Quá trình nâng hạ epiticular cho phép tách các lớp thiết bị III–V khỏi chất nền gali arsenide và đã được khám phá rộng rãi để tránh chi phí cao cho các thiết bị III–V bằng cách tái sử dụng các chất nền. Các quy trình loại bỏ epiticular thông thường đòi hỏi một số bước xử lý hậu kỳ để khôi phục chất nền về tình trạng sẵn sàng epi. Ở đây chúng tôi trình bày một epiticular...
Phát triển quy trình ăn mòn kim loại cổng cho các tấm bán dẫn gallium arsenide Quá trình ăn mòn ion phản ứng của TiWN, được sử dụng làm kim loại cổng trên các tấm bán dẫn của thiết bị gali-arsenide, đã được nghiên cứu trong lò phản ứng plasma tấm đơn, tấm song song hoạt động ở tần số 13,56 MHz. Chúng tôi thảo luận về chương trình thử nghiệm được thiết kế để phát triển...
Xác định điện lượng của asen trong tấm tinh thể gali arsenua Việc xác định các biến thể nhỏ trong phép cân bằng hóa học của gali arsenua bán cách điện, không pha tạp có thể đạt được bằng cách sử dụng phép đo điện lượng dòng không đổi. Các mẫu lấy từ tấm bán dẫn được khắc bằng HF, hòa tan trong dung dịch NaOH-peroxide, sau đó được xử lý bằng dung dịch đệm axit citric. ĐẾN...