Thẻ - LT-GaAs

tăng cường phát xạ terahertz sóng liên tục bởi các điện cực nano trong máy trộn quang dẫn

Phát xạ Trahertz sóng liên tục được tăng cường bởi các điện cực nano trong máy trộn quang điện dẫn Vật liệu bán dẫn được sử dụng làm chất kết dính quang học dựa trên PCA phải thể hiện điện trở suất cao, tính di động của sóng mang cao và tuổi thọ sóng mang siêu ngắn. GaAs trồng ở nhiệt độ thấp (LT GaAs) đã được chứng minh là có các đặc điểm như vậy 14-18. Các mẫu được sử dụng trong thí nghiệm của chúng tôi có lớp LT GaAs dày 1 mm [...]

Một khái niệm mới cho photomixers THz hiệu quả cao dựa trên sự vận chuyển gần như tên lửa đạn đạo và các lớp tái kết hợp LT-GaAs mỏng

A phenomenon of LT-GaAs photoconductive switch triggered by 800nm femtosecond laser The Ti oxide is used as insulator between the electrodes to substitute the air gap of photoconductive semiconductive switch (PCSS). The width of the oxide is smaller than 100nm, the electrodes and substrate’s materials are Ti and LT-GaAs respectively. The simulation [...]

Đặc điểm của thời gian tồn tại của sóng mang LT GaAs trong các tấm wafer hình trục GaAs nhiều lớp bằng kỹ thuật phản xạ thoáng qua

Characterization of LT GaAs carrier lifetime in multilayer GaAs epitaxial wafers by the transient reflectivity technique A methodology for determining the carrier lifetime of LT GaAs buffer layers in GaAs multilayer wafers utilizing the femtosecond transient reflectivity technique is introduced. Experimental results and computer simulations performed as a function of the LT GaAs growth temperature are presented for [...]

Sự phụ thuộc của nồng độ khuyết tật chất khử asen và chế độ tăng trưởng hai chiều vào điều kiện tăng trưởng LT GaAs

Dependence of arsenic antisite defect concentration and two dimensional growth mode on LT GaAs growth conditions We investigated the dependence of Arsenic antisite defect concentration and that of epitaxial thickness (tepi), above which a transition to three dimensional growth appears, on the growth conditions of LTGaAs layers grown by MBE. [...]

nghiên cứu photoemission của LT-GaAs

Photoemission study of LT-GaAs The electronic structure of GaAs (1 0 0) grown by low-temperature molecular beam epitaxy was investigated by means of photoemission spectroscopy. Slight differences are found in the valence band spectra of GaAs layers grown at different As2/Ga flux ratios. Analysis of As 3d core level spectra does not [...]

Laser Nd: YVO4 được bơm đi-ốt được khóa chế độ và chuyển mạch Q thụ động với bộ ghép đầu ra LT-GaAs

Chúng tôi đã chứng minh một laser Nd: YVO4 1064 nm thụ động và khóa chế độ (QML) hiệu quả và nhỏ gọn bằng cách sử dụng chất hấp thụ bão hòa GaAs (LT-GaAs) được nuôi ở nhiệt độ thấp cũng như một bộ ghép đầu ra. QML ổn định với thời lượng phong bì ngắn 10 ns và tốc độ lặp lại chuyển mạch Q là 36 kHz. Nó là ngắn nhất […]

LT-GaAs

We offer LT-GaAs wafer for THz, detector, ultra-fast-optical experiments and other applications. 1. 2″ LT-GaAs Wafer Specification: Item Specifications Diamater(mm) Ф 50.8mm ± 1mm Thickness 1-2um or 2-3um Marco Defect Density ≤ 5 cm-2 Resistivity(300K) >108 Ohm-cm Carrier <1ps Dislocation Density <1×106cm-2 Useable Surface Area ≥80% Polishing Single side polished Substrate GaAs substrate   Remark: Other conditions: 1) GaAs substrate should be undoped/semi-insulating with (100)orientation. 2) Growth temperature: ~ 200-250 C 2. LT-GaAs Introduction: Low-temperature grown GaAs is [...]

Quy trình tạo THz trong LT-GaAs

Quy trình tạo THz trong LT-GaAs Chuyển đổi quang học là kỹ thuật thương mại thành công nhất để tạo THz bằng cách sử dụng GaA được nuôi cấy ở nhiệt độ thấp (LT-GaAs). Kỹ thuật này thường được gọi là Quang phổ miền thời gian Terahertz (THz-TDS). Kỹ thuật này hoạt động bằng cách kích thích xung quang của một công tắc quang dẫn. Ở đây, một xung laser femto giây chiếu sáng một [...]