Bộ triệt điện áp tức thời silicon (TVS) là một trong những điốt silicon, có tốc độ phản hồi cực nhanh (dưới 1ns) và khả năng hấp thụ dòng điện đột biến tương đối cao, có thể được sử dụng để bảo vệ thiết bị hoặc mạch điện, thậm chí cả mạch tích hợp, thiết bị MOS, hybrid mạch và các thiết bị bán dẫn nhạy cảm với điện áp khác do quá điện áp nhất thời được tạo ra bởi tĩnh điện, chuyển mạch tải cảm ứng và sét đánh. PAM-XIAMEN có thể cung cấp wafer silicon diode được trồng ở CZ với các thông số sau cho ứng dụng diode TVS. Thêm thông số kỹ thuật của wafer silicon CZ vui lòng tham khảohttps://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/cz-mono-tinh thể-silicon.html.
1. Tấm wafer silicon điốt để chế tạo điốt TVS
PAM220608-SI-TVSD
| Sản phẩm | Bánh quế Si Lapped |
| phương pháp tăng trưởng | CZ |
| Đường kính | 100±0.5mm |
| Định hướng | <111> |
| Độ lệch định hướng | 0±1° |
| Loại dẫn điện | N |
| Độ dày | 315um |
| điện trở suất | 0,002~0,004Ω·cm |
| RRV | ≤20% |
| TTV | ≤5um |
| Cây cung | ≤35um |
| Làm cong | N / A |
| Tuổi thọ của nhà cung cấp dịch vụ thiểu số | N / A |
| Trật khớp | 100cm-2 |
| Xoáy | N / A |
| Bờ rìa | R22° |
| Định hướng phẳng sơ cấp | N / A |
| Chiều dài phẳng chính | N / A |
| Định hướng phẳng thứ cấp | N / A |
| Nồng độ oxy | 18ppma |
| Nồng độ cacbon | 1ppma |
| Xử lý bề mặt | theo yêu cầu |
2. Làm thế nào để tạo ra mảng điốt silicon TVS trên đế silicon?
Ở đây chúng tôi lấy chất nền N+ để giải thích thêm về quy trình xử lý về cách thiết kế diode TVS trên chất nền N+Si. Đầu tiên, phát triển lớp N- epilayer trên đế, tiếp theo là pha tạp p+ cục bộ trên lớp diode epiticular silicon loại N để tạo thành điểm nối PN.
Sau đó, nhôm kim loại được lắng đọng trên lớp epiticular loại N và lớp nhôm được quang khắc để tạo thành cực dương TVS. Sau khi tạo ra cực dương của diode silicon, bề mặt của tấm wafer silicon bị thụ động hóa và mặt sau của tấm wafer silicon được làm mỏng đi. Sau đó, một lớp vàng kim loại được lắng đọng ở mặt sau của tấm wafer silicon và các nguyên tử vàng khuếch tán để tạo thành một trung tâm hỗn hợp. Và cuối cùng, điện cực âm của TVS được hình thành ở mặt sau của tấm wafer silicon.
3. Đi-ốt silicon TVS là gì?
Diode TVS là một thiết bị bảo vệ điện áp nhất thời hiệu quả thường được sử dụng trên phạm vi quốc tế dưới dạng diode. Khi cả hai đầu của TVS phải chịu sự tăng điện áp cao nhất thời ngược, nó có thể biến trở kháng cao ở cả hai đầu thành trở kháng thấp trong thời gian 10-12 giây, hấp thụ công suất đột biến lên đến vài kilowatt, giữ kẹp điện áp ở giữa hai cực ở một giá trị xác định trước, bảo vệ hiệu quả các bộ phận chính xác trong mạch điện tử khỏi các xung đột biến khác nhau và hư hỏng do tĩnh điện. Có hai loại TVS: một là TVS đơn hướng (Unidirectional) dùng để bảo vệ điện áp DC, và cực âm của nó phải được nối với đầu dương của điện áp; Một loại khác là TVS hai chiều (Bidirectional), tương đương với hai TVS một chiều được mắc nối tiếp ngược nhau và có thể được sử dụng mà không cần xem xét các cực dương và cực âm của điện áp.
Nguyên lý hoạt động của diode silicon TVS là kết nối diode silicon TVS song song với IC, khi mạch hoạt động bình thường thì diode TVS ở trạng thái TẮT, chỉ tiêu thụ một lượng dòng rò nhất định. Khi áp dụng quá điện áp chẳng hạn như đột biến, diode TVS sẽ BẬT và phía TVS sẽ tiêu thụ dòng xung để kẹp quá điện áp và bảo vệ IC ở phần phía sau.
4. Ứng dụng của Diode Silicon TVS
Do những ưu điểm như thời gian đáp ứng nhanh, công suất nhất thời cao, dòng rò thấp, độ lệch điện áp đánh thủng, dễ dàng kiểm soát điện áp kẹp, không giới hạn hư hỏng và thể tích nhỏ, TVS diode hiện được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau như hệ thống máy tính, thiết bị liên lạc, bộ nguồn AC/DC, điện tử ô tô, chấn lưu điện tử, thiết bị gia dụng, dụng cụ công nghiệp, cổng I/O, CAN, USB, MP3, PDAS, GPS, CDMA, GSM, 3G, 4G, bảo vệ máy ảnh kỹ thuật số, v.v.
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.