Epitaxy Silicon wafer
Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.
- Sự miêu tả
Mô Tả Sản Phẩm
Epitaxy Silicon wafer
Silicon epitaxy Wafer(Epi Wafer)is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystalwafer silicon(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.
The methods for preparing epitaxial silicon wafers include vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy and so on. Among them, chemical vapor deposition (CVD)-based vapor phase epitaxy is the main silicon epitaxial growth process. Commonly used sources are SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 and SiH4.
In order to meet the needs of various semiconductor devices, various silicon epitaxial technologies have been generated for epitaxial silicon wafer production. In addition to the silicon epitaxial growth in low temperature epitaxy and reduced pressure epitaxy, there is also selective epitaxy that deposits a silicon epitaxial layer on a specific part of the silicon wafer.
Các lớp epitaxy có thể được pha tạp, vì nó được gửi, để nồng độ doping chính xác trong khi tiếp tục cấu trúc tinh thể của chất nền.
Epilayer trở suất: <1 ohm-cm lên đến 150 ohm-cm
Epilayer độ dày: <1 um lên đến 150 um
Cấu trúc: N / N +, N / N / N +, N / P / N +, N / N + / P-, N / P / P +, P / P +, P- / P / P +.
Ứng dụng wafer: Digital, Linear, Power, MOS, BiCMOS Thiết bị.
lợi thế của chúng tôi trong nháy mắt
1.Advanced epitaxial growth equipment, test equipment and epitaxial silicon technology.
2.Offer chất lượng cao nhất với mật độ khuyết tật thấp và độ nhám bề mặt tốt.
3.Strong hỗ trợ nhóm nghiên cứu và hỗ trợ kỹ thuật cho khách hàng của chúng tôi
6 "(150mm) Wafer đặc điểm kỹ thuật:
Mục | Đặc điểm kỹ thuật | |
bề mặt | Sub đặc tả số | |
Phương pháp phát triển phôi | CZ | |
loại dẫn | N | |
dopant | Như | |
Sự định hướng | (100) ± 0,5 ° | |
Điện trở | ≤0.005Ohm.cm | |
RRG | ≤15% | |
[Oi] Nội dung | 8 ~ 18 ppma | |
Đường kính | 150 ± 0,2 mm | |
Tiểu Chiều dài phẳng | 55 ~ 60 mm | |
Tiểu Flat Location | {110} ± 1 ° | |
Chiều dài Thứ hai Flat | bán | |
Thứ hai Flat Location | bán | |
Độ dày | 625 ± 15 um | |
Backside Đặc điểm: | ||
1, BSD / Poly-Si (A) | 1.BSD | |
2, SiO2 | 2.LTO: 5000 ± 500 A | |
3, Edge Exclusion | 3.EE:?0.6 mm | |
Laser Marking | KHÔNG AI | |
bề mặt phía trước | Đánh bóng mặt kính | |
Epi | Kết cấu | N / N + |
dopant | Phos | |
Độ dày | 3 ± 0,2 um | |
Thk.Uniformity | ≤5% | |
Chức vụ đo lường | Trung tâm (1 pt) 10mm từ mép (4 điểm @ 90 độ) | |
Phép tính | [Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] X 100% | |
Điện trở | 2,5 ± 0,2 Ohm.cm | |
Res.Uniformity | ≤5% | |
Chức vụ đo lường | Trung tâm (1 pt) 10mm từ mép (4 điểm @ 90 độ) | |
Phép tính | [Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] X 100% | |
Ngăn xếp Mật độ lỗi | ≤2 (ea / cm2) | |
Sương mù | KHÔNG AI | |
vết trầy xước | KHÔNG AI | |
Hố, Orange Peel, | KHÔNG AI | |
cạnh Thái | ≤1 / 3 Epi dày | |
Trượt (mm) | Tổng chiều dài ≤ 1Dia | |
Vấn đề nước ngoài | KHÔNG AI | |
Trở lại nhiễm bẩn bề mặt | KHÔNG AI | |
Tổng số khiếm khuyết Point (hạt) | ≤30@0.3um |
Silicon Epitaxy Growth with Boron Dopant by VPE
Epitaxy Wafer of Silicon for Integrated Waveguide Optics