SiC wafer

Pam-Xiamen cung cấp SIC Wafer và Epitaxy: SIC Wafer là vật liệu bán dẫn Bandgap thế hệ thứ ba với hiệu suất tuyệt vời. Nó có những ưu điểm của bandgap rộng, độ dẫn nhiệt cao, điện trường phân tích cao, nhiệt độ nội tại cao, điện trở bức xạ, độ ổn định hóa học tốt và tốc độ trôi độ bão hòa điện tử cao. Sic Wafer cũng có triển vọng ứng dụng tuyệt vời trong hàng không vũ trụ, vận chuyển đường sắt, sản xuất điện quang điện, truyền tải điện, xe năng lượng mới và các lĩnh vực khác, và sẽ mang lại những thay đổi mang tính cách mạng cho công nghệ điện tử. Mặt Si hoặc khuôn mặt C là CMP là cấp độ sẵn sàng của Epi, được đóng gói bởi khí nitơ, mỗi wafer nằm trong một thùng chứa wafer, dưới 100 phòng lớp sạch.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.