ảnh Mask

Chào PAM-Hạ Mônnạ

Một mặt nạ ảnh là một lớp phủ mỏng của vật liệu được hỗ trợ bởi một chất nền dày che, và các vật liệu che hấp thụ ánh sáng để mức độ khác nhau và có thể được theo khuôn mẫu với một thiết kế tùy chỉnh. Các mô hình được sử dụng để điều chỉnh ánh sáng và chuyển mô hình thông qua quá trình in ảnh litô đó là quá trình cơ bản dùng để xây dựng gần như tất cả các thiết bị kỹ thuật số ngày nay.

  • Sự miêu tả

Mô Tả Sản Phẩm

ảnh Mask

Chào PAM-Hạ Mônnạ

Mặt nạ quang kích thước lớn

Mặt nạ quang Middium và quy mô nhỏ

tấm ảnh

Phim Letterpress nhiếp ảnh

Phim ảnh

Chrome Photomask

Chromium Photomask Blank

Mặt nạ quang khắc

Mộtmặt nạ ảnhlà một lớp phủ mỏng của vật liệu che hỗ trợ bởi một bề mặt dày hơn, và các vật liệu che hấp thụ ánh sáng để mức độ khác nhau và có thể được theo khuôn mẫu với một thiết kế tùy chỉnh. Các mô hình được sử dụng để điều chỉnh ánh sáng và chuyển mô hình thông qua quá trình in ảnh litô đó là quá trình cơ bản dùng để xây dựng gần như tất cả các thiết bị kỹ thuật số ngày nay.

một mặt nạ quang là gì

Một mặt nạ quang là một tấm đục lỗ hoặc trong suốt cho phép ánh sáng để tỏa sáng trong một mô hình xác định. Họ thường được sử dụng trong in ảnh litô. phương pháp in thạch bảnnạthường trong suốt khoảng trống silic đã nung chảy bao phủ bởi một mô hình định nghĩa với một bộ phim kim loại hấp thụ chrome.nạ are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Mặt nạ liệu -Difference giữa thạch anh và Soda chanh Glass:

Các loại phổ biến nhất của thủy tinh cho mặt nạ sản xuất là thạch anh và Soda chanh. Thạch anh là đắt hơn, nhưng có lợi thế là một hệ số thấp hơn nhiều số giãn nở nhiệt (có nghĩa là nó mở rộng ít hơn nếu mặt nạ được ấm áp trong khi sử dụng) và cũng là minh bạch ở sâu cực tím (DUV) bước sóng, nơi Soda Lime kính là đục. Thạch anh cần phải được sử dụng khi các bước sóng được sử dụng để tiếp xúc với mặt nạ là nhỏ hơn hoặc bằng 365nm (i-line) .A photolithography mặt nạ là một tấm đục hoặc phim với vùng trong suốt cho phép ánh sáng để tỏa sáng trong một mô hình xác định. Họ thường được sử dụng trong các quá trình quang khắc, nhưng cũng được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác bằng một loạt các ngành công nghiệp và công nghệ. Nó tồn tại loại khác nhau của mặt nạ cho các ứng dụng khác nhau cụ thể là dựa vào độ phân giải cần thiết.

Để xem chi tiết sản phẩm nhiều hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi tại [email protected] hoặc [email protected]

 

1X Mask Thạc sĩ

1X Kích thước tổng thể Mask và Vật liệu Substrate

Sản phẩm Kích thước Vật liệu bề mặt
1X Thạc sĩ 4” X4” X0.060” hoặc 0,090” Thạch anh và Soda chanh
5” X5” X0.090” Thạch anh và Soda chanh
6” X6” X0.120” hoặc 0,250” Thạch anh và Soda chanh
7” X7” X0.120” hoặc 0,150” Thạch anh và Soda chanh
7,25” Vòng X 0,150” đá thạch anh
9” X9” X0.120” hoặc 0,190” Thạch anh và Soda chanh

 

Thông số kỹ thuật chung cho Mặt nạ Thạc sĩ 1X (Quartz Chất liệu)

Kích CD CD Mean-to-danh nghĩa CD đồng nhất Đăng ký Kích thước khuyết tật
2,0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≥2.0 um
4,0 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≥3.5 um

 

Thông số kỹ thuật chung cho Mặt nạ Thạc sĩ 1X (Soda Lime Material)

Kích CD CD Mean-to-danh nghĩa CD đồng nhất Đăng ký Kích thước khuyết tật
≤4 um ≤0.25 um ---- ≤0.25 um ≥3.0 um
> 4 um ≤0.30 um ---- ≤0.45 um ≥5.0 um

 

UT1X Mask

Kích thước Mask UT1X và Vật liệu Substrate

Sản phẩm Kích thước bề mặt vật liệu
UT1X 3 "X5" X0.090 " đá thạch anh
5 "X5" X0.090 " đá thạch anh
6 "X6" X0.120 "hoặc 0,250" đá thạch anh

 

Thông số kỹ thuật chung cho Mặt nạ UT1X

Kích CD CD Mean-to-danh nghĩa CD đồng nhất Đăng ký Kích thước khuyết tật
1,5 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.50 um
3,0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥0.60 um
4,0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.20 um ≥0.75 um

 

Mặt nạ nhị phân chuẩn

Chuẩn Kích thước Mask Binary và Vật liệu Substrate

Sản phẩm Kích thước Vật liệu bề mặt
2X 6 "X 6" X0.250 " đá thạch anh
2.5x
4X
5X 5 "X5" X0.090 " đá thạch anh
6 "X6" X0.250 " đá thạch anh

 

Thông số kỹ thuật chung cho Mặt nạ Chuẩn Binary

Kích CD CD Mean-to-danh nghĩa CD đồng nhất Đăng ký Kích thước khuyết tật
2,0 um ≤0.10 um ≤0.15 um ≤0.10 um ≥0.50 um
3,0 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.75 um
4,0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥1.00 um

 

Mặt nạ Diện tích trung bình

Kích thước Mask Diện tích vừa và Vật liệu

Sản phẩm Kích thước Vật liệu bề mặt
1X 9 "X9" 0,120 " Thạch anh Soda Vôi (absorbers cả Chrome và Iron Oxide có sẵn)
9 "X9" 0,190 " đá thạch anh

 

Thông số kỹ thuật chung cho Mặt nạ Diện tích Medium (Quartz Chất liệu)

Kích CD CD Mean-to-danh nghĩa CD đồng nhất Đăng ký Kích thước khuyết tật
0.50 um ≤0.20 um ---- ≤0.15 um ≥1.50 um

 

Thông số kỹ thuật chung cho Mặt nạ Diện tích Medium (Soda Lime Material)

Kích CD CD Mean-to-danh nghĩa CD đồng nhất Đăng ký Kích thước khuyết tật
10 um ≤4.0 um ---- ≤4.0 um ≥10 um
4 um ≤2.0 um ---- ≤1.0 um ≥5 um
2,5 um ≤0.5 um ---- ≤0.75 um ≥3 um

Bạn cũng có thể thích…