PAM-XIAMEN can offer UV LED epi wafer, which is grown by our MOCVD range from 275nm to 405nm. Ultraviolet electromagnetic radiation, commonly known as UV, is used in many industries and applications. The emerging UV LED will be a competitive technology that can drive new innovative applications. UV-LED has a long service life and is more environmentally friendly than conventional mercury UV lamps.
1. Specifications of UV LED Epi Wafer
Mục | Size | Định hướng | Emission | Wavelength | Thickness | bề mặt | Surface | Usable area |
PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
2. The Structure of UV LED Epitaxy
PAM-190320-UV-LED
Composition | Độ dày |
CTL | 5nm |
P-ALGaN/GaN | – |
EBL | – |
MQW | – |
SRL | 60nm |
N-GaN (N-AlGaN) | – |
U-GaN | – |
AlN | 25nm |
PSS | – |
The UV Epi LED chip performances are below:
BIN | VF1 | LOP1 | WLP1 | HW1 | INT1 |
1 | 3.77 | 28.9 | 366.1 | 17 | 12157 |
1 | 3.76 | 30.04 | 366.2 | 17.1 | 13281 |
2 | 3.73 | 22.07 | 366.3 | 17 | 8791 |
1 | 3.67 | 29.48 | 366.1 | 17.2 | 12961 |
1 | 3.73 | 21.06 | 366.1 | 17 | 8417 |
1 | 3.72 | 33.44 | 366 | 17.2 | 15812 |
1 | 3.73 | 37.23 | 366 | 17.4 | 18198 |
1 | 3.74 | 38.44 | 365.9 | 17.4 | 19148 |
1 | 3.75 | 38.84 | 366.2 | 17.5 | 18683 |
1 | 3.75 | 39.73 | 366.3 | 17.6 | 19625 |
3. About UV LED Epi Wafer Process
3.1 Making Semiconductor Wafer and Substrate
Đầu tiên, làm wafer bán dẫn. Thành phần vật liệu cụ thể -GaAs, GaP hoặc một số chất ở giữa được xác định bởi màu của đèn LED được tạo ra. Chất bán dẫn tinh thể phát triển trong phòng nhiệt độ cao và áp suất cao. Gallium, asen và / hoặc phốt pho được tinh chế và trộn lẫn với nhau trong buồng. Hóa lỏng nhiệt và áp suất và ép các thành phần lại với nhau, buộc chúng vào dung dịch. Để ngăn chúng thoát ra khỏi khí điều áp trong buồng, chúng thường được phủ một lớp oxit boron lỏng, niêm phong chúng để chúng dính vào nhau. Điều này được gọi là đóng gói chất lỏng hoặc phương pháp tăng trưởng tinh thể Czochralski. Nhưng đối với đèn LED UV, vật liệu sapphire thường được sử dụng.
Thứ hai, cắt các thỏi thành các tấm bán dẫn rất mỏng, dày khoảng 10 triệu, hoặc dày như túi rác. Đánh bóng các tấm wafer cho đến khi bề mặt rất mịn, vì vậy chúng có thể dễ dàng chấp nhận nhiều lớp bán dẫn hơn trên bề mặt. Nguyên tắc tương tự như đánh bóng bàn trước khi vẽ. Mỗi wafer sẽ là một vật liệu tinh thể duy nhất có thành phần đồng nhất. Thật không may, đôi khi có những khiếm khuyết trong tinh thể khiến đèn led hoạt động kém. Hãy xem xét sự không hoàn hảo của những bông hoa hoặc đường không trộn lẫn trong bánh trong quá trình nướng. Quá trình đánh bóng cũng có thể gây ra khuyết tật; Các khuyết tật như vậy cũng có thể làm giảm hiệu suất thiết bị. Càng nhiều tinh thể trông giống như một lỗ hổng, nó càng hoạt động giống như một tinh thể duy nhất. Không có cấu trúc tinh thể thông thường, vật liệu sẽ không hoạt động như một chất bán dẫn. Đồng thời, đối với chất nền sapphire sẵn sàng epi, độ phẳng của nó cũng là một thông số quan trọng đối với epit Wax, thông thường, đối với kích thước 2 thép, TTV <10um, BOW <10um, WARP <10um.
