رقاقة 4H-SiC GTO *S

رقاقة 4H-SiC GTO *S

يمكن لجهاز الثايرستور (GTO) لبوابة الجهد العالي للغاية المعتمد على 4H-SiC، تحت تأثير حقن الموجة الحاملة ثنائية الاتجاه وتأثيرات تعديل الموصلية، أن يتحمل الجهد العالي أثناء الحصول على تيار تمرير عالي، مما يلبي متطلبات تطبيقات الطاقة العالية جدًا من حيث كثافة الطاقة والموثوقية. يمكن أن تنمو PAM-XIAMEN4H-SiC الهيكل الفوقيلتصنيع جهاز GTO. خذ البنية التالية على سبيل المثال:

رقاقة إيقاف تشغيل البوابة الثايرستور (GTO).

1. SiC GTO الهيكل الفوقي

طبقة Epi سماكة تركيز المنشطات
ف + الأنود 2.5um 1 × 1019سم-3
قاعدة ن+ 2um 8 × 1017سم-3
ف- الانجراف 50um 2 × 1014سم-3
طبقة عازلة +P    
N+ طبقة التوقف المقدمة    
الركيزة N + 4H-SiC    

2. ماذاهوبوابة إيقاف الثايرستور?

بوابة إيقاف الثايرستور هي نوع من الثايرستور يتمتع بقدرة إيقاف التشغيل الذاتي وخصائص الثايرستور. إذا تم تطبيق جهد أمامي على الأنود وتم تطبيق تيار تشغيل أمامي على البوابة، فسوف يقوم GTO بالتوصيل. في حالة التوصيل، تقترن البوابة بتيار نبضي عكسي كبير بما فيه الكفاية، ويتحول GTO من التوصيل إلى الحجب. على الرغم من أن أدائها أقل شأنا من أداء الترانزستورات ثنائية القطب ذات البوابة المعزولة وترانزستورات تأثير مجال الطاقة، إلا أنها تتمتع بمزايا مقاومة الجهد العالي، وسعة التيار الكبيرة، ومقاومة التدفق القوية للثايرستور العام. لذلك، استبدل GTO تدريجيًا الثايرستور العادي وأصبح جهاز التحويل الرئيسي في أجهزة المحول ذات السعة الكبيرة والمتوسطة.

يمكن تقسيم هيكل بوابة SiC بمساعدة الثايرستور إلى نوعين: متماثل وغير متماثل. يتمتع GTO المتماثل بجهد انهيار مرتفع في كلا الاتجاهين الأمامي والخلفي، في حين أن GTO غير المتماثل عمومًا لديه جهد انهيار أمامي أعلى بكثير من جهد الانهيار العكسي. يتطلب صمام المحول المستخدم في أنظمة نقل التيار المستمر ذات الجهد العالي جهد انهيار أعلى في كلا الاتجاهين الأمامي والخلفي.

3. كربيد زأكلTجرة-Oوما يليهاTهيريستورAتطبيق

يعد SiC GTO مناسبًا جدًا للتطبيقات ذات معدل التغيير الحالي السريع (di / dt) عند تيارات الذروة العالية للغاية. حاليًا، يمكنها تحقيق عشرات الآلاف من العمليات الموثوقة. بالمقارنة مع أجهزة تبديل الطاقة التي يتم التحكم فيها بالجهد، فإن SiC GTO لا يحتوي على بوابة أكسجين ويمكن استخدامه في ظل ظروف درجات الحرارة العالية القاسية. يعد تطبيق أجهزة تبديل الطاقة SiC GTO ذات الجهد العالي للغاية (أكبر من 10 كيلو فولت) في المجالات المدنية مثل نقل التيار المرن والمباشر عالي الجهد، ومحرك السيارات، والجر الكهربائي أمرًا مهمًا للغاية لتحسين أداء نقل الطاقة والدفع. وأنظمة الجر.

