PAM XIAMEN offers 12 inch silicon wafers. We have all the grades including:
Prime grade 300mm silicon wafers
Test grade 300mm silicon wafers
Mechanical 300mm silicon wafers
Reclaimed 300mm silicon wafers
We can deposit the following onto our 300mm silicon wafers including:
Thermal oxide, wet and dry on 300mm silicon [...]
2019-02-20التلوي المؤلف
مع اختلاف عملية التصنيع عن تلك التقليدية، لا يمكن تصنيع جهاز طاقة SiC مباشرة على مواد SiC ذات بلورة واحدة. من الضروري زراعة مواد الفوقي عالية الجودة على الركيزة البلورية المفردة الموصلة لإنتاج أجهزة مختلفة على الطبقات الفوقي. عادةً ما يعتمد SiC طريقة PVT مع [...]
2021-02-25التلوي المؤلف
أبرز النقاط: لقد قمنا بتصنيع أجهزة HEMTs HV AlGaN/GaN-on-Si باستخدام أقطاب التصريف الكهربائية شوتكي والأومي. • نقوم بدراسة تأثير درجة الحرارة على المعلمات الكهربائية للأجهزة المصنعة. •استخدام وصلات استنزاف شوتكي يزيد من جهد الانهيار من 505 إلى 900 فولت. •تتميز SD-HEMTs بزيادة أقل في رون [...]
PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Oxide Wafer
2″ Silicon Oxide Wafer
Diameter (mm): 50mm
Grade: Prime
Growth: CZ
Type/Dopant: any
Orientation: 100
Resistivity (Ohm-cm): any
Thickness (µm): 500±25μm
Tolerance (µm): any
Surface Finish: SSP
Flats: SEMI-Std.
TTV < (µm): any
Bow < (µm): any
Warp < [...]
2020-04-24التلوي المؤلف
PAM-XIAMEN can supply AlN thin films, additional specifications please see https://www.powerwaywafer.com/2-inch-aluminum-nitride-aln-template-on-sapphire.html.
1. Research Background of Incoherent Interfaces
Functional material interfaces have attracted much attention due to their often exhibiting novel physical and chemical phenomena and properties that differ from bulk materials. For example, two-dimensional electron gas, [...]
2024-04-29التلوي المؤلف
Low-temperature growth of GaAs on Si used for ultrafast photoconductive switches
GaAs was grown directly on silicon by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperature(∼250°C). Both the silicon wafer cleaning and the GaAs film growth processes were done attemperatures lower than the Si-Al eutectic temperature to enable monolithic integration of low-temperature-GaAs photoconductive switches with finished Si-CMOS circuits. The film surfaces show less [...]
