẩm

GaN HEMT epitaxy Wafer

GaN wafer

PAM-Hạ Môn cung cấp gallium nitride wafer chất nền cho UHB-LED, gallium nitride wafer, LD và các thiết bị bán dẫn khác.

SiC Wafer Substrate (Silicon Carbide)

SiC wafer

Silicon Carbideï¼SiC) Quế PAM-XIAMENÂ cung cấp Silicon Carbide tấm crytal và epitaxy, được sử dụng cho quang điện Devices, High Power Devices, thiết bị nhiệt độ cao, High Frequency Thiết bị điện

GaAs wafer

GaAs wafer

PAM-Hạ Môn cung cấp Gallium Arsenide wafer chất nền và epitaxy cho LED, LD và các ứng dụng Microelectronics

GaSb wafer

Hợp chất bán dẫn

PAM-Hạ Môn cung cấp Indi Semiconductor Wafer: InSb, InP, Inas, GaSb, Gap

Ge (Gecmani) Crystal Độc thân và Quế

gecmani wafer

PWAMÂ cung cấp vật liệu bán dẫn, (Ge) Crystal Độc Gecmani và Quế được trồng bởi VGF / LEC

products

CdZnTe wafer

Cadmium Kẽm Telluride (CdZnTe hoặc CZT) là một chất bán dẫn mới

wafer product

Silicon wafer

PAM-XIAMEN, a silicon wafer manufacturing company, offers silicon wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer,CZ wafer, epitaxial wafer, polished wafer, etching wafer.

The silicon wafer manufacturing process is crystal pulling, silicon wafer dicing, silicon wafer grinding, chamfering, etching, polishing, cleaning and inspection, among which crystal pulling, silicon wafer polishing and inspection are the core links of silicon wafer manufacturing. As the basic semiconductor substrate, silicon wafers must have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination to maintain the original designed functions of the chip. The high-specification requirements of semiconductor silicon wafers make its manufacturing process complicated. The four core steps include polysilicon purification and polysilicon ingot casting, single crystal silicon wafer growth, and silicon wafer cutting and shaping. As a raw material for wafer fab, the quality of silicon wafers directly determines the stability of the silicon wafer application process. Large-size silicon wafers have become the future development trend of silicon wafers. In order to improve production efficiency and reduce costs, more and more large-size silicon wafers are used.

wafer product

chế tạo wafer

PAM-Hạ Môn Cung cấp tấm cản quang với photoresist và mặt nạ quang, và cung cấp Nanolithography (photolithography): Chuẩn bị bề mặt, cản quang được áp dụng, Soft nướng, Alignment, phơi sáng, phát triển, Hard nướng, Phát triển kiểm tra, Etch, cản quang loại bỏ (dải), kiểm tra cuối cùng.

  • 12 "Thủ lớp Silicon wafer

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • 12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 12 "Kiểm tra Lớp Silicon wafer

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • Epi Wafer cho Laser Diode

    GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • Float-Zone Mono-tinh thể Silicon

    PAM-XIAMEN có thể cung cấp wafer silicon vùng nổi, thu được bằng phương pháp Float Zone. Các thanh silicon đơn tinh thể được nhận thông qua sự phát triển vùng nổi, và sau đó xử lý các thanh silicon đơn tinh thể thành các tấm silicon, được gọi là tấm silicon vùng nổi. Vì tấm silicon nóng chảy vùng không tiếp xúc với chén thạch anh trong quá trình silicon vùng nổi, vật liệu silicon ở trạng thái lơ lửng. Qua đó, nó ít bị ô nhiễm hơn trong quá trình nung chảy vùng nổi của silic. Hàm lượng cacbon và hàm lượng oxy thấp hơn, tạp chất ít hơn và điện trở suất cao hơn. Nó phù hợp để sản xuất các thiết bị điện và một số thiết bị điện tử cao áp.

  • Dịch vụ đúc Wafer

    PAM-XIAMEN provides wafer foundry services with advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy, 

    PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.

     

  • Kiểm tra Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer

    Là nhà sản xuất wafer giả, PAM-XIAMEN cung cấp wafer giả silicon / wafer thử nghiệm / wafer giám sát, được sử dụng trong thiết bị sản xuất để cải thiện độ an toàn trong giai đoạn đầu của quy trình sản xuất và được sử dụng để kiểm tra và đánh giá hình thức quy trình. Vì các tấm silicon giả thường được sử dụng để thử nghiệm và kiểm tra, nên kích thước và độ dày của chúng là những yếu tố quan trọng trong hầu hết các trường hợp. Có sẵn tấm wafer giả 100mm, 150mm, 200mm hoặc 300mm.

  • Cz Mono-tinh thể Silicon

    PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

  • Epitaxy Silicon wafer

    Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

  • wafer đánh bóng

    PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. FZ polished wafers, mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)

  • khắc wafer

    The etching silicon wafers offered by PAM-XIAMEN are N type or P type etching wafers, which have low roughness, low reflectivity and high reflectivity. The etching wafer has the characteristics of low roughness, good glossiness and relatively low cost, and directly substitutes the polished wafer or epitaxial wafer which has relatively high cost to produce the electronic elements in some fields, reducing the costs.

  • Thợ chụp ảnh chế tạo nano

    PAM-Hạ Môn Cung cấp tấm cản quang với cản quang