PAM-XIAMEN kan levere en serie produkter af terahertz-chip: Power Amplifier (PA) Chip, Low Noise Amplifier (LNA) Chip, PIN / FET Switch, Zero Bias Detector Chip, Amplification Frequency Multiplication Chain (AMC) Chip, MIXER Chip, Schottky Frequency Multiplication MMIC, Schottky Mixing MMIC og Attenuator Chip. Terahertz-chippen er en helt ny mikrochip, en signalforstærker, og driftshastigheden for terahertz-chips når 1 THz. Flere detaljer om THz-chippen findes i den følgende del.
1. Terahertz Chip Specifikationer
Den vellykkede udvikling af terahertz-chips giver stærk teknisk support til terahertz billedradar med høj opløsning, terahertz trådløs højhastighedskommunikation osv.
1.1 THz PA-chip
| Vare | Freq (GHz) | Specs |
| PAM-075PA | DC-75 | 1.III / IV Materialer |
| 2.Forstærkning: 12dB | ||
| 3. psat: NA | ||
| 4.P1dB: 15dBm | ||
| PAM-6PA | 6-27 | 1.III / IV Materialer |
| 2.Forstærkning: 23dB | ||
| 3. psat: 21 dBm | ||
| 4.P1dB: 19dBm | ||
| PAM-15PA | 15-43 | 1.III / IV Materialer |
| 2.Forstærkning: 20dB | ||
| 3. psat: 30 dBm | ||
| 4.P1dB: 29,5dBm |
PA-chippen er en af kernekomponenterne i transceiveren i terahertz-systemet. Signaleffekten genereret af moduleringsoscillatorkredsløbet i senderens frontende er generelt meget lille. En terahertz effektforstærker kan forstærke signaleffekten, så signaloverførselsafstanden er længere.PAM-XIAMEN kan også tilbyde THz-chippen med frekvensen 24-28 GHz, 24-43 GHz, 20-50 GHz osv. For mere information, kontakt os venligst.
1.2 Terahertz LNA-chip
| Vare | Freq (GHz) | Specs |
| PAM-17LNA | 17-23 | 1.III / IV Materialer |
| 2. Strømforstærkning: 28dB | ||
| 3.NF: 1,2 dB | ||
| 4.P1dB: 4dBm | ||
| PAM-22LNA | 22-32 | 1.III / IV Materialer |
| 2. Strømforstærkning: 28dB | ||
| 3.NF: 1,4 dB | ||
| 4.P1dB: 5dBm | ||
| PAM-32LNA | 32-52 | 1.III / IV Materialer |
| 2. Strømforstærkning: 29dB | ||
| 3.NF: 1,8 dB | ||
| 4.P1dB: 4dBm |
Terahertz-systemet er en generel retning af terahertz-teknologiforskning. Nøglen til at studere terahertz-systemer er at udvikle terahertz-sender- og modtagersystemer kraftigt. Terahertz signal tabstab er relativt stort, så forstærkeren er vigtigere. Modtageren forbedrer hovedsageligt støjtal og fasestøjindeks, og senderen forbedrer primært outputeffekten. Så terahertz LNA-chippen kan bruges, hvilket kan gøre systemet ultra lav støj, fuldbåndsdækning og enkelt spændingsforsyning.
Arbejdsfrekvensen af terahertz-chippen fra os er forskellig fra lav til høj, som 37-43 GHz, 90-110 GHz, 210-27 GHz og så videre. Send venligst e-mail til victorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com for yderligere oplysninger.
