Top 10 bản ở trong vi điện tử & Bao bì điện tử bằng cách trích dẫn
Bài đăng: PAM-Hạ Môn, Ngày: Jan 13,2020
PAM-Hạ Môn đã biên soạn top 10 các dữ liệu xếp hạng và tên xuất bản trong Microelectronics & Bao bì điện tử bằng cách trích dẫn trong yếu tố tác động (h5-index và trung bình h5, theo Google Scholar)
Các ấn phẩm hàng đầu là:
| Sự xuất bản | h5-index | h5 trung bình | |
| 1. | IEEE giao dịch trên thiết bị điện tử | 56 | 66 |
| 2. | Letters Device IEEE Electron | 53 | 69 |
| 3. | IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM | 44 | 62 |
| 4. | Điện tử Letters | 39 | 50 |
| 5. | Microelectronic Engineering | 34 | 46 |
| 6. | Vi điện tử đáng tin cậy | 32 | 42 |
| 7. | IEEE giao dịch trên Linh kiện, bao bì và công nghệ sản xuất | 30 | 37 |
| 8. | IEEE MTT-S Symposium quốc tế về sóng / | 28 | 38 |
| 9. | Vi điện tử Tạp chí | 28 | 36 |
| 10. | IEEE Symposium trên VLSI Công nghệ | 27 | 46 |
Tham khảo: Vi điện tử & Bao bì điện tử
Top 1 là IEEE Giao dịch trên thiết bị điện tử, trong đó công bố đóng góp ban đầu và có ý nghĩa liên quan đến lý thuyết, mô hình, thiết kế, hiệu suất và độ tin cậy của electron và tích hợp ion thiết bị mạch và liên kết nối. Trong ấn phẩm này, top 5 bài viết có sự đóng góp lớn nhất của h5-index:
| Tiêu đề / Tác giả | Trích dẫn | Năm |
| Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element
GW Burr, RM Shelby, S Sidler, C di Nolfo, J Jang, tôi Boybat, RS Shenoy, ... |
353 | 2015 |
| GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
KJ Chen, O Häberlen, A Lidow, C lin Tsai, T Ueda, Y Uemoto, Y Wu |
205 | 2017 |
| Vertical Power pn Diodes Based on Bulk GaN
IC Kizilyalli, AP Edwards, O Aktas, T Prunty, D Bour |
170 | 2014 |
| Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs
AJ Lelis, R Green, DB Habersat, M El |
155 | 2014 |
| Crossbar RRAM Arrays: Selector Device Requirements During Read Operation
J Zhou, KH Kim, W Lu |
107 | 2014 |
Hệ thống đánh giá H-yếu tố ban đầu được đề xuất bởi Jorge Hirsch, một nhà vật lý California, để đánh giá ảnh hưởng của một học giả. Đó là để nói, một người đã được trích dẫn ít nhất n giấy tờ trong tất cả các giấy tờ học tập xuất bản của mình, và h-index của ông là n. Tương tự, Google Scholar sử dụng nó để đánh giá tạp chí và đặt ra một thời hạn năm năm để tránh những vấn đề mà các yếu tố H chỉ tăng và không giảm. Một khái niệm khác có liên quan là H5 trung bình, trong đó đề cập đến số lượng trích dẫn các giấy tờ trung bình H-CORE. Đây cũng là khác biệt so với các khái niệm về trung bình khi tính toán các yếu tố tác động.
So với các yếu tố tác động hai năm, nó là khó khăn hơn để mọi người cố tình thao tác các chỉ số tạp chí đo lường dựa trên H5. Yếu tố H5 không làm tăng đáng kể vì số lượng giấy tờ trích dẫn. Như đã đề cập trước đó, cố ý giảm số lượng bài viết sẽ không chỉ không có hiệu lực về thúc đẩy các yếu tố H5, nhưng cũng có một tác động tiêu cực. Dưới đây h5 là các bài báo xuất bản năm 2014-2018
Định nghĩa: Vi điện tử và Bao bì điện tử: nghiên cứu và sản xuất vi điện tử, đa chip mô-đun công nghệ, bao bì điện tử, vật liệu bán dẫn, gắn kết bề mặt và các công nghệ liên quan khác, mối liên kết, RF và lò vi sóng, truyền thông không dây, sản xuất, thiết kế, kiểm tra, và độ tin cậy dựa trên vật liệu bán dẫn như silicon, SiC wafer, và GaN wafer. Chuỗi quá trình hoàn thiện bề mặt là chất bán dẫn, epitaxy bán dẫn, thiết bị bán dẫn hoặc mô-đun và đóng gói điện tử.