Gan rtd epitaxial wafer *s
Due to the early start of research on GaAs based RTDs (resonant tunneling diodes) and the high maturity of related products, RTDs based on III group arsenide material systems have achieved commercial applications. Compared with GaAs materials, GaN materials have a wider bandgap, higher saturation electron rate, and thermal stability. Therefore, GaN based RTDs have the potential to achieve higher operating frequencies and output power at room temperature. Moreover, the AIN/GaN heterojunction interface has a large conduction band order (~2.1eV), which makes the AI (Ga) N/GaN double barrier RTD have good tunability. PAM-XIAMEN can grow GaN RTD epitaxial wafer, with the following epi-structure as an example. We also offer customized growth services. Send your structure to [email protected], vi vil støtte dig professionelt.
1. GaN RTD -epitaksial struktur
| Epi-lag | Materiale | Tykkelse | Dopingkoncentration |
| Kontaktlag | n-gan | – | Si ： 2*1019cm-3 |
| Afstandsstykket | Uid gan | – | |
| Tunneling barriere | AlN | – | |
| QW | GAN | – | |
| Tunneling barriere | AlN | 1,5 nm | |
| Afstandsstykket | Uid gan | – | |
| Kontaktlag | n-gan | – | – |
| Buffer | GaN buffer | ||
| substrat | FS GaN eller GaN/Sapphire skabelon |
RTD er en kvanteeffektenhed og også en enhed af lodret type. Nitridbaserede resonante tunneldioder betragtes som ideelle enheder til at opnå højeffekt terahertz-svingningskilder ved stuetemperatur og er i øjeblikket et varmt emne i RTD-forskning internationalt. GAN -materialet i sig selv har en stor langsgående optisk (LO) Phonon Energy (92MEV), som kan studeres gennem GAN -baserede RTD -enheder for at undersøge mekanismen for interbåndsovergang i nitrider, hvilket lægger grundlaget for at realisere interbåndsovergang Optiske enheder, såsom stuetemperatur kvante cascade lasers.
2. præstationSTudy af GanResonantTophævelseDioder påDanderledesSUbstrats
Et team har undersøgt præstationsforskellene i ALN/GaN RTDS dyrket på fritstående (FS) GaN-substrat og GaN/Sapphire-skabelon. Forskningsresultaterne indikerer, at gittermatchning og termisk matchning af underlaget er afgørende for den epitaksiale vækstkvalitet og enhedsydelse af RTD'er. Lavere defektdensitet, flad overflademorfologi og pludselig heterojunction -grænseflader er nøglefaktorer for at opnå stuetemperatur negativ differentiel resistens (NDR) egenskaber. Sammenlignet med safirsubstrat har FS GaN-substrat desuden bedre gittermatchning og termisk matchning, hvilket muliggør vækst af gan-epitaksiale lag af høj kvalitet og opnåelse af NDR-egenskaber ved stuetemperatur.
Denne undersøgelse bekræfter også muligheden for præcis kontrol af resonans tunneling ved dyrkning af nitrider på safirunderlag, hvilket giver en ny, billigere og lettere at integrere substratvalg til opnåelse af nitridresonansunnelingstrukturer og vil i høj grad fremme udviklingen af nitridbaseret enkelt-chip mikrobølge integrerede kredsløb på sapphire-underlagsstrukturer og jævn siliconstrøm.
I fremtiden er der behov for yderligere dybdegående forskning for at undersøge vækstmekanismen for GaN-baserede RTD'er på to underlag ved anvendelse af MBE-metode og udforske metoder til at reducere defektdensitet og forbedre enhedens ydeevne.
* Licens nødvendigt.
Uanset om du har brug for GaN -epitaxy til forskning eller til industrielle applikationer, bedes du kontakte os e -mail på[email protected] og [email protected].