الكريستال LiF

الكريستال LiF

تقدم PAM XIAMEN الكريستال LiF.

LiF (100) 10x10x1.0 مم ، 1SP

LiF (100) 10x10x1.0 مم ، 2SP

LiF (111) 10x10x1.0 ملم ، 1SP

LiF (111) 10x10x1.0 مم ، 2SP

LiF (110) 10x10x1.0 مم ، 1SP

يمكننا أيضا أن نقدم بولي كريستال LiF(PAM161011-LIF):

القطر = 15 مم

الطول = 25 مم

نقاوة> 99.99٪

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني علىvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

تأسست شركة Xiamen Powerway Advanced Material Co. ، Ltd (PAM-XIAMEN) في عام 1990 ، وهي شركة رائدة في تصنيع مواد أشباه الموصلات في الصين.تقوم شركة PAM-XIAMEN بتطوير تقنيات متقدمة للنمو البلوري والتضخم ، وعمليات التصنيع ، والركائز الهندسية ، وأجهزة أشباه الموصلات.تتيح تقنيات PAM-XIAMEN أداءً أعلى وتصنيعًا منخفض التكلفة لرقائق أشباه الموصلات.

تقوم PAM-XIAMEN بتطوير تقنيات متطورة للنمو الكريستالي والتضخم ، تتراوح من الجيل الأول من رقاقة الجرمانيوم ، والجيل الثاني من أرسينيد الغاليوم مع نمو الركيزة و epitaxy على مواد أشباه الموصلات من النوع الثالث المخدر بالسيليكون على أساس Ga و Al و In و As و P نمت بواسطة MBE أو MOCVD ، إلى الجيل الثالث: كربيد السيليكون ونتريد الغاليوم لتطبيقات LED وأجهزة الطاقة.

2019-05-08

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

A Super Heat Dissipation Material–Diamond Material

Today, among the existing semiconductor materials, diamond is one of the most promising semiconductor materials. Usually, it is used as diamond thermal management material. The article will mainly discuss the diamond from 3 parts: what is diamond, diamond material properties and its applications. 1. What Is Diamond? Diamond [...]

2021-04-30مؤلف ميتا
العيوب والرواسب الممتدة في LT-GaAs وLT-InAlAs وLT-InP

العيوب والرواسب الممتدة في LT-GaAs و LT-InAlAs و LT-InP نراجع الخصائص الهيكلية الرئيسية للحزمة الجزيئية ذات درجة الحرارة المنخفضة المنتجة الفوقي GaAs (LT-GaAs) و LT-InAlAs و LT-InP. تظهر هذه المواد سلوكيات متطابقة تقريبًا فيما يتعلق بظروف النمو والتليين. لدرجات حرارة النمو المنخفضة للغاية [...]

2014-01-02مؤلف ميتا
Effect of Al-induced crystallization on CdZnTe thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering

High quality polycrystalline CdZnTe films were prepared by aluminum induced crystallization (AIC) and radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. The crystallinity, morphology and optical property of both as-deposited and AIC samples were investigated by X-ray diffraction (XRD), and atomic force microscopy (AFM), as well as Raman and [...]

2013-11-13مؤلف ميتا ،
In 2018, China’s semiconductor materials market is 8.5 billion US dollars

As an important part of new materials, semiconductor materials are the top priority of all countries in the world for the development of electronic information industry. It supports the development of localization of electronic information industry and is of great significance to industrial structure [...]

2019-04-02مؤلف ميتا
تقنية الركيزة المدمرة لمصابيح LED الدقيقة باللونين الأخضر والأحمر المباشر

الشكل 1. يمكن لبنية InGaN الكاملة المزروعة على ركائز InGaN-on-sapphire (InGaNOS) أن تمتد عبر الطيف من الأزرق إلى العنبر. (المصدر: Soitec) تشمل المزايا التي تقدمها شاشات microLED استهلاكًا منخفضًا للطاقة، ودقة عالية، واستجابة سريعة، وإضاءة عالية. وبالإضافة إلى ذلك، يمكن دمج أجهزة الاستشعار داخل [...]

2017-10-18مؤلف ميتا
كيف تعيد الشوائب ودرجة الحرارة تشكيل مقاومة كريستال السيليكون？

Silicon wafers can be supplied with specifications as found in: https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer Silicon is a semiconductor material, and its resistivity is closely related to the doping concentration. Doping is that introducing a small amount of impurities into silicon crystals to alter their electrical properties. According to the [...]

2024-03-29مؤلف ميتا