đường kính tối đa 12 "
Height≤17 "
Cao density≤2.19 g / cm3
độ tinh khiết cao> 99,99%
kháng nứt cao (hệ số xuất sắc số giãn nở nhiệt)

đường kính tối đa 8 "
Height≤18 "
độ tinh khiết đảm bảo> 99,99%
Nó có thể được sử dụng cho nhiều lần (cấu trúc tuyệt vời giữa các lớp)
pha lê cao tỷ lệ hình thành. (Nó có thể đảm bảo pha lê cao tỷ lệ hình thành bằng cách điều chỉnh không đẳng hướng)

đường kính tối đa 12 "
Height≤17 "
Cao density≤2.19 g / cm3
độ tinh khiết cao> 99,99%
kháng nứt cao (hệ số xuất sắc số giãn nở nhiệt)

Height≤17 "
Cao density≤2.19 g / cm3
độ tinh khiết cao> 99,99%
kháng nứt cao (hệ số xuất sắc số giãn nở nhiệt)
Không biến dạng ở nhiệt độ cao (Nó có thể chống lại nhiệt độ cao 2300 ℃ trong chân không)
thời gian kéo dài tuổi thọ

có thể chống lại nhiệt độ cao 2300 ℃ trong một môi trường chân không và 2700 ℃ trong bầu không khí amoniac;
độ tinh khiết cao (> 99,99%). Và nó sẽ không phát hành các tạp chất khí khi dịch vụ ở nhiệt độ cao;
Tốt dẻo dai. Nó tương tự như cấu trúc lục giác graphite;
Tốt cách nhiệt ở nhiệt độ cao. Điện trở suất khối lượng là 3,11 × 1011Ω · cm;
trơ hóa học. chống ăn mòn tốt của dung môi axit, kiềm và hữu cơ;
Nó có thể làm giảm sự lãng phí nhiệt bằng cách ngăn chặn sự dẫn nhiệt

PBN vật liệu có thể chống lại nhiệt độ cao 2300 ℃ trong chân không và 2700 ℃ trong bầu không khí amoniac;
độ tinh khiết cao (> 99,99%). Và nó sẽ không phát hành các tạp chất khí dưới nhiệt độ cao;
Tốt dẻo dai. Nó tương tự như cấu trúc lục giác graphite;
Cách nhiệt tốt dưới nhiệt độ cao;
trơ hóa học. chống ăn mòn tốt của dung môi axit, kiềm và hữu cơ

Mạnh mẽ bám dính, được không dễ dàng để rơi ra;
Để bảo vệ graphite khỏi bị ăn mòn;
Để ngăn chặn sự graphite từ giải phóng cacbon;
Vật liệu cách nhiệt

sưởi ấm bề ​​mặt và phân bố nhiệt độ tốt;
Không bị ảnh hưởng bởi từ trường;
Cao độ tinh khiết, Nó giải phóng ít khí ở nhiệt lớn;
Nó có thể được điều chỉnh cho hệ thống sưởi xúc;
tốc độ gia nhiệt cao;
kéo dài tuổi thọ;
chống ăn mòn tốt của dung môi axit, kiềm và hữu cơ

MOCVD (kim loại-hữu cơ Hóa học Vapor Deposition) là một quá trình đặc biệt để phát triển màng mỏng bán dẫn trên ma trận. Nó được phát triển trên cơ sở pha hơi epitaxy tăng trưởng (VPE), và đã trở thành một công nghệ mới trong VPE. Các tài liệu nguồn của các tinh thể phát triển bởi MOCVD là hợp chất hữu cơ kim loại và hydride. Các kim loại thường từ nhóm Ⅱ hoặc Ⅲ khi sau đó được thực hiện bởi các yếu tố của nhóm V, Ⅵ. Giai đoạn hơi tăng trưởng epitaxy trên nền theo phương pháp phản ứng phân hủy nhiệt, và lợi nhuận bán dẫn hợp chất hóa học của nhóm Ⅲ-V, Ⅱ-Ⅵ, và vật liệu lớp tinh thể mỏng của họ về nhiều giải pháp vững chắc.