Epitaxy Silicon wafer

Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

  • Sự miêu tả

Mô Tả Sản Phẩm

Epitaxy Silicon wafer

Silicon epitaxy Wafer(Epi Wafer)is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystalwafer silicon(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

The methods for preparing epitaxial silicon wafers include vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy and so on. Among them, chemical vapor deposition (CVD)-based vapor phase epitaxy is the main silicon epitaxial growth process. Commonly used sources are SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 and SiH4.

In order to meet the needs of various semiconductor devices, various silicon epitaxial technologies have been generated for epitaxial silicon wafer production. In addition to the silicon epitaxial growth in low temperature epitaxy and reduced pressure epitaxy, there is also selective epitaxy that deposits a silicon epitaxial layer on a specific part of the silicon wafer.

Các lớp epitaxy có thể được pha tạp, vì nó được gửi, để nồng độ doping chính xác trong khi tiếp tục cấu trúc tinh thể của chất nền.

Epilayer trở suất: <1 ohm-cm lên đến 150 ohm-cm

Epilayer độ dày: <1 um lên đến 150 um

Cấu trúc: N / N +, N / N / N +, N / P / N +, N / N + / P-, N / P / P +, P / P +, P- / P / P +.

Ứng dụng wafer: Digital, Linear, Power, MOS, BiCMOS Thiết bị.

lợi thế của chúng tôi trong nháy mắt

1.Advanced epitaxial growth equipment, test equipment and epitaxial silicon technology.

2.Offer chất lượng cao nhất với mật độ khuyết tật thấp và độ nhám bề mặt tốt.

3.Strong hỗ trợ nhóm nghiên cứu và hỗ trợ kỹ thuật cho khách hàng của chúng tôi

 

6 "(150mm) Wafer đặc điểm kỹ thuật:

Mục   Đặc điểm kỹ thuật
bề mặt Sub đặc tả số  
Phương pháp phát triển phôi CZ
loại dẫn N
dopant Như
Sự định hướng (100) ± 0,5 °
Điện trở ≤0.005Ohm.cm
RRG ≤15%
[Oi] Nội dung 8 ~ 18 ppma
Đường kính 150 ± 0,2 mm
Tiểu Chiều dài phẳng 55 ~ 60 mm
Tiểu Flat Location {110} ± 1 °
Chiều dài Thứ hai Flat bán
Thứ hai Flat Location bán
Độ dày 625 ± 15 um
Backside Đặc điểm:  
1, BSD / Poly-Si (A) 1.BSD
2, SiO2 2.LTO: 5000 ± 500 A
3, Edge Exclusion 3.EE:?0.6 mm
Laser Marking KHÔNG AI
bề mặt phía trước Đánh bóng mặt kính
Epi Kết cấu N / N +
dopant Phos
Độ dày 3 ± 0,2 um
Thk.Uniformity ≤5%
Chức vụ đo lường Trung tâm (1 pt) 10mm từ mép (4 điểm @ 90 độ)
Phép tính [Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] X 100%
Điện trở 2,5 ± 0,2 Ohm.cm
Res.Uniformity ≤5%
Chức vụ đo lường Trung tâm (1 pt) 10mm từ mép (4 điểm @ 90 độ)
Phép tính [Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] X 100%
Ngăn xếp Mật độ lỗi ≤2 (ea / cm2)
Sương mù KHÔNG AI
vết trầy xước KHÔNG AI
Hố, Orange Peel, KHÔNG AI
cạnh Thái ≤1 / 3 Epi dày
Trượt (mm) Tổng chiều dài ≤ 1Dia
Vấn đề nước ngoài KHÔNG AI
Trở lại nhiễm bẩn bề mặt KHÔNG AI
Tổng số khiếm khuyết Point (hạt) [email protected]

Silicon Epi Quế bán-1

Silicon Epi Quế bán-2

6 "Silicon EPI Wafer

4 "Silicon EPI Wafer-1

4 "Silicon EPI Wafer-2

4 "Silicon EPI Wafer-3

4 "Silicon EPI Wafer-4

4 "Silicon EPI Wafer-5

4″ Silicon EPI Wafer-6

3 "Silicon EPI Wafer-1

3 "Silicon EPI Wafer-2

3 "Silicon EPI Wafer-3

4″ Epitaxial Silicon Wafer

Silicon Epitaxy Growth with Boron Dopant by VPE

Bạn cũng có thể thích…