1.3 PIN / FET Tænd THz Chip
| Vare | Freq (GHz) | Specs |
| PAM-05SW1 | DC-70 | 1. PIN-switch / SPST |
| 2.S21: 0,8 dB | ||
| 3. isolering: 30 dB | ||
| 4.S11: -15dB | ||
| PAM-05SW2 | DC-70 | 1.PIN-switch / SPDT |
| 2.S21: 1.0dB | ||
| 3.Isolation30dB | ||
| 4.S11: -18dB | ||
| PAM-05SW3 | DC-70 | 1.PIN-switch / SP3T |
| 2.S21: 1,2 dB | ||
| 3. isolering: 30 dB | ||
| 4.S11: -15dB |
Den fotokonduktive switch er en enhed, der ikke kun kan generere bredbåndsterahertz-bølger, men også detektere bredbåndsterahertz-bølger. Efter mange års udvikling er den originale halvleder silicium-safir fotokonduktiv switch erstattet af lavtemperatur dyrket galliumarsenid (GaAs), mens indium galliumarsenid (InGaAs) og grafenbaserede fotokonduktive switches udvikler sig hurtigt, hvilket er terahertz tidsdomæne spektroskopi. Målingen giver en billig, bærbar, stabil og pålidelig ultrakort puls kilde. Det dynamiske område for det aktuelle tidsdomæne-spektroskopisystem baseret på fotokonduktive enheder af THz PIN / FET-switch har nået 90 dB, og det typiske spektrum dækker mellem 0,05 THz og 2 ~ 6 THz. Frekvensen på 0,05-50 GHz, 30-40 GHz, 70-110 GHz og så videre er tilgængelig. Du kan kontakte os for flere specifikationer.
1.4 THz Zero Bias Detector Chip
| Vare | Freq (GHz) | Specs |
| PAM-0110ZBD | DC-110 | 1. følsomhed: 600 V / W |
| 2. dynamisk rækkevidde: -50 til -20 dBm | ||
| 3.S11: -15dB | ||
| PAM-50ZBD | 50-75 | 1. følsomhed: 4500 V / W |
| 2. dynamisk rækkevidde: -50 til -20 dBm | ||
| 3.S11: -10dB | ||
| PAM-70ZBD | 70-130 | 1. følsomhed: 3000V / W |
| 2. dynamisk rækkevidde: -50 til -20 dBm | ||
| 3.S11: -10dB |
THz Zero Bias-detektorchip har fordelene ved høj effektivitet, lave omkostninger og høj integration. Det kan anvendes i mixermodtagersystemet, som kan opnå høj opløsning og høj følsomhed. PAM-XIAMENs Zero Bias Detector Chip kan også arbejde med frekvensen 90-170 GHz og 210-320 GHz. Kontakt os for flere specifikationer.
1.5 Terahertz AMC Chip
Enheder fremstillet på THz AMC-chip er en vigtig del af terahertz kommunikationsteknologi. Især når halvlederteknologien bliver mere moden, udvikler terahertz frekvensomdannelsesenheder hurtigt. Hovedprincippet er at bruge ikke-lineære enheder til at generere to eller flere udgangssignaler og derved realisere funktionen af signalfrekvensmultiplikation. Det er i øjeblikket et vigtigt middel til at opnå højfrekvente terahertz-signalkilder. Terahertz AMC-chippen fra PAM-XIAEMN til en sådan enhed har funktionerne høj udgangsfrekvens, lavt konverteringstab, højt udgangseffekt osv.
AMC-chipens laveste frekvensområde er 50-75 (x2), og det højeste er 190-220 (x2). Flere detaljer, kontakt os venligst.
1.6 Terahertz MIXER Chip
I superheterodyne terahertz-systemet er mixeren baseret på THz MIXER-chip en kerneenhed, og dens funktion er at flytte terahertz-signalet ned til mikrobølge- og millimeterbølgen
frekvensbånd, der realiserer erhvervelse, analyse og behandling af signalet. MIXER-chippen har en vigtig effekt på Hertz-billeddannelse, atmosfærisk overvågning og andre felter. Vores MIXCER-chip fungerer i forskellige frekvenser. Kontakt os for mere detaljerede oplysninger.
