Chất nền Scalmgo4 (lừa đảo)

Trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn, các kỹ sư thường sử dụng chất nền không đồng nhất như silicon và sapphire để chuẩn bị các thiết bị dựa trên gallium nitride (GAN) và các thiết bị dựa trên oxit kẽm (ZnO). Tuy nhiên, trong sản xuất thực tế, người ta đã phát hiện ra rằng sự khác biệt không đổi mạng và hành vi nhiệt động không nhất quán giữa các vật liệu không đồng nhất có thể đặt ra những thách thức đáng kể. Sự không phù hợp về cấu trúc này có thể dẫn đến một số lượng lớn các khiếm khuyết và mật độ trật khớp trong vật liệu, từ đó có thể gây ra các vấn đề về độ tin cậy như sự trôi dạt điện áp ngưỡng và các hiệu ứng sụp đổ hiện tại, cuối cùng hạn chế hoạt động ổn định lâu dài và tuổi thọ làm việc của thiết bị. Điều đáng chú ý là hệ thống hình lục giác magiê aluminate scandium oxit (scalmgo4, viết tắt là lừa đảo hoặc sam) được phát hiện trong những năm gần đây đã cho thấy những lợi thế độc đáo. Vật liệu này duy trì khả năng tương thích tốt với các vật liệu bán dẫn GaN và ZnO về các thông số cấu trúc tinh thể và hằng số mạng của nó gần với GaN và ZnO, với hệ số giãn nở nhiệt rất phù hợp. Khả năng thích ứng cao của tính chất vật lý này cho phép cơ chất scalmgo4 triệt tiêu một cách hiệu quả sự hình thành khiếm khuyết trong quá trình tăng trưởng epiticular, cung cấp một cách tiếp cận mới để chuẩn bị màng mỏng GAN Epiticular chất lượng cao. PAM-Xiamen có thể cung cấp vật liệu cơ chất ScalMGO4, với các thông số kỹ thuật cụ thể như sau:

1. Đặc điểm kỹ thuật cơ chất Scalmgo4

Trích dẫn ngay bây giờ!

2. ADvantages củaSam sUbstrateMkhông gian

Là một vật liệu cơ chất, ScalMGO4 có những lợi thế đáng kể sau so với các chất nền truyền thống (như Sapphire, SiC, GaAs, v.v.) và các vật liệu cơ chất Heteroepiticulat của GaN, ZnO khác: ZnO:

1) Kết hợp mạng: Tốc độ không khớp mạng giữa scalmgo4 và GaN là khoảng 1,4%và tỷ lệ không khớp mạng với ZnO chỉ là 0,09%, có thể làm giảm hiệu quả khiếm khuyết và trật khớp trong lớp epitical, cải thiện hiệu suất của thiết bị và tuổi thọ;

2) Hệ số giãn nở nhiệt: Hệ số giãn nở nhiệt của scalmgo4 gần với GaN và ZnO, có thể làm giảm hiệu quả ứng suất nhiệt, tránh các vấn đề như vết nứt trong thiết bị trong quá trình đạp nhiệt và cải thiện hơn nữa sự ổn định của thiết bị;

3) Đặc điểm tự bong tróc: Bề mặt tinh thể (0001) của tinh thể ScalMGO4 dọc theo hướng trục C có các đặc tính phân tách tự nhiên mạnh mẽ, cho phép chất nền ScalMGO4 tách biệt tự nhiên với lớp epiticular, do đó đạt được việc tái sử dụng và giảm chi phí sản xuất;

4) Tính chất hóa học ổn định: ScalMGO4 là một oxit có độ ổn định hóa học cao, có thể chống ăn mòn và oxy hóa, đảm bảo sự ổn định lâu dài của thiết bị;

5) Độ trong suốt quang học: SAM Crystal có độ trong suốt quang học tuyệt vời và có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị quang điện tử;

6) Độ dẫn điện: Vật liệu lừa đảo là một chất cách điện có thể ngăn các mạch ngắn của thiết bị và các vấn đề khác.

Cho dù bạn cần tấm stermonductor để nghiên cứu hoặc cho các ứng dụng công nghiệp, vui lòng liên hệ với chúng tôi email tại[email protected] và [email protected].