웨이퍼 프로세스 :
웨이퍼 결정 성장
결정 웨이퍼의 제조에서, 첫 번째 중요한 단계는 단결정의 육성이다. 질소, 바나듐, 붕소 또는 인 등의 불순물의 작은 퍼센트와 원료로서 사용 다결정. 밀봉 성장 노를 통해 잉곳을 성장 (이 도펀트는 전기적 특성을 결정하거나 결정으로부터 슬라이스 된 웨이퍼의 저항률).
웨이퍼 절단
종자 단부 (상단)와 잉곳의 테이퍼 엔드 (하단) 그런 다음, 잉곳이 나중에 수행 될 슬라이싱 동작을 최적화하기 위해 짧은 부분으로 절단, 제거한다. 이어서, 각 구역은 웨이퍼를 기계적으로 절단 lathe.finally 결정에 지정된 직경으로 분쇄된다.
웨이퍼 연마
기계적 연마에 의해 거칠게 랩핑 웨이퍼 연마가 반도체 devices.First 단계의 웨이퍼 제조에 필요하고, 두 번째 단계는 상기 웨이퍼의 평탄도 및 표면 거칠기를 개선하기 위해 CMP (화학 기계 연마)에 의해 얇은 연마이며, 정밀도를 얻기 위해, 그 표면을 에피 슬라이스의 마지막 에피 웨이퍼가 준비된다.
웨이퍼 청소
연마하는 동안, 웨이퍼는 이미 웨이퍼 용기에 포장되기 전에 systems.But을 청소하는 일련의로 진행되어, 그들은 여전히 stratches, 명소, 그리고 흠이 있는지 웨이퍼를 검사해야합니다.
웨이퍼 에피 택시
에피 택시 반응기로 박막을 웨이퍼 기판의 연마면을 성장하는 과정이고, 다음 고객은 세계의 화합물 반도체 디바이스를 구축 제공 에피 웨이퍼,해진다.
성장과 에피 택시 기술
수 소화물 기상 에피 택시 (HVPE) 기술
등의 GaN, AlN으로, 또는 AlGaN 등의 화합물 반도체의 제조 공정 및 HVPE에 의해 성장 기술. 고체 조명, 단파장 광전자 및 RF 전원 장치 이들은 광범위한 용도로 사용된다.
자세한 정보가 필요하면, 참조하시기 바랍니다 : https://www.powerwaywafer.com/GaN-Templates.html
분자 빔 에피 택시 (MBE) 테크놀로지
MBE는 기판 상에 원자 물질의 두께의 층을 부설하는 방법이다. 이는 기판 상에 충돌하는 재료의 "분자 빔 '를 생성함으로써 수행된다. 그 결과 '초 격자는'금속 시스템 반도체 시스템에 양자 우물 레이저 및 거대 자기 저항을 포함하여 기술적으로 중요한 용도의 번호를 가지고있다.
유기 금속 화학 기상 증착 (MOCVD) 기술
금속 유기 화학 기상 증착 (MOCVD) 또는 유기 금속 기상 에피 택시 (MOVPE)는 웨이퍼 기판 상에 원자를 증착시킴으로써 에피 화학 기상 증착 방법이다.
자세한 정보가 필요하면, 참조하시기 바랍니다 : https://www.powerwaywafer.com/GaAs-Epiwafer.html
그리고 지금 우리 MBE 및 MOCVD에 대한 간략한 소개를 제공합니다.
1 : MBE
MBE는 기판 상에 원자 물질의 두께의 층을 부설하는 방법이다. 이는 기판 상에 충돌하는 재료의 "분자 빔 '를 생성함으로써 수행된다. 그 결과 '초 격자는'금속 시스템 반도체 시스템에 양자 우물 레이저 및 거대 자기 저항을 포함하여 기술적으로 중요한 용도의 번호를 가지고있다.
화합물 반도체 산업에서 MBE 기술을 사용하여, 우리는 갈륨 비소 등의 화합물 반도체 기판 및 쿠폰 에피 웨이퍼 상에 에피 택 셜층을 성장하고 마이크로파 및 RF 어플리케이션에 대한 다층 기판을 개발한다.
1-1 : 분자선 에피 택시의 특성 :
초당 1 ~ 단층 (격자 평면)의 낮은 성장률
낮은 성장 온도 (~ 갈륨 비소 550 ° C)
높이 원자 스텝과 테라스 대형 평면 부드러운 성장면
표면 조성물 및 형태의 정확한 제어
계면 화학 조성의 갑작스러운 변화
원자 수준에서의 결정 성장의 제어 시츄
1-2 : MBE 기술의 장점 :
클린 성장 환경
빔 플럭스의 정확한 제어
성장 조건
현장에서의 쉬운 구현
진단 장비
다른 높은 진공과의 호환성
박막 처리 방법 (금속
증착, 이온빔 밀링, 이온 주입)
1-3 : MBE 과정 :
2 : MOCVD
금속 유기 화학 기상 증착 (MOCVD) 또는 유기 금속 기상 에피 택시 (MOVPE)는 웨이퍼 기판 상에 원자를 증착시킴으로써 에피 화학 기상 증착 방법이다.
MOCVD 원리는 매우 간단합니다 : 당신이 당신의 결정에 싶습니다 원자는 복잡한 유기 가스 분자와 결합 뜨거운 웨이퍼 기판 위에 전달됩니다. 열은 분자 침전물 층에 의해 표면 층에 원하는 원자 깨진다. 가스의 조성을 변화시킴으로써, 우리는 거의 원자 수준에서 결정의 성질을 변경할 수있다. 이는 고품질의 반도체 층을 성장할 수 있고, 이들 층의 결정 구조가 완벽 기판의 정렬된다.