Finally, clean the wafer using various solvents through rigorous chemical and ultrasonic processes. This process removes dirt, dust, or organic matter that may have settled on the surface of the polished wafer. The cleaner the treatment, the better the LED produced. For sapphire substrate used in UV LED, its surface should be treated as Ra<0.2nm.
3.2 Add Epitaxial Layer
Grow additional layers of semiconductor crystals on the surface of the wafer, such as adding more layers to a filter cake. This is a method of adding impurities or dopants to a crystal. This time the crystal layer is grown by a process called MOCVD. In this technique, the epitaxial layer – a semiconductor layer with the same crystal-orientation as the substrates below – is deposited on the wafers in different GaN material inlcuding undoped AlGaN, n doped AlGaN and key material InGaN for quantum wells. The wafer is placed on a graphite slide, which is pushed through a channel below the container that holds the molten liquid, or melt. Different dopants can be added to a continuous melt or multiple dopants can be added to the same melt to produce a material layer with different electron density. The deposited layers will be a continuation of the crystalline structure of the wafer.
After the LED epi layer is deposited, additional dopants may be added to alter the color or efficiency characteristics of the diode. If doped otherwise, the wafer is placed again in a high temperature furnace tube, where nitrogen or ammonium zinc is most commonly immersed in a gaseous atmosphere containing the dopant. During the LED epi process, Nitrogen is usually added to the top of the diode to make the light ultraviolet.
3.3 Add Metal Contacts on UV LED Epi Wafer
Tiếp xúc kim loại sau đó được xác định trên wafer. Mẫu tiếp xúc được xác định ở giai đoạn thiết kế và phụ thuộc vào việc diode được sử dụng một mình hay kết hợp. Tái tạo các mẫu tiếp xúc trong các hợp chất chống quang điện và quang hợp; Khi wafer quay, điện trở lỏng được lắng đọng dưới dạng một giọt và phân bố trên bề mặt. Làm cứng điện trở bằng cách nung nhanh ở nhiệt độ thấp (khoảng 215 độ F hoặc 100 độ C). Tiếp theo, mẫu chính hoặc mặt nạ được đặt trên chip và được sao chép trên bộ cảm quang với điện trở tiếp xúc với tia cực tím (như trong trường hợp ảnh được làm từ âm bản). Vùng tiếp xúc của điện trở được rửa sạch với nhà phát triển và vùng không phơi sáng được giữ lại, bao phủ lớp bán dẫn.
Bây giờ kim loại tiếp xúc bốc hơi lên mẫu, lấp đầy khu vực tiếp xúc. Sự bay hơi diễn ra trong một nhà kính cao khác, nơi nó được hút chân không. Một miếng kim loại lớn được nung nóng đến nhiệt độ mà nó bốc hơi. Nó ngưng tụ và dính vào các tấm bán dẫn tiếp xúc, giống như hơi nước nguyên tử hóa Windows lạnh. Sau đó rửa chất quang điện bằng acetone, chỉ để lại các điểm tiếp xúc kim loại. Nó phụ thuộc vào mo ở cuối
3.4 Mounting and Packaging
Individual UV LED epi wafer is mounted on the appropriate package and the entire assembly is sealed in plastic.
4. Application of 365 nm UV LED Epitaxial Wafer
Forged document detection
Salmonella and Shigella bacteria detection
Drivers licence UV markings
Dye penetrate inspection (NDI/NDT)
Magnetic surface analysis
Counterfeit currency detection
UV Curing (requiring 365nm)
Hotel room inspection
Cat Urine
Bathroom inspection
Please contact us to discuss UV LED epi wafer specifications, including other wavelength, dimension, layer thickness and epitaxial design.
Để biết thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi email tạivictorchan@powerwaywafer.com và powerwaymaterial@gmail.com.