تكنولوجيا

عملية الويفر:

نمو رقاقة الكريستال

في تصنيع الرقائق البلورية، الخطوة الحاسمة الأولى هي نمو البلورة المفردة. استخدام البلورات المتعددة كمادة خام مع نسبة صغيرة من المنشطات، مثل النيتروجين والفاناديوم والبورون أو الفوسفور. (تحدد هذه المادة الخواص الكهربائية، أو مقاومة الرقائق، التي يتم تقطيعها من البلورة)، وتنمو السبائك من خلال فرن النمو المحكم.

قطع الويفر

تتم إزالة نهاية البذرة (العلوية) والنهاية المدببة (السفلية) للسبائك، ثم يتم تقطيع السبيكة إلى أقسام أقصر من أجل تحسين عملية التقطيع التي ستتبع لاحقًا. بعد ذلك، يتم طحن كل قسم إلى القطر المحدد على مخرطة ميكانيكية. وأخيرًا يتم تقطيع الكريستال إلى رقائق.

تلميع الويفر

تلميع الرقاقة مطلوب لتصنيع الرقاقة لأجهزة أشباه الموصلات. الخطوة الأولى هي اللف الخشن عن طريق التلميع الميكانيكي، والخطوة الثانية هي التلميع الرقيق بواسطة CMP (التلميع الميكانيكي الكيميائي)، لتحسين تسطيح الرقاقة وخشونة السطح، وجعل سطحها للحصول على الدقة من الشريحة الفوقي، وأخيراً تصبح رقاقة جاهزة لبرنامج التحصين الموسع.

تنظيف الويفر

أثناء التلميع، تنتقل الرقائق بالفعل إلى سلسلة من أنظمة التنظيف. ولكن قبل تعبئة الرقائق في حاويات، لا يزال يتعين عليهم فحص الرقائق لمعرفة ما إذا كانت هناك خدوش أو بقع أو شوائب.

ويفر Epitaxy

Epitaxy هي عملية تعمل على تنمية طبقة رقيقة من السطح المصقول لركيزة الرقاقة بواسطة مفاعل، ومن ثم تصبح طبقة epiwafer، والتي توفر لعملائنا إمكانية بناء أجهزة أشباه الموصلات المركبة في العالم.

تكنولوجيا النمو و Epitaxy

تكنولوجيا مرحلة بخار الهيدريد (HVPE).

تم تطويره بواسطة عملية وتقنية HVPE لإنتاج أشباه الموصلات المركبة مثل GaN وAlN وAlGaN. يتم استخدامها في تطبيقات واسعة: إضاءة الحالة الصلبة، والإلكترونيات الضوئية ذات الطول الموجي القصير، وجهاز طاقة الترددات اللاسلكية.

إذا كنت بحاجة إلى مزيد من المعلومات، يرجى الاطلاع على: https://www.powerwaywafer.com/GaN-Templates.html

تقنية الشعاع الجزيئي (MBE).

MBE هي طريقة لوضع طبقات من المواد ذات السماكة الذرية على الركائز. ويتم ذلك عن طريق إنشاء "شعاع جزيئي" من مادة تصطدم بالركيزة. تتمتع "الشبكات الفائقة" الناتجة بعدد من الاستخدامات المهمة من الناحية التكنولوجية، بما في ذلك ليزر الآبار الكمومية للأنظمة شبه الموصلة، والمقاومة المغناطيسية العملاقة للأنظمة المعدنية.

تكنولوجيا ترسيب الأبخرة الكيميائية العضوية المعدنية (MOCVD).

ترسيب البخار الكيميائي العضوي للمعادن (MOCVD) أو تنضيد طور البخار المعدني العضوي (MOVPE) هو طريقة ترسيب بخار كيميائي للتنقيط عن طريق ترسيب الذرات على ركيزة من الرقاقة.

إذا كنت بحاجة إلى مزيد من المعلومات، يرجى الاطلاع على: https://www.powerwaywafer.com/GaAs-Epiwafer.html

والآن نقدم مقدمة موجزة عن MBE وMOCVD.

1: إم بي إي

MBE هي طريقة لوضع طبقات من المواد ذات السماكة الذرية على الركائز. ويتم ذلك عن طريق إنشاء "شعاع جزيئي" من مادة تصطدم بالركيزة. تتمتع "الشبكات الفائقة" الناتجة بعدد من الاستخدامات المهمة من الناحية التكنولوجية، بما في ذلك ليزر الآبار الكمومية للأنظمة شبه الموصلة، والمقاومة المغناطيسية العملاقة للأنظمة المعدنية.
In the compound semiconductor industry, using MBE technology,we grow epitaxial layers on GaAs and other compound semiconductor substrates,and offer epi wafers and develop multilayer substrates for for microwaves and RF applications.

1-1: خصائص الحزمة الجزيئية:

معدل نمو منخفض ~ 1 أحادي الطبقة (مستوى شعرية) في الثانية
Low growth temperature (~ 550°C for GaAs)
Smooth growth surface with steps of atomic height and large flat terraces
Precise control of surface composition and morphology
Abrupt variation of chemical composition at interfaces
In-situ control of crystal growth at the atomic level

1-2: مميزات تقنية MBE:

بيئة نمو نظيفة
Precise control of the beam fluxes
and growth condition
Easy implementation of in situ
diagnostic instruments
Compatibility with other high vacuum
thin-film processing methods (metal
evaporation, ion beam milling, ion implantation)

1-3: عملية MBE:

2: موكفد

ترسيب البخار الكيميائي العضوي للمعادن (MOCVD) أو تنضيد طور البخار المعدني العضوي (MOVPE) هو طريقة ترسيب بخار كيميائي للتنقيط عن طريق ترسيب الذرات على ركيزة من الرقاقة.
The MOCVD principle is quite simple: Atoms that you would like to be in your crystal are combined with complex organic gas molecules and passed over a hot wafer substrate. The heat breaks up the molecules and deposits the desired atoms on the surface, layer by layer. By varying the composition of the gas, we can change the properties of the crystal at an almost atomic scale. It can grow high quality semiconductor layers and the crystal structure of these layers is perfectly aligned with that of the substrate.