1,7 THz Schottky Frekvens Multiplikation MMIC & Schottky Mixing MMIC
THz Schottky Frekvensmultiplikation MMIC kan ikke kun lavfrekvente mikrobølge- og millimeterbølgesignaler generere højfrekvente terahertz-signaler, men kan også forbedre frekvensstabiliteten og signalkvaliteten af terahertz-signaler. Forskellige typer Schottky Frequency Multiplication MMIC har forskellige outputfrekvenser. Den outputfrekvens, vi kan tilbyde, er 102-115 GHz, 140-152 GHz, 213-222 GHz og så videre. Kontakt os for at få specifik infovia e-mail.
Schottky Mixing MMIC kan give højere konverteringseffektivitet og en vis konverteringsgevinst. Samtidig har det kun brug for en lille lokal oscillatoreffekt, så støj er lav. Udgangsfrekvensen vil være 102-115 GHz, 75-110 GHz, 330-350 GHz osv. Kontakt os for flere specifikationer, tak.
1,8 THz dæmpningschip
Terahertz dæmpningschip er et ideelt materiale til dæmpning af terahertz-bølger med høj effekt. Det kan dæmpe terahertz-stråling for at forhindre detektionsmætning og har stabil transmission. Det meste af PAM-XIAMEN dæmpningschip kan arbejde med frekvensen 70-110 GHz. Send os en e-mail for detaljer.
2. Om Terahertz
Terahertz er en ny strålingskilde med mange unikke fordele, og terahertz-teknologi er et meget vigtigt tværgående grænseområde. Terahertz elektromagnetiske strålingsbånd er fra 0,1 til 10 THz. Derfor fokuserer terahertz-forskning primært på 0,1-10 THz-frekvensbåndet. Dette er et meget specielt og omfattende spektrumområde. Oprindeligt blev dette frekvensbånd kaldet “THz Gap”, fordi dette frekvensbånd er mellem de to relativt modne frekvenser, elektronikspektret og det optiske spektrum. Dens lave frekvensbånd overlapper med millimeterbølgefrekvensbåndet i elektronikfeltet, og højfrekvensbåndet overlapper det langt infrarøde frekvensbånd (bølgelængde 0,03-1,0 mm) i det optiske felt.
3. Terahertz egenskaber
Årsagen til, at THz har gode applikationsudsigter, skyldes hovedsageligt dens egenskaber ved spektral opløsning, sikkerhed, perspektiv, forbigående og bredbånd. Specifikt:
For det første er terahertz frekvens foton energi lav og vil ikke forårsage skade på detekteringslegemet og kan realisere ikke-destruktiv test;
For det andet har THz-bølger god gennemtrængningsevne til dielektriske materialer, som kan bruges som et middel til at detektere skjulte objekter;
For det tredje er den typiske pulsbredde for terahertz-impulser i størrelsesordenen picosekunder, som kan opnå terahertz-tidsdomænespektret med højt signal-støj-forhold og er let at udføre spektralanalyse på forskellige materialer;
Endelig er båndbredden for terahertz-frekvensbåndet meget bred, fra 0,1-10 THz kan give rige spektrumressourcer til ultrahøjhastighedskommunikation.
4. Anvendelser af Terahertz Chips
Med udviklingen af forskning er vigtigheden af terahertz-spektrum og teknologi inden for fysik, kemi, biologi, elektronik, radioastronomi osv. Gradvis kommet til, og anvendelser af terahertz-chip er også begyndt at trænge ind i mange aspekter af den sociale økonomi og national sikkerhed, såsom biologisk billeddannelse, THz hurtig spektrumdetektion, højhastighedskommunikation, radar gennem væggen osv. Teragertz-chippen bruges hovedsageligt til aktiv sikkerhedsbilleddannelse, terahertz-radar, terahertz-kommunikation, test og måling.
Relaterede indlæg om Terahertz Chip:
THz-genereringsproces i LT-GaA'er
Dyrkede InGaA'er ved lav temperatur
For mere information, kontakt os venligst e-mail på victorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com.