رقاقة السيليكون

PAM-XIAMEN, a silicon wafer manufacturing company, offers silicon wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer, CZ wafer, epitaxial wafer, polished wafer, etching wafer.

The silicon wafer manufacturing process is crystal pulling, dicing, grinding, chamfering, etching, polishing, cleaning and inspection, among which crystal pulling, wafer polishing and inspection are the core links of Si wafer manufacturing. As the basic semiconductor substrate, silicon wafers must have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination to maintain the original designed functions of the chip. The high-specification requirements of semiconductor silicon wafers make its manufacturing process complicated. The four core steps include polysilicon purification and polysilicon ingot casting, single crystal Si wafer growth, and Si wafer cutting and shaping. As a raw material for wafer fab, the quality of silicon wafers directly determines the stability of the wafer application process. Large-size silicon wafers have become the future development trend of silicon wafers. In order to improve production efficiency and reduce costs, more and more large-size silicon wafers are used.

  • 12 ″ رقاقة سيليكون الدرجة الممتازة

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • رقائق السيليكون 12 بوصة 300 مم TOX (رقاقة الأكسدة الحرارية Si)

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 12 درجة اختبار رقاقة السيليكون

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • تطفو منطقة أحادي البلورية السيليكون

    يمكن لشركة PAM-XIAMEN أن تقدم رقاقة السيليكون ذات المنطقة العائمة، والتي يتم الحصول عليها بطريقة المنطقة العائمة. يتم الحصول على قضبان السيليكون أحادية البلورية من خلال نمو المنطقة العائمة، ومن ثم معالجة قضبان السيليكون أحادية البلورية إلى رقائق السيليكون، والتي تسمى رقائق السيليكون ذات المنطقة العائمة. نظرًا لأن رقاقة السيليكون المنصهرة في المنطقة ليست على اتصال مع بوتقة الكوارتز أثناء عملية السيليكون في المنطقة العائمة، فإن مادة السيليكون تكون في حالة معلقة. وبالتالي، فهو أقل تلوثًا أثناء عملية ذوبان السيليكون في المنطقة العائمة. محتوى الكربون ومحتوى الأكسجين أقل، والشوائب أقل، والمقاومة أعلى. إنها مناسبة لتصنيع أجهزة الطاقة وبعض الأجهزة الإلكترونية ذات الجهد العالي.

  • اختبار رقاقة مراقب يفر الدمية يفر

    باعتبارها شركة مصنعة للرقاقات الوهمية، تقدم PAM-XIAMEN رقاقة السيليكون الوهمية / رقاقة الاختبار / رقاقة المراقبة، والتي يتم استخدامها في جهاز الإنتاج لتحسين السلامة في بداية عملية الإنتاج وتستخدم لفحص التسليم وتقييم نموذج العملية. نظرًا لأن رقائق السيليكون الوهمية غالبًا ما تستخدم للتجربة والاختبار، فإن حجمها وسمكها يعدان من العوامل المهمة في معظم المناسبات. تتوفر الرقاقات الوهمية 100 مم، 150 مم، 200 مم، أو 300 مم.

  • تشيكوسلوفاكيا أحادي البلورية السيليكون

    يمكن لشركة PAM-XIAMEN، وهي شركة منتجة للسيليكون أحادي البلورية، أن تقدم رقائق السيليكون أحادية البلورية <100> و<110> و<111> مع إشابة N&P في 76.2~200 مم، والتي يتم زراعتها بطريقة CZ. طريقة Czochralski هي طريقة نمو بلوري، يشار إليها باسم طريقة CZ. يتم دمجه في نظام حرارة الأنبوب المستقيم، الذي يتم تسخينه بواسطة مقاومة الجرافيت، ويذيب البولي سيليكون الموجود في بوتقة كوارتز عالية النقاء، ثم يقوم بإدخال بلورة البذور في سطح الذوبان للحام. بعد ذلك، يتم خفض وذوبان بلورة البذور الدوارة. يتم اختراق الجسم ولمسه، ثم رفعه تدريجيًا، وإنهائه أو سحبه من خلال خطوات العنق، والرقبة، والكتف، والتحكم في القطر المتساوي، والتشطيب.

  • الفوقي رقاقة السيليكون

    رقاقة السيليكون الفوقي (Epi Wafer) عبارة عن طبقة من بلورة السيليكون الفوقي المفردة المترسب على رقاقة السيليكون البلورية المفردة (ملاحظة: إنها متاحة لتنمية طبقة من طبقة السيليكون البلورية المتعددة فوق رقاقة السيليكون البلورية المفردة شديدة التطعيم، ولكنها يحتاج إلى طبقة عازلة (مثل الأكسيد أو بولي-Si) بين ركيزة Si السائبة وطبقة السيليكون الفوقي العلوية، كما يمكن استخدامه لترانزستور الفيلم الرقيق.

  • ويفر مصقول

    يمكن أن تقدم PAM-XIAMEN الرقاقة المصقولة، من النوع n أو النوع p مع الاتجاه عند <100> أو <110> أو <111>. رقائق مصقولة من FZ، تُستخدم أساسًا لإنتاج مقوم السيليكون (SR)، ومقوم التحكم بالسيليكون (SCR)، والترانزستور العملاق (GTR)، والثايرستور (GRO)

  • النقش ويفر

    رقائق السيليكون المحفورة التي تقدمها شركة PAM-XIAMEN هي رقائق محفورة من النوع N أو النوع P، والتي تتميز بخشونة منخفضة، وانعكاسية منخفضة وانعكاسية عالية. تتميز رقاقة النقش بخصائص الخشونة المنخفضة واللمعان الجيد والتكلفة المنخفضة نسبيًا، وتحل محل الرقاقة المصقولة أو الرقاقة الفوقية التي لها تكلفة عالية نسبيًا لإنتاج العناصر الإلكترونية في بعض المجالات، مما يقلل التكاليف.