في أجهزة الطاقة ذات الجهد العالي، تتميز بوابة إيقاف الثايرستور المعتمدة على SiC بميزات قدرة المعالجة الحالية القوية، ومستوى الجهد العالي، وتيار التسرب المنخفض، وخصائص الإغلاق السريع؛ علاوة على ذلك، فهي تتمتع بمقاومة توصيل أقل من وحدات SiC MOSFETs، وانخفاض في جهد التوصيل، واستهلاك أقل للطاقة، ودرجة حرارة تشغيل أعلى من Si IGBT وSiC IGBT.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكترونيvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2023-11-17

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

Highly selective PEC etching of gallium nitride device structures

Highly selective PEC etching of gallium nitride device structures   Photoelectrochemical (PEC) wet etching is an attractive wet etch approach for III-Nitride materials. Compared to dry etch techniques normally applied in prevalent GaN device fabrications, PEC wet etching can provide low damage, selective etching and understanding [...]

2013-03-05مؤلف ميتا
InGaSb Film on GaAs Substrate

PAM-XIAMEN can offer InGaSb material substrate, which can be used for InGaSb photodetectors, InGaSb/GaAs quantum dots (QDs), InGaSb-on-insulator for p-MOSFET, and InGaSb/InAs superlattice materials for infrared photodiodes in the very long-wavelength infrared (VLWIR) range It can be grown on GaAs substrate, GaSb (111)A substrate and [...]

2020-05-15مؤلف ميتا
تحسين طاقة خرج الضوء في الثنائيات الباعثة للضوء العمودية المستندة إلى GaN مع الشبكات الفائقة p-AlInGaN/GaN

تحسين طاقة خرج الضوء في الثنائيات الباعثة للضوء العمودي القائمة على GaN مع الشبكات الفائقة p-AlInGaN / GaN لقد أبلغنا عن تأثير الشبكات الفائقة AlGaInN / GaN (SLs) من النوع p كطبقات حجب الإلكترون (EBLs) على الخواص البصرية للضوء العمودي - الثنائيات الباعثة للضوء (VLEDs). باستخدام p-AlGaInN/GaN SLs في VLEDs، حققنا تحسينات كبيرة في [...]

2013-04-24مؤلف ميتا
Frequency Comb Generation From Stimulated Brillouin Scattering and Semiconductor Laser Diodes

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands    of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University,      Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance    for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of    Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who bought our wafers or service: Article title: Frequency Comb Generation From Stimulated Brillouin Scattering and Semiconductor Laser Diodes Published by: (Electrical Engineering) in The [...]

2019-10-31مؤلف ميتا
Single crystal ZnSe

PAM XIAMEN offers Single crystal ZnSe. ZnSe (100) 10x10x0.5mm, 1sp ZnSe (100) 10x10x0.5mm, 2sp ZnSe (100) 10x10x1.0mm, 2sp ZnSe (100) 10x5x0.5mm, 1sp ZnSe (100) 10x5x1.0mm, 1sp ZnSe (100) 5x5x0.5mm, 1sp ZnSe (110) 10x10x1.0mm, 2sp with s/d: 60/40 on both sides, High resistivity ZnSe (111) [...]

2019-05-21مؤلف ميتا
شريط LD العاري لـ 780 نانومتر @ تجويف 2.5 مم

تقدم PAM XIAMEN شريط LD Bare Bar لـ 780nm@cavity 2.5mm. العلامة التجارية: PAM-XIAMEN الطول الموجي: 780 نانومتر عامل التعبئة: 38% الطاقة الناتجة: 80 وات طول التجويف: 2.5 مم لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة موقعنا على الإنترنت: https://www.powerwaywafer.com، أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا على sales@powerwaywafer.com وpowerwaymaterial@gmail.com تأسست شركة Xiamen Powerway Advanced Material Co.، في عام 1990، [...]

2019-05-09مؤلف